电解精炼制备太阳级硅杂质行为研究

在氟化物电解质体系下,把Cu与冶金级多晶硅熔配成合金作为阳极,利用杂质与硅析出电位的差别,通过控制电解工艺条件和参数,对冶金硅进行了电解精炼提纯研究.结果表明,阳极铜硅合金对硅中的杂质有滞留作用,且在大电流密度下Cu不会随着合金中硅的减少而溶解到电解质中;预电解对电解质净化效果明显,XRF分析表明P含量从10降为1ppmw;阴极电沉积的硅呈颗粒状,并与电解质混杂,随着电解时间的延长,分散的硅的颗粒聚集成1—2cm直径的大尺寸硅球.ICP-AES分析表明,最后得到的产物硅与冶金级硅相比,硼含量由12·7降低到2·2ppmw,磷含量由98·6减少到4·1ppmw,说明电解精炼除杂进行多晶硅的提纯是有效和可行的.     

测定硅原子共振谱线精细结构相对强度

原子光谱实验应主要了解谱线波长和谱线强度两个问题。前者涉及原子能级结构,后者涉及原子能级之间跃迁概率;二者紧密联系,是了解原子结构的二个方面。原理共振谱线是指从最低激发态直接跃迁到基态的谱线。硅原子基态是[Ne]3s~23p~2[~3P],三重态的最低激发态是[Ne]3s~23p4s[~3P],共振跃迁如右图所示。当精细分裂不大时,温度对ν~4影响很小,则A可视为常数。对于L→L跃迁,精细结构强度的理论计算为经计算,获得的硅原子共振线精细结构强度列表如下。     

准—维导体铊青铜的熔盐电解制备

本文详细介绍了一种用熔盐电解方法制备具有电荷密度波(CDW)传输特性的铊青铜的简便方法,生长单晶速度快,质量也较好,一般大小为4×2×1mm^3.电子探针分析表明:晶体成份为 Tl_(0.31)MoO_(3.3),与国外报道的 Tl_(0.3)M_oO_3基本一致.     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定电解金属锰中硒、铁、硅

本文采用稀硫酸溶解试样，ICP－AES法同时测定电解金属锰中硒、铁、硅，通过对溶样酸、锰基体以及背景的研究，确定了分析条件。该方法简便具有良好的精密度和准确性，相对标准偏差不大于2．68％，回收率为98％－105％。经t检验与经典法无显著性差异。     

门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质

硅烯是由单层硅原子形成的二维蜂窝状晶格结构,具有石墨烯类似的电学性质,由于硅烯中存在比较强的自旋轨道耦合而备受关注.本文利用非平衡格林函数方法研究了门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质和能带结构.研究发现,只有在较强的门电压下,而且硅烯量子线具有较好的锯齿形或扶手椅形边界而不存在额外硅原子时,硅烯量子线中才存在无能隙的自旋极化边缘态.另外,计算结果表明这种门电压控制的硅烯量子线中边缘态在每个能谷处自旋是极化的.这些计算结果将为实验上利用电场制作硅烯纳米结构提供理论支持.     

分光光度法测定纯稀土金属中微量硅

本文研究了纯稀土金属中微量硅的钼蓝测定方法,在ｐＨ＝１．２时,加入酒石酸破坏磷钼酸以消除磷的干扰,以抗坏血酸为还原剂,在λ＝８１０ｎｍ处,测定吸光度,测定浓度范围为０．０００５％￣０．０１５％。     

多孔硅的制备条件对其光致发光特性的影响

不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因。对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧化时间、溶液浓度以及自然氧化时间对多孔硅光致发光光谱的影响。认为在一定的范围内,多孔硅的发光峰位会随电流密度的增大而蓝移,要获得较强的发光,需要选择合适的电流密度;随着腐蚀时间的延长,多孔硅的发光峰位也发生蓝移。当HF酸的浓度较小时,峰位随浓度的增大表现为向低能移动;而当HF酸的浓度较大时,峰位随浓度的增大则表现为移向高能。多孔硅在空气中自然氧化,其发光峰位发生蓝移,而发射强度随放置时间的延长而降低。并用量子限制模型和发光中心模型对实验结果进行解释。     

双栅调控的硅量子线中的库仑振荡效应

基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛. 关键词： 库仑振荡 单电子效应 硅量子线     

高反射率硅基薄膜一维光子晶体的研究制备

采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法,研究制备了一种基于硅基薄膜的高反射一维光子晶体。通过交替改变反应气体组分实现低折射率Si Ox层和高折射率a-Si层的交替层叠沉积,具有两种膜层介质折射率比大、反射率高、沉积时间短、工艺窗口宽等优点。采用5周期的Si Ox层与a-Si层构成的一维光子晶体(厚度分别为155 nm和55 nm),其禁带范围内(650~1 100 nm)的平均反射率达到99.1%,高于相同波长范围内Ag的平均反射率(96.3%)。     

一步法制备多颜色荧光碳掺杂二氧化硅

报道了一种新的合成多颜色荧光碳掺杂的二氧化硅,与以往的溶胶凝胶制备方法不同,利用浓硫酸在较低温度下对正硅酸四乙酯的脱水作用,制备了粉红色的荧光产物,这说明产物在可见光区域有吸收。荧光测试表明产物表现出多颜色荧光的特性,化学分析显示产物为无定形二氧化硅,并含有少量的碳,少量的碳在产物中以C—O键和C=O的形式存在。由于掺杂在二氧化硅结构中的掺杂有C,由此导致的缺陷成为荧光中心,使产物具有较强的荧光。     

石墨炉原子吸收法直接测定高纯镍中痕量砷

本文利用石墨炉原子吸收法，在等温平台条件下直接测定了高纯镍中的痕量砷。对石墨炉加热程序中的干燥时间、灰化温度及原子化温度进行了优化，同时也考察了介质酸度的影响。试验表明：基体镍对砷的测定有显著的影响，为此对做工作曲线用的标准系列进行了基体匹配。基体镍同时在测定中也起着基体改进剂的作用。本方法的特征质量为1.9pg，相对标准偏差平均值为1．4％，加标回收率为95％－103％。     

一种轴向核苷修饰硅酞菁的合成与光动力抗癌活性

合成了一种轴向核苷修饰硅酞菁,即二[5′-(2′,3′-O-异丙基)-5-甲基胞苷氧基] 硅酞菁,并通过1H NMR和HR-MS等手段进行了表征。该化合物在N,N-二甲基甲酰胺和含1% Cremophor EL水溶液中以单体形式存在,Q带最大吸收波长分别位于676和679 nm,荧光发射峰分别位于685和689 nm。离体光动力抗癌活性表明,该化合物具有显著的光动力抗癌活性,对人肝癌细胞HepG2的半致死浓度(IC₅₀)低至7.8×10-8mol·L-1。荧光共聚焦显微镜研究显示,SiPcG可定位于细胞线粒体中。研究表明,SiPcG是一种有发展潜力的新型抗癌光敏剂。     

应用ICP-MS测定石脑油中硅的方法研究

采用优化的微波消解条件进行石脑油样品处理,应用ICP-MS对石脑油中硅含量分析方法进行了探索研究.方法的检出限为0.007μg/mL,相对标准偏差≤3.56%,样品加标回收率在92.7%-106.3%之间.该方法简便、快速,准确度高,适用于批量轻质石油样品中硅的检测需求.     

等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗

本文阐述了用等离子体发射光谱法测定单晶硅中微量锗的方法。试验了三种样品制备方法，结果表明，样品溶解于硝酸加氢氟酸中，除云硅后直接测定锗的方法最好，其检出限是0.0237μg/mL，合成样品的回收率为99.9%－100.2%，相对标准偏差小于3.6%。     

火焰原子吸收法测定工业硅中的铜

采用火焰原子吸收法测定工业硅中杂质元素铜,操作简便、快速,结果准确。     

X射线荧光光谱法测定工业硅中铁、铝、钙

通过压片法制备样片,用X射线荧光光谱法测量工作硅中铁,铝,钙,探讨了样片制备条件,并通过加入粘接剂提高了样片牢固度,用经验系数法进行元素间增强和吸收校正,经对样品制备精密度及测量准确度分析,X射线荧光光谱法测量准确度和精密度能满足传统化学法要求。     

轴向尼泊金甲酯取代的酞菁硅的合成、光谱性质和离体光动力活性

合成了一种轴向尼泊金甲酯取代的酞菁硅,即二(4-甲酯基苯氧基)酞菁硅,并通过IR,NMR,HPLC和元素分析等手段进行了表征。研究了该配合物在不同溶剂中的电子吸收光谱和荧光光谱。结果表明,它在含2%Cremophor EL,20%丙二醇的生理盐水中,以单体形式存在,Q带最大吸收位于683 nm附近,相应的摩尔吸光系数为7.47×104mol-1.L.cm-1,最大发射带位于690 nm附近,荧光量子产率为0.34,荧光寿命为4.7 ns。初步的离体光动力活性测试表明,该配合物对B16黑色素瘤细胞具有光动力灭活能力,半致死量LD50为1.2×10-4mol.L-1。     

Electrochemical behavior of Al2O3/Al composite coated Al electrodes through surface mechanical alloying in alkaline media

The behavior of $A{l}_2{O}_3/Al$ composite coated Al electrodes fabricated by surface mechanical alloying ‘SMA’ was studied. The work was accomplished using Cyclic voltammetry and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) techniques in alkaline media $2MKOH$ were done at room temperature. Results show hydroxyl ions accumulate on the surface due to Al deformation micro cavities filling with $A{l}_2{O}_3$ until full charge blockage reached. A barrier cover layer development causing an increase of both resistance and capacitance as it becomes more stable and thinner with exposure time increase. Migrating hydroxyl ion inside micro cavity changed its composition from Al₂O₃ to stable tetrahedral $Al{\left(OH\right)}_4^{?}$ aluminate ions. Therefore future benefits could be reached by developing such surfaces having charge accumulation that enables environmental interaction.     

预烧－碱熔－分光光度法测定中碳石墨中二氧化硅

本文研究了预烧－碱熔－光度法测定中碳石墨中二氧化硅的条件，确定了高温灼烧排除主体成份碳的时间，在草－硫混酸介质中，用硫酸亚铁铵还原硅钼黄，波长８１０ｎｍ处，二氧化硅含量在０．０１－０．３２ｍｇ／１００ｍＬ范围内呈良好线性，用于测定中碳石墨中二氧化硅含量，结果满意。