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本文叙述了多芯片组件和多层布线集成组装技术的研究和进展,介绍了硅基多层布线集成组装技术的特点和设计考虑,扼要地叙述了硅基多层布线的制造工艺,并讨论了工艺中所出现的问题。 相似文献
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微组装技术是继表面安装技术之后的第五代电子组装技术。本文综述了微组装技术当前的发展概况,对该技术未来十年的发展方向和趋势作了预测,并着重介绍了其代表性产品多芯片组件以及关键技术。 相似文献
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三维多芯片组件(3D-MCM)是在二维多芯片组件(2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术的基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于:3D-MCM是采用三维(x,y,z方向)结构形式对IC芯片进行三维集成的技术,而3D-MCM则是在二维(x,y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进入高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要方向,是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术。 相似文献
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MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性。说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施,实验分析表明,Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是,Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后,被氧化腐蚀,导致互连电阻增大,而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散,导致PI绝缘电阻下降。 相似文献
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现代集成电路系统采用的互连技术中,电互连和光互连各有优缺点,OEMCM可以根据实际情况将二者的特点结合起来。目前国际上流行的自由空间光互连技术已经应用于异步传输模式和并行处理计算机结构中。着重介绍采用自由空间光互连OE MCM的结构和设计考虑。 相似文献
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Bolotov V. V. Ivlev K. E. Knyazev E. V. Ponomareva I. V. Roslikov V. E. 《Semiconductors》2020,54(5):609-613
Semiconductors - Multilayer integrated porous membranes are obtained in a monolithic frame containing two types of porous silicon: macroporous silicon with pore diameters up to 10 μm and... 相似文献
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本文描述了高密度、高性能IC封装的现状、目前常用的几种类型以及当前面临的问题。并指出,高密度封装将逐步被一种更新的封装——多芯片组件(MCM)所代替。MCM的出现将对军事、航空、高端计算机和远距离通信产生深远的影响。 相似文献
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随着电子产品向着更小更轻薄,且功能更强大的方向发展,各种类型的高密度电路板应运而生。“全聚酰亚胺IVH结构”多层电路板成为下一代电路板的候选,该类电路板由聚酰亚胺薄膜一次压合而成,与传统的玻璃布树脂板相比有以下特点:厚度薄(六层板厚小于300μm)、低介电常数、无卤、高阻燃。其另一特点是其内部互联结构,实现各金属层间互联的过孔由激光钻产生,并填入特殊导电胶。文章考察了高低温冲击实验(-25℃/125℃)过程中孔电阻更化情况,并通过数值模拟进行了验证。 相似文献
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微波多层板层压制造技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
针对一种陶瓷粉填充、玻璃短纤维增强的聚四氟乙烯高频介质材料,制造通讯用多层微波印制电路板的工艺流程,进行了简单的介绍,此外,选用ROGERS公司和ARLON公司半固化片材料,进行微波多层印制板层压制造的工艺技术进行了较为详细的介绍. 相似文献