以有机溶剂热生长技术制备金属硫族化合物[Mn(en)_3]PdSe_2及其晶体结构分析

以有机溶剂热生长技术 (solvothermaltechnique) ,即在 180℃乙二胺 (en)溶液中 ,以MnCl3,PdCl2 ,K2 Se在密闭容器中反应 7d ,制备出新的硫族化合物 [Mn(en) 3]PdSe2 ,其阴离子基团为 [PdSe2 ]2 -,阳离子基团为过渡金属Mn与乙二胺 (en)的配合物 :[Mn(en) 3]2 +.以单晶X射线衍射技术解得该晶体结构属正交晶系 ,空间群为Pbcn ,[Mn(en) 3]·PdSe2 (Ⅰ )的晶胞数据 :a =1.1484( 2 ) ,b=1.5 0 5 7( 3 ) ,c =0 .93 62 2 ( 19)nm ,Z =4.     

一维链状氧族化合物［Mn(en)3］CdSnTe4的制备及其半导体性质的研究

The solvothermal technique was used for the synthesis of ［Mn(en)₃］CdSnTe₄ (Ⅰ). The crystal structure has been determined by single crystal X-ray diffraction techniques. The crystal belongs to the triclinic, space group P1(No.1     

稀土铜硫化合物TbCuS2的合成和晶体结构

Terbium copper disulfide, TbCuS₂, has been synthesized in the reaction of the elements in a KI flux at 850 ℃. The compound crystallizes in space group P2₁/c of the monoclinic system with four formula units in a cell of dimensions of a= 0.639 3(1) nm, b=0.702 5(1) nm, c=0.670 8(1) nm, β=98.097(4)°, and V=0.298 3(1) nm³ at 153 K. The structure comprises two-dimensional ²_∞[CuS₂] layers along [100] separated by the Tb atoms. In the structure, each Tb and Cu atoms are coordinated to seven and four S atoms, respectively. CSD: 415490.     

金属硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4,[Sb(en)3]In3Te7的溶剂热生长及晶体结构

以溶剂热生长技术(Solvothermal technique)在180 C下以氯化物与具有氧化性的M 2Q(M=K,Rb;Q=Te,Se)反应,制备出新的硫族化合物[Ni(en)3](Hen)SbSe4(1),[Sb(en)3]In3Te7(2).化合物1的阳离子基团为过渡金属Ni与乙二胺(en)的配合物[Ni(en)3]2+及质子化的[Hen]+阳离子,阴离子基团为具有分立结构的[SbSe4]3-.化合物2的阳离子基团为[Sb(en)3]3+,阴离子基团为具有二维结构的2∞[In3Te7]3-.单晶X射线衍射结果表明,晶体1属三斜晶系,P1空间群,晶胞数据a=0.881 43(18)nm,b=0.962 35(19)nm,c=1.427 8(3)nm,α=104.74(3)°,β=92.47(3)°,γ=109.55(3)°,V=1.092 7(4)nm3,Z=2.晶体2属单斜晶系,P21/c空间群,晶胞数据:a=1.069 1(2)nm,b=1.693 2(3)nm,c=1.515 2(3)nm,α=90°,β=94.86(3)°,γ=90°.V=2.732 8(9)nm3,Z=4.     

有机杂化含Te2^2-／Se3^2-过渡金属化合物的溶剂热合成及晶体结构

本文通过溶剂热法合成了2种新的有机杂化锌碲化物[Zn(dien)2](Te2)(1)和镍硒化物[Ni(dien)2](Se3)(2)(dien=二乙烯三胺),单晶X射线衍射分析结果表明,化合物1属于正交晶系,Cmca空间群,晶胞参数:a=9.212(2),b=10.854(3),c=15.723(4),Z=4。化合物2属于正交晶系,Pna21空间群,晶胞参数:a=18.047(4),b=9.8236(19),c=9.0079(19),Z=4。在两种化合物中,1的阳离子中Zn2 与2个dien螯合形成稍变形的八面体几何构型,阴离子为哑铃型的Te22-。2的阳离子中Ni2 离子与2个dien螯合形成稍变形的八面体几何构型,阴离子为‘V’字型的Se32-。     

二维层状金属碲化物[Mn（en）3]Ag2Sn2Te8的制备及其晶体结构的分析

鉴于硫族金属化合物特殊的物理化学性质及其在半导体材料、催化剂研究、高温超导材料等高科技领域的诸多应用,在近十年内,人们竞相研究,合成出了成百上千新的二元、三元、四元的金属硫化物,金属硒化物和金属碲化物.高温直接反应方法是制备金属碲化物的一种最常用的方法,如:K2BaSnTe4,RbTaCu2Te4,K2Ag2SnTe4,K2HgSnTe4等均是在400～500℃左右的温度下,以单质元素与二元的碲化物直接反应得到的.在该领域中,近年来低温合成技术,如电解法[1],水热法[2]的应用日益受到重视.采用以有机物为溶剂的低温合成技术是90年代以来才取得发展并逐渐成熟起来的.如RbHgSbTe3[3],Rb2Hg3Te4[4]都是采用该低温合成技术而制备成功的.有机溶剂热生长技术与传统的水热法(Hydrothermal)不同之处在于可以根据实验的需要而选用具有不同沸点、带有不同极性及不同官能团的有机溶剂,从而拓宽了该技术的应用范围.本文报道的[Mn(en)3]Ag6Sn2Te8就是以乙二胺为溶剂,以SnTe,MnCl2,AgCl与Te为原料,在180℃下反应得到的.     

有机杂化锑硒化合物的溶剂热合成与晶体结构

自1996年Kanatzid is以有机胺为结构导向剂,第一次用溶剂热法合成了含过渡金属钴的锑硫化物[Co(en)3]CoSb4S8[3]以来,水热和溶剂热技术逐渐成为合成多元金属硫属化物的重要方法[1-7]。本文以FeC l2·4H2O、Sb和Se为原料,在乙二胺中于140℃进行溶剂热反应,合成了锑硒化合物[Fe(e     

[M(en)3]2Sn2Se6(M=Mn,Zn)的制备及其热稳定性

用有机溶剂热生长技术(SolvothermalTechnique)制备过渡金属锰和锌硒化物[Mn(en)3]2Sn2Se6(Ⅰ),[Zn(en)3]2Sn2Se6(Ⅱ).用单晶X射线衍射技术对其进行晶体结构分析.[Zn(en)3]2Sn2Se6样品的热分析结果表明,该化合物的热分解分三步进行.光学性质测试表明它们是半导体材料,[Mn(en)3]2Sn2Se6的能带隙为1.76eV.[Zn(en)3]2Sn2Se6的能带隙为2.49eV.     

二维层状金属碲化物[Mn(en)3]Ag6Sn2Te8的制备及其晶体结构的分析

鉴于硫族金属化合物特殊的物理化学性质及其在半导体材料、催化剂研究、高温超导材料等高科技领域的诸多应用,在近十年内,人们竞相研究,合成出了成百上千新的二元、三元、四元的金属硫化物,金属硒化物和金属碲化物.高温直接反应方法是制备金属碲化物的一种最常用的方法,如:K2BaSnTe4,RbTaCu2Te4,K2Ag2SnTe4,K2HgSnTe4等均是在400～500℃左右的温度下,以单质元素与二元的碲化物直接反应得到的.在该领域中,近年来低温合成技术,如电解法[1],水热法[2]的应用日益受到重视.采用以有机物为溶剂的低温合成技术是90年代以来才取得发展并逐渐成熟起来的.如RbHgSbTe3[3],Rb2Hg3Te4[4]都是采用该低温合成技术而制备成功的.有机溶剂热生长技术与传统的水热法(Hydrothermal)不同之处在于可以根据实验的需要而选用具有不同沸点、带有不同极性及不同官能团的有机溶剂,从而拓宽了该技术的应用范围.本文报道的[Mn(en)3]Ag6Sn2Te8就是以乙二胺为溶剂,以SnTe,MnCl2,AgCl与Te为原料,在180℃下反应得到的.     

K2CdSnS4的溶剂热合成与晶体结构

利用溶剂热法合成了层状硫代锡(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物K₂CdSnS₄。单晶X-射线衍射分析结果表明,化合物属单斜晶系,C2/c空间群,a=1.1021(5)nm,b=1.1030(5)nm,c=1.5151(10)nm,α=90°,β=100.416(12)°,γ=90°,V=1.8114(17)nm³,Z=8,D_c=3.209g·cm^-3,M_r=437.60,μ=6.853mm^-1,F(000)=1600,λ=0.071073nm,R=0.1042,wR=0.2008。该化合物由类金刚烷[Cd₂Sn₂S₁₀]^8-结构单元互相连接形成层状结构。紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体,带隙为2.2eV。     

K_2CdSnS_4的溶剂热合成与晶体结构(英文)

利用溶剂热法合成了层状硫代锡(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物K2CdSnS4。单晶X-射线衍射分析结果表明,化合物属单斜晶系,C2/c空间群,a=1.102 1(5)nm,b=1.103 0(5)nm,c=1.515 1(10)nm,α=90°,β=100.416(12)°,γ=90°,V=1.811 4(17)nm3,Z=8,Dc=3.209 g·cm-3,Mr=437.60,μ=6.853 mm-1,F(000)=1 600,λ=0.071 073 nm,R=0.104 2,wR=0.200 8。该化合物由类金刚烷[Cd2Sn2S10]8-结构单元互相连接形成层状结构。紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体,带隙为2.2 eV。     

一维链状铜配位聚合物[Cu(bpb)0.5(CH3COO)2]n的合成与晶体结构

A coordination complex of [Cu(bpb)_0.5(CH₃COO)₂]_n (bpb=1,4-bis(pyridine-3-aminomethyl)benzene) has been synthesized and characterized by elemental analysis, IR spectra, TG and X-ray single crystal diffraction. The title complex crystallizes in triclinic with space group P1, a=0.771 98(15) nm, b=0.827 62(17) nm, c=1.116 0(2) nm, α=96.71(3)°, β=90.03(3)°, γ=105.39(3)°, and V=0.682 4(3) nm³, Z=2, R=0.042 4, wR=0.091 1. The title complex is composed of dicopper tetracarboxylate units. Copper(Ⅱ) atom asumes a square-pyramidal coordination geometry formed with one pyridyl N atom from bpb and four O atoms from four bridging acetate anions. Two adjacent dicopper tetracarboxylate units are linked into a 1D chain by the bpb ligands, which were further connected by inter-chain hydrogen bonds to form a 2D network structure. CCDC: 667605.     

有机杂化硫代碲酸盐化合物（H2en）TeS3和[Ni（en）3]TeS3的溶剂热合成与表征

用低温溶剂热法合成了2种分立结构的有机杂化硫代碲（Ⅳ）酸盐化合物（H₂en）TeS₃（1）和[Ni（en）₃]TeS₃（2）（en=乙二胺）,通过X-射线单晶衍射,红外光谱,元素分析等手段对它们的结构进行了表征。晶体结构解析结果表明：2个化合物均属单斜晶系,空间群分别为P2₁和P2₁/c。化合物1和2具有孤立三角锥[TeS₃]^2-阴离子,化合物1的平衡阳离子为双质子化乙二胺[H₂en]²⁺,阴离子基团[TeS₃]^2-和阳离子基团[H₂en]²⁺之间通过N-H…S氢键连接。化合物2的阳离子基团为过渡金属Ni与乙二胺的配合物[Ni（en）₃]²⁺。另外,对该2种晶体进行了紫外-可见漫反射光谱测试和热重分析。     

有机杂化硫代碲酸盐化合物(H_2en)TeS_3和[Ni(en)_3]TeS_3的溶剂热合成与表征

用低温溶剂热法合成了2种分立结构的有机杂化硫代碲(Ⅳ)酸盐化合物(H2en)TeS3(1)和[Ni(en)3]TeS3(2)(en=乙二胺),通过X-射线单晶衍射,红外光谱,元素分析等手段对它们的结构进行了表征。晶体结构解析结果表明:2个化合物均属单斜晶系,空间群分别为P21和P21/c。化合物1和2具有孤立三角锥[TeS3]2-阴离子,化合物1的平衡阳离子为双质子化乙二胺[H2en]2+,阴离子基团[TeS3]2-和阳离子基团[H2en]2+之间通过N-H…S氢键连接。化合物2的阳离子基团为过渡金属Ni与乙二胺的配合物[Ni(en)3]2+。另外,对该2种晶体进行了紫外-可见漫反射光谱测试和热重分析。     

链状Cs_8Mn_4Sn_4Se_(16)和[Ni(1,2-dap)_3]_2Cd_2Sn_2S_8(1,2-dap:1,2-丙二胺)的溶剂热合成与表征

采用溶剂热法,在1,4-丁二胺中合成以碱金属为客体阳离子的硫属锡酸盐Cs_8Mn_4Sn_4Se_(16)(1)及1,2-丙二胺(1,2-dap)配位的过渡金属为客体阳离子的硫属锡酸盐[Ni(1,2-dap)_3]_2Cd_2Sn_2S_8(2)。并采用单晶X射线、紫外可见漫反射、热重分析-差示扫描量热分析(TG-DSC)等手段进行表征。结果表明,化合物1为正交晶系,空间群为Fddd;化合物2为正交晶系,空间群为Cmcm;且结构中均包含Sn Q4(Q=S,Se)四面体与TMQ_4(TM=Mn,Cd)四面体通过共边而成的一维(1-D)阴离子链,紫外可见漫反射分析表明,化合物1、2的禁带宽度分别为1.70和2.21 e V,具有半导体性质。且TG-DSC测试显示化合物1、2在一定温度下具有一定的稳定性。     

层状多硫代锑(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6的溶剂热合成与表征

利用溶剂热方法合成了层状多硫代锑髥酸镉髤化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6(1)(1,4-DAB=1,4-丁二胺),并通过红外光谱、热重分析对其进行了表征,用X-射线衍射测定了化合物的单晶结构。单晶解析表明,化合物属正交晶系,Cmca空间群,Mr=750.77,a=0.860 3(5)nm,b=0.898 7(6)nm,c=2.273(2)nm,V=1.758(2)nm3,Z=4,λ=0.071 073 nm,R=0.032,wR=0.106 7。晶体结构中含有六元环的Cd2SbS3和八元环的Cd2Sb2S4的阴离子网络层状[CdSbS3]nn-,双质子化的有机阳离子在阴离子层之间以氢键N-H…S形式连接。另外紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体。     

配合物[Ce(CH2=C(CH3)COO)2(NO3)(Bipy)]的合成及晶体结构

The new complex [Ce(CH₂=C(CH₃)COO)₂(NO₃)(Phen)]₂ was prepared in ethanol-aqueous solution with 8-hydroxyquinoline as the acidity regulator. Its crystal structure was determined by X-ray diffraction analysis. The title complex is triclinic, space group P1, a=1.00832(3)nm, b=1.02858(8)nm, c=1.12350(8)nm, α=113.9250(10)°, β=103.8210(10)°, γ=81.4650(10)°, V=1.03252(14)nm³, Z=1, D_c=1.700g·cm^-3, F(000)=522. The coordination number of Ce³⁺ is nine. CCDC: 211278.     

层状多硫代锑(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6的溶剂热合成与表征

利用溶剂热方法合成了层状多硫代锑(Ⅲ)酸镉(Ⅱ)化合物(1,4-DABH₂)Cd₂Sb₂S₆ (1)(1,4-DAB=1,4-丁二胺),并通过红外光谱、热重分析对其进行了表征,用X-射线衍射测定了化合物的单晶结构。单晶解析表明,化合物属正交晶系,Cmca空间群,M_r=750.77,a=0.860 3(5) nm,b=0.898 7(6) nm,c=2.273(2) nm,V=1.758(2) nm³,Z=4,λ=0.071 073 nm,R=0.032,wR=0.106 7。晶体结构中含有六元环的Cd₂SbS₃和八元环的Cd₂Sb₂S₄的阴离子网络层状[CdSbS₃]_n^n-,双质子化的有机阳离子在阴离子层之间以氢键N-H…S形式连接。另外紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体。