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相似文献
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1.
采用高温固相法合成了蓝色荧光粉KNaCa2(PO4)2:Eu2+,利用X射线衍射(XRD)和光谱技术等表征了材料的性能。结果显示,少量Eu 2+的掺入并没有影响KNaCa2(PO4)2的晶体结构。 在399nm近紫外光激发下,KNaCa2(PO4)2:Eu2+材料发 射蓝光,发射光谱为400~600nm, 主发射峰位于471nm,对应Eu2+的4f65d1→ 4f7跃迁发射;471nm发射峰,对应的激发光 谱为250~450nm,主激发峰位于399nm,与近紫外芯片匹配很好。 以365nm近紫外光作为 激发源时,KNaCa2(PO4)2:Eu2+材料的发射强度约为商用蓝色荧光粉BAM:Eu 2+的85%;而以 399nm近紫外光作为激发源时,相较于BAM:Eu2+,KNaCa2(P O4)2:Eu2+材料具有更强的发射强 度。此外,KNaCa2(PO4)2:Eu2+和BAM:Eu2+的CIE色坐标接近,均位于蓝 色区域,色坐标分别 为(0.154,0.154)和(0.141,0.112)。研究结果 表明,KN aCa2(PO4)2:Eu2+是一种在三基色白光LED中有应用前景的蓝色荧光粉。  相似文献   

2.
田少华 《光电子.激光》2015,26(10):1942-1946
采用固相法于550℃灼烧4h,合成了Eu3+ 单掺杂的NaY(MoO4)2材料,研究了材料的 发光特性。X射线衍射(XRD)结果显示,掺杂少量杂质的材料仍为纯相的NaY(MoO4)2。以 393nm波长 近紫外光作为激发源时,NaY(MoO4)2:Eu3+可以发射主峰位于616nm波长的红色光,对应Eu3+5D0-7F2跃迁发射。研究发现,增大Eu3+掺杂量 时,对应材料的发射强度会逐渐增大,但是 未发现浓度猝灭现象,通过相应的衰减曲线解释了此结果。测量不同Eu3+掺杂量下 , NaY(MoO4)2:Eu3+的色坐标结果显示,色坐标基本不变,位于红色区域。上述 结果表明, NaY(MoO4)2:Eu3+在白光LEDs领域有一定的应用潜力。  相似文献   

3.
采用水热法合成了YF3:xEu3+和YF3:0.14Eu3+,0.08Gd3+系列荧光粉。通过X射线衍 射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(EDS)、光致发光(PL)和长余辉光谱分别对样品的物相、 结构、形貌、 表面元素、PL和荧光寿命进行了表征。XRD检测表明,合成的样品属正交晶系。ED数据验 证了合成样品的表面元素组分。PL光谱测试表明,YF3:xE u3+的激发光谱由200~300nm的宽带和Eu3+ 的系列窄带激发峰组成,YF3:0.14Eu3+,0.08Gd3+的 激发光谱由200~300n m的宽带和Eu3+,Gd3+的系列窄带 激发峰组成。在319nm紫外光激发下,测得YF3:xEu3+ 材料的发射光谱为一个多峰谱,主峰位于593,3nm。 当Eu3+掺杂物质的量的浓度大于14%时,出现了浓度猝灭现象。在319nm紫外光激发下,YF3:0.14Eu3+, 0.08Gd3+的发射光谱出现Eu3+5D07F1 (593nm,橙光)、5D07F2(613nm,红光)跃迁发光峰,此时,Gd3+ 的掺杂能增强Eu3+的发光。通过色坐标分析可知,当激发波长为374nm时,YF3: 0.14Eu3+的色坐标为 (0.337,0.239),是很好的红色发光粉。对YF 3:xEu3+和YF3:0.14Eu3+ ,0.08G d3+的荧光衰减曲线的拟合证实,存在Gd3+→Eu3+的能量传递。  相似文献   

4.
王哲  崔庚彦  丁楠 《光电子.激光》2019,30(10):1038-1042
本研究通过自组装法制备得到YPO4:Ce3+ ,Tb3+ 反蛋白石光子晶体。对不同光子带隙的YPO4:Ce3+,Tb3+的发光光谱进行研 究,可以明显的看出,反蛋白石光子晶体对5D4-7F5跃 迁相对于参考样品有了很明显的抑制。通过不同Tb3+离子掺杂浓度对发射光谱和浓度 淬 灭的研究,得出随着Tb3+离子浓度的不断增加其Tb3+离子的5D 37FJ和5D47FJ窄带发射强 度逐渐增大,但其5D47F5跃迁(546 nm)的 发光寿命则逐渐减少,光子晶体相对于参考样品 对Tb3+的浓度 淬灭抑制明显。这些发现对于进一步研究稀土发光特性以及制备新型发 光器件具有很大的指导 意义。  相似文献   

5.
以无水乙醇作反应溶液,采用室温共沉淀,合成 了CaHPO4:Tb3+绿色荧光粉。用X射线衍射(XRD)、 扫描电镜(SEM)、荧光(PL)光谱、热重(TG)和差示扫描量热(DSC)等分别对所得样品的相结构、形貌、发光 性能以及热稳定性进行研究。研究结果表明,在室温条件下,得到了纯三斜相CaHPO4:Tb 3+;当烧结温度为 400℃时,开始出现相结构转变;温度升高到500℃以上时,晶相完全转变为纯四方晶系Ca2P2O7,但样 品的形貌变化很小,都为分散性比较好、尺寸分布比较均匀的纳米颗粒。同时,利用激发光 谱和发射光谱 研究了Tb3+在CaHPO4和Ca2P2O7基质中的发光性能,在波长为370nm紫外光的激发下,都观察到Tb3+的特 征跃迁(5D47FJ,J=3~6),其中以5D47F5 跃迁发射(544nm)为主,而且CaHPO4:Tb3+的发光强度要明 显强于Ca2P2O7:Tb3+。  相似文献   

6.
报道了一种应用于激光测距的Er3+,Yb3+:glass/Co2+:MgAl2O4复合材料LD泵浦的被动调Q微型激光器。 采用玻璃与晶体复合技术,将增益介质Er3+/Yb3+共掺 磷酸盐玻璃和被动调Q可饱和 Co2+:MgAl2O4晶体进行了光学热复合,复合材料会降低增益介质内部的温度梯度 ,使热焦距变长,模体积 增加,激光光束质量提高;另外,复合材料使腔内损耗减小,腔内的粒子数密度提高,脉宽 变窄,输出能 量增加,从而激光器性能得到提高。在重复频率为10Hz情况下,采 用中心波长为940nm的单管LD作为泵 浦源,获得单脉冲能量为210μJ、脉冲宽度为2.8ns,峰值功率大于70kW的波长为1.5 μm的被动调Q激光输出,光束质量为1.2  相似文献   

7.
利用高温固相法成功合成了非稀土类红色荧光粉 Mn4+:Li2TiO3,并对所制得的样品进行X射线衍射(XRD)、吸收谱和荧光发射谱等 表征。在波长为475nm的LED蓝光照射时,获得了最大强度位于〖J P 〗682nm波长处的红色荧光,量 子效率约为10%,其对应Mn4+自旋2Eg→4A 2g。计 算了晶体场强度因子Dq和Racah参数B、C,并据此分析了Mn4+在Li2TiO3中的电 子云重排效应。通 过改变掺杂浓度,分析了Mn4+掺杂在Li2TiO3中的浓度淬灭效 应。最后进行了LED白光性能 测试。  相似文献   

8.
采用高温固相反应合成了适合近紫外光-蓝光激 发的K2MgSiO4:Eu3+红色荧光粉,并对其发光特性进行了研究。X射线衍 射(XRD)测试结果表明,合成样品为纯相晶体。样品激发光谱由O2-→Eu3+电 荷迁 移带波长为(200~350nm)和Eu3+的特征激发峰(波长为350~500nm) 组成,主峰位于396nm波长处,次级峰位于466nm波长处。在396nm和466nm波长分别激发 下,样品发射峰均由Eu3+5D07FJ(J=0,1,2,3,4)能级跃迁产生,其中619nm波长处发射强度最大。 随着Eu3+掺杂浓度的增加,荧光粉的发光强度增大。在实验测定的浓度范 围内,未出现浓度猝灭现象。样品的色坐标位于红光区,且非常接近NTSC标准。样品发光强 度随温度增加出现温度猝灭现象,发 射峰位置并未出现明显红移。样品中,Eu3+5D0能 级上的荧光寿命约为0.535ms。  相似文献   

9.
采用Gd2O3,Yb2O3,Er2O3,HNO3,CO(NH2)2和C 12H25SO4Na为实验原料,通过水热法合成了纳米Gd2O3:Yb3+,Er 3+上转换发光粉体。通过X射线衍射(XRD )、差示扫描量热 -热重分析(DSC-TGA )、傅里叶变换红外光谱(FT-IR ) 、透射电子显微镜(TEM )和 上转换发射光谱(UCL )等对样品进行表征。研究结果表明:CO(NH2)2与Gd 3+ 离子的摩尔比m影响前驱体的组成,当m=4时,前驱体是由晶态的 Gd2(CO3)3·xH2O构成。该 前驱体在空气气氛下800℃煅烧2h可获得单相的Gd2O3纳米粉体 ,粉体呈近球状,平均粒 径约为30~40nm。上转换发光光谱表明,在980nm波长红外光激发下,Gd2O3:Yb3+,Er3+的主发射峰 位于664nm波长处,呈红光发射,对应于Er3+4F9/2→4I15/2跃迁。在波长为539 nm和562nm附近呈现绿光发射,分别对应于Er3+2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2跃迁。Er3+的猝 灭浓度为1%。800℃煅烧合成的Gd2O3:Yb3+,Er3+ 纳米粉体的上转换发光机制为双光子模型, 而1200℃煅烧合成的Gd2O3:Yb3+,E r3+纳米粉体的上转换发光机制则为三光子模型。  相似文献   

10.
王飞  田一光  张乔 《光电子.激光》2015,26(8):1520-1525
采用高温固相法制备了Sr1-x Al2Si2O8:Eu3+ x,Li+0.03系列红色荧光粉,研究了试样的晶体 结构和发光性质。合成的试样均为纯相的SrAl2Si2O8晶体,单斜晶系,空间群为 C2/m(12); Eu3+和Li+进入基质晶体中,使得SrAl2Si2O8晶胞参数a、b和c 略微减小,只引起了晶体结构轻 微的畸变。试样的激发光谱由位于220~580nm波长的一个宽激发带 和一组锐线峰构成,其中 395nm波长处Eu3+7F05L6激发峰的强度最强。发射光谱位于550~750nm波长范围内呈现多 条锐 线发射,其中595nm和615nm波长处发射峰最 强,分别归属于Eu3+5D07F1磁偶极跃迁和5D 07F2电偶极跃迁。研究了Eu3+浓度对荧光粉发光性能的影响, 结果表明,随着Eu3+浓度的增 加,发光强度先增加后减小,最佳掺杂量为0.03,而对试样的色坐标 几乎没有影响;该系列荧光粉浓度淬灭机理为电偶极–电偶极(d-d)相互作用。  相似文献   

11.
采用水热法,合成了YPO4:xDy3+,0.06Eu3+系列荧光粉。通过X射线衍射(XRD )、扫 描电子显微镜(SEM)、电子散射能谱(EDS)、光致发光(PL)谱和长余辉光谱,分别对样品的物 相、结构和PL进行了表征。 XRD检测表明,合成的样品属四方晶系;荧光光谱测试表明,在234nm紫外光激发下, YPO4:xDy3+,0.06Eu3+的 发射光谱呈现Eu3+ 的5D07F1(592nm,橙光)和 5D07F2(618nm,红光) 的发光峰;而在354nm的激发波长下,YPO4:0.06Dy3+,0.06Eu3+的发射光谱 呈现Dy3+的4F9/2→6H15/2(486nm、蓝 光)和4F9/2→6H13/2(575nm、黄光)的发光 峰,以及Eu3+5D07F1(592nm、 橙光)和5D07F2(619nm、红光 )的发光峰。对荧光 衰减谱的双参数拟合证实了Dy3+→Eu3+能量 传递的存在。色坐标图显示,在234nm紫外光激发下,YPO4:0.05Dy 3+,0.06Eu3+ 是很好的近紫外光激发下的白色荧光粉。  相似文献   

12.
王飞  田一光  张乔 《光电子.激光》2013,(12):2349-2354
采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ba0.955Al2Si2-xGexO8∶E u2+(x=0.0~1.0)系列荧 光粉,研究了Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类 质同相替代Ba长石(BaAl2Si2O8) 晶格中的Si4+形成连续固溶体,晶胞参数a、b、c、β和晶胞体积V随Ge4+置换量呈线性递 增。荧光激发谱为宽带,位于230~400nm处,可拟合成4个峰,最大 峰值位于332nm;随着 Ge4+置换量的增加,半高宽(FWHM)从93nm减小到80nm。发射光谱位于375~600nm,可由422nm 和456nm两峰拟合而成,最大峰值位于434nm;随着Ge4+置换量Si4+进入基质晶格,造成 Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道 能级分裂变大,最低发射能级下移,两拟合峰均线性红移。  相似文献   

13.
采用高温固相反应法制备了CaSi2O2N2:C e3+/Eu 2+荧光粉,研究了分别掺杂Ce3+、Eu2+及Ce3+/Eu2+共掺 杂时荧光粉 的发光特性。CaSi2O2N2:Ce3+在333 nm激发下得到宽波段的发射谱,发射峰 位于395nm,随着Ce3+浓度的增大,发 射波长出现明显的红移,猝灭浓度为1mol%。CaSi2O2N2:Eu2+在397nm激发下得到峰值位于540nm处的宽波段发射谱, 猝灭浓度为1mol%。对于Ca0.99-2xSi2O2N2:xCe 3+,xLi+,0.01Eu2+荧光粉,在333nm激发下,位于395nm处的发射峰十分微 弱,在540nm处有宽带发射,随着Ce3+浓度增大,位于540nm处的Eu2+的特征 发射显著增强。对于Ca0.98-ySi2O2N2: 0.01Ce3+,0.01Li+,yEu2+荧光粉,在激发光波长 为333nm,Eu2+浓度较低时,可以观察到两个发射带,峰值分 别位于395nm及540nm,随着Eu2+浓度增加,位于395nm的 发射强度一直减小,而540nm处的发射强度先增加后减小,猝灭浓 度为0.4mol%。证实了Ce3+,Eu2+之间发生了有效的能 量传递。计算出Ce 3+、Eu2+之间能量传递的效率ηT,在Eu2+浓 度为 1mol%时ηT趋于饱和,达到97.7%。通过计算,得到Ce3+ 与Eu2+之间的能量传递方式为电偶极-电偶极相互作用。  相似文献   

14.
该文采用固相法制备了BaSm0.2Ti(4+x)O(9.3+2x)(x=0~0.6为摩尔分数)陶瓷,研究了不同x值对陶瓷相组成、显微结构和微波介电性能的影响。结果表明,在0≤x≤0.6时,随着x的增大,介电常数εr变化较小,品质因数与频率之积(Q×f)和频率温度系数τf均随x的增大而减小。当x=0.5时,可获得介电性能优异的BaSm0.2Ti(4+x)O(9.3+2x)陶瓷:εr=46.9,Q×f≈18 237 GHz,τf≈2.2×10-6/℃。  相似文献   

15.
荧光粉Sr2SiO4:Eu2+中不同格位发光研究   总被引:6,自引:6,他引:0  
采用高温固相反应法制备了Sr2SiO4:xEu2+荧光粉,研究Eu2+所占据的 Sr2SiO4中Sr1和Sr2两个不同格位及掺杂浓度和激发波长对格位发光的影响。荧 光粉发射光谱为一双峰的宽发射光谱,可拟合为峰值位置位于480nm 和530nm的两条高斯曲线,分别对应Eu2+所占据的Sr1和Sr2两 个不同格位的发射。随着 Eu2+掺杂浓度增加,Sr1和Sr2格位的发光强度均出现浓度猝灭现象,Sr2格位的 长波长发射峰出现明显红移现象,而Sr1格位的短波长发射峰发生红移-蓝移-红 移现象,这与Sr1和Sr2格位的优先占据以及格位间能量传递有关。随着激发波 长的增加,Sr2格位的长波长发射的发光强度与Sr1格位的短波长发射的发光强 度比值增加,占据不同格位的Eu2+对不同激发波长表现出明显的选择激发效应。  相似文献   

16.
分别采用旋涂法和水热法在FTO衬底上制备Co3O4种子层和Co3O4薄膜,再在Co3O4薄膜上水热生长Fe2O3纳米棒,获得了高质量的Co3O4/Fe2O3异质结复合材料。通过改变Fe2O3前驱体溶液浓度来改变异质结复合材料中Fe2O3组分的含量。结果表明,Fe2O3纳米棒覆盖在呈网状结构的Co3O4薄膜上,随着Fe2O3前驱体溶液浓度即Fe2O3组分含量的增加,Co3O4/Fe2O3异质结复合材料对紫外光的响应逐渐增强,当Fe2O3前驱体溶液浓度为0.015mol/L时,异质结复合材料有着很好的光电稳定性,并表现出较高的响应率(12.5mA/W)和探测率(4.4×1010Jones)。  相似文献   

17.
采用高温固相反应法制备一种白光发光二极管(LED )用黄色荧光粉Li2Sr(1-x)SiO4:xEu2+, 研究测试温度和退火温度对Li2Sr(1-x)SiO4:xEu2+荧光粉发光性能的影响。实验发现,对于 不同掺杂浓度的样品,在不同测试温度下,经过热处理后的样品与未处理样品相 比,激发和发射光谱强度得到普遍提高,原因是热处理后晶体结构的完整性得到 提高。在变温测试下,Li2Sr(1-x)SiO4:xEu2+的发光性能总体是随着测试温度升高而 下降,但在短波长(500~550nm)范围内的发光性能随着温度升高 而增强。分析表明,这与Li2SrSiO4基质材料的晶体结构和掺杂元素有关。  相似文献   

18.
采用水热法结合H2SO4浸泡处理成功合成了SO2-4/Bi2O3可见光催化材料, 并采用XRD、TG DTA和UV Vis等对合成产物的物相结构、热化学性能、光吸收性能以及可见光催化性能进行了研究, 对H2SO4浸泡工艺条件对产物的可见光催化性能的影响进行了探讨。研究表明, 水热合成产物为α-Bi2O3、Bi2O4和Bi2O2CO3的混合物, 其中α-Bi2O3为主要成分;H2SO4浸泡处理并未改变产物的物相结构, 但经H2SO4浸泡处理后产物的光催化性能得到了显著的提高, 并且H2SO4浸泡工艺条件对产物的光催化活性有着重要的影响。在实验范围内, 在浓度为0.5mol·L-1的H2SO4溶液中浸泡75min, 再经700℃热处理4h可制备出具有较佳光催化活性的产物, 经75min可见光的照射后对甲基橙溶液的光催化脱色率可达93.1%。  相似文献   

19.
用高温熔融法制备了摩尔组分百分比为75TeO2- 10Nb2O5-10ZnO-5Na2O-0.5Er2O3-xCe2O3(x=0.00、0.25、 0.50、0.75、1.00)的碲酸盐玻璃样品。测量了玻璃样品的吸收光谱、上转换 光谱、拉曼光谱和 荧光光谱。结合Judd-Ofelt(J-O)理论计算了玻璃样品的强度参数Ωt(t=2、4、6)、自发辐射跃迁几率A、荧光分支比β和辐射寿命 τrad,并用McCumber理论计算得到了Er3+的受激发射截面。比 较了玻璃样品中Er3+的放大器带宽 品质因子(σpeake×FWHM)和增 益品质因子(σpeake×τm),分 析了Er3+/Ce3+间能量转移(ET)机 理以及Ce3+对上转换发光的抑制作用。研究表明,适量Ce3+的引入对于掺Er 3+碲铌锌钠玻璃的光谱特性有一定的提高作用。  相似文献   

20.
该文采用传统固态反应法制备了Ca1-x(Li0.5Ce0.4Pr0.1)xBi2Ta2O9(x为摩尔分数)陶瓷,研究了(Li0.5Ce0.4Pr0.1)2+复合离子不同掺杂浓度对陶瓷结构和电学性质的影响。结果表明,在选定浓度范围内,(Li0.5Ce0.4Pr0.1)2+复合离子改善了CaBi2Ta2O9基陶瓷的压电活性与高温下的直流电阻等特性。当x=0.08时,陶瓷具有最佳综合性能,即压电常数d33=10.3 pC/N,居里温度TC=928 ℃,直流电阻率ρ=1.12×106 Ω·cm(650 ℃),介电损耗tan δ=0.026(1 MHz,650 ℃)。  相似文献   

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