聚酰亚胺薄膜厚度均匀性分析

聚酰亚胺薄膜(Polyimide Film),简称PI薄膜,是世界上最好的绝缘类高分子材料,本文简单论述了聚酰亚胺薄膜的生产工艺,并重点分析了厚度均匀性对薄膜力学性能、电气性能的影响以及测试和改进方法。     

薄膜均匀性的有限元算法

应用有限元方法模拟计算了镀膜系统平行平面转盘在不同转速以及不同的镀膜时间下波分复用(DWDM)系统介质滤光片的成膜均匀性。结果表明,针对不同的膜料,合理选择转速和控制镀膜时间能够提高薄膜成膜的均匀性。     

PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究

针对用于制备非晶硅薄膜的PECVD设备反应室的流体场进行了模拟仿真,并实验制备了相对应条件下的非晶硅薄膜,利用台阶仪完成了对薄膜厚度的测量,对比仿真结果,发现薄膜的厚度分布情况与基片表面附近的气流分布情况密切相关,获得均匀性优于2.5％非晶硅薄膜.     

离子束溅射沉积设备制备薄膜均匀性研究

针对离子束溅射沉积设备薄膜均匀性问题,采用理论分析计算和试验相结合的方法计算了薄膜厚度的分布差异,由此设计出修正板外形.实验结果表明,修正后的薄膜均匀性从32％提高到了1.7％.     

一种用于检测薄膜均匀性的光谱方法

介绍了一种新的简单有效的薄膜均匀性信息获取方法,该方法基于我们先前提出的纳米薄膜厚度精确测量方法,它通过检测镀制在含有过渡层的衬底上不同位置的薄膜的光谱,并由其干涉峰间的差异获取薄膜的均匀性信息.与传统方法相比,该方法无需直接测量薄膜的厚度,减少了测量膜厚带来的误差和影响,因而可以快速得出薄膜均匀性结论.该方法操作方便...     

CeO_2薄膜负非均匀性的实验抑制及其分析

应用膜系设计软件模拟CeO2的负非均匀性对增透膜光谱特性的影响.研究发现:CeO2薄膜的负非均匀性使多层增透膜的反射率增大,使整个反射光谱曲线朝长波方向漂移,从而导致整个膜系的光谱特性偏离理想情形.为此,向CeO2中掺入3种质量比的TiO2来克服其负非均匀性.实验结果表明:CeO2薄膜的负非均匀性与TiO2的掺入比例、基片温度和真空度有关.在一定温度下,要克服CeO2的负非均匀性,对较低的真空度,倾向于掺杂的TiO2越多越好;对较高的真空度,倾向于掺杂的TiO2越少越好.     

反应室结构与工艺参数对光CVDSiO2薄膜均匀性的影响

本文从反应室的几何结构出发初步讨论了气体流型对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响并初步讨论了反应室压力、气体流量对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响.     

反应室结构与工艺参数对PVDSiO2薄膜均匀性的影响

本文根据气流模型研究了反应室结构与光激发汽相淀积(PVD)SiO_2薄膜均匀性的关系,并且讨论了工艺参数对PVD SiO_2薄膜均匀性的影响。     

液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性的研究

用水平推舟液相外延的方法，以CdZnTe作衬底，固态HgTe作为Hg补偿源，从富Te-HgCdTe溶液中外延生长大面积HgCdTe薄膜。通过选择合适的温度控制和生长速率，获得组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜。     

半球陀螺金属化膜层的均匀性模拟分析

该文将光学模拟技术与镀膜工艺结合,采用光线追踪程序来模拟溅射粒子在振子表面膜层的分布状态。通过模拟和相关实验验证,当设备相对角度β=10°、φ=60°时,振子表面膜层的均匀性最高,模拟值与实际测试值匹配度较好,误差在7%以内。     

LED视角亮度关系及其对显示屏亮度均匀性的影响分析

LED显示屏的均匀性有诸多因素决定,其中亮度均匀性是影响视觉效果的最主要因素。在分析亮度均匀性的过程中发现,LED管发光特性所决定的其在沿光轴方向上光强最强,沿发光面向四周光强逐渐减弱,因此,以LED管为基本像素构成的LED显示屏在法线方向上的亮度也最高,当偏离法线方向时亮度会不同程度的降低,这样由于LED管的性能参数及制造工艺等的影响使LED显示屏出现麻点、马赛克等亮度不均匀现象。本文以LED单管和单元箱体为研究对象,通过实验得出了LED视角与亮度的变化关系,深入分析了影响LED显示屏亮度均匀性的原因,并对亮度数据的采集方法以及生产过程中须注意的问题提出了相关建议。     

VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜，研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明：气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响；材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀，在将材料应用于器件上时，必须要考虑优化合适的工艺条件；硅烷浓度大，相应制备薄膜的晶化程度减弱，即薄膜中非晶成分增多。     

大面积PbS光导薄膜制备工艺优化

对化学沉淀法制备的PbS薄膜,通过优化沉淀方法、敏化过程,改善了PbS薄膜成分和形貌的均匀性.由改进后的薄膜所制备的光导PbS探测器,在大尺度(25mm)光敏元尺寸下,光电响应的不均匀度由改进前的±50%减小为±25%.     

锑化铟晶片的电学均匀性研究

锑化铟焦平面探测器是红外成像系统的重要组成部分,对红外成像的成本和性能都有重要影响。锑化铟晶片的质量及均匀性决定了探测器的性能。通过霍尔效应测试、低温探针法以及微波光电导衰退法研究了锑化铟晶片的电学性能均匀性。结果表明,所制备的锑化铟晶片的载流子浓度和电子迁移率的面分布较均匀,但低温电阻率以及少子寿命的分布呈现较小的非均匀性变化,这主要与锑化铟生长过程中的杂质分凝有关。     

变温LPCVD沉积氮化硅薄膜的均匀性优化

以低压化学气相沉积(LPCVD)热壁立式炉为实验平台,由二氯硅烷和氨通过LPCVD工艺合成氮化硅薄膜,利用降温成膜提高氮化硅薄膜的膜厚均匀度.基于气体碰撞理论建立了氮化硅薄膜沉积速率与反应气体浓度的关系式.分析比较了LPCVD炉内不同升温速率沉积氮化硅薄膜的表面性能.发现在变温沉积阶段,选择合适的降温速率是实现薄膜沉积...     

Uniformity of Electrical Parameters on MCT Epitaxy Film

For Hall measurement under different magnetic fields at LN2 temperature, Hg1-xCdxTe (MCT) film (radius 1 cm) grown on CdTe substrate by LPE is photoengraved into many small Van Der Pauw squares, then their Hall coefficients and mobilities are measured and analyzed, respectively. Two films were Hall-tested during the temperature range from LHe 4. 2K to about 200K. An actual impression on the uniformity of electrical parameters for MCT film can obtained by means of the methods presented in this paper.     

用椭圆偏振测量法分析碲镉汞的组分及其均匀性

简略介绍了椭偏仪的测量原理和测量装置。分析了Hg1-xCdxTe(MCT)的 组分与椭偏仪的参数Δ和ψ之间的关系,结果发现碲镉汞的组分x主要与椭偏仪的参数ψ有关,而且x与ψ的经验关系为ψ＝14．84－10.22x。最后椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。该方法具有非破坏性、有效、快捷的特点。