BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型的应用

对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了BaTiO₃半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对BaTiO₃半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为BaTiO₃半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础     

半导体陶瓷温度传感器原理及其应用

半导体陶瓷是近二十多年才发展起来的一类新型电子陶瓷，它具有许多其他材料所不及的优点． 利用半导体陶瓷优良的半导电性可以制作许多性能良好的传感器．本文着重介绍了ＢａＴｉＯ３系和 　　　　　　　　系ＰＴＣ 热敏电阻器及过渡金属氧化物系ＮＴＣ 热敏电阻器的主要特性参数，导电机理 和在工农业及家用电器中的应用实例．     

晶粒尺寸对BaTiO_3居里温度的影响

晶粒尺寸对ＢａＴｉＯ＿３居里温度的影响孟进芳，黄亚彬，张伟风（河南大学物理系开封４７５００１）ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＧｒａｉｎＳｉｚｅｏｎＣｕｒｉｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆＢａＴｉＯ＿３￥ＭｅｎｇＪｉｎｆａｎｇ；ＨｕａｎｇＹａｂｉｎ；ａｎｄＺｈａｎｇＷ...     

四方相BaTiO_3及BaTiO_3：Ce的拉曼散射特性研究

四方相ＢａＴｉＯ＿３及ＢａＴｉＯ＿３：Ｃｅ的拉曼散射特性研究王瑞敏，赵铁男，刘竟青，朱恪，朱镛，吴星，林筠（中国科学院物理研究所北京１０００８０）（陕西师范大学物理系西安７１００６２）（中国地质大学北京１０００８１）本文报道了在室温下ＢａＴｉＯ＿３及...     

PTC材料的特性及其应用

 早在１９５５年Ｗ．Ｈａａｙｍａｎ等人发现,在高纯ＢａＴｉＯ３陶瓷中加入微量稀土氧化物如五氧化二铌、三氧化二钇等,其室温下的电阻率将大幅度下降;并且发现某一温度范围内,其电阻率可增高几个数量级,由此开拓了ＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ正温度系数）材料的广泛应用．随着ＰＴＣ热敏电阻商品化,有关理论的研究工作也得到不断地发展．目前,人们普遍认为,ＰＴＣ效应与晶界势垒的高度与介电常数有关．在居里点以下,介电常数很大,晶界势垒很低．在居里点以上,介电常数变小,使晶界势垒急剧升高,导致电阻率增加了几个数量级．     

四方相BaTiO_3及BaTiO_3∶Ce的拉曼散射特性研究

本文报道了在室温下ＢａＴｉＯ３及ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼谱的特点，着重讨论了前向散射配置下两个１Ｉ（ＴＯ）模（位于２７５ｃｍ－１和５１６ｃｍ－１左右）出现在Ａ１（ＴＯ）谱中的原因。通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射面对入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射信号后，两个宽峰基本减掉，而掺Ｃｅ后经同样扣除背向散射信号两宽峰却依然很强。这样便证明了它们在前向散射中的出现与杂质有关系。在ＢａＴｉＯ３扣除背向散射后的谱中，还首次观察到一个位于４９２ｃｍ－１的峰。掺Ｃｅ后晶体的吸收曲线有很大变化，本文还讨论了吸收对散射强度的影响。     

相方相BaTiO3及BaTiO3：Ge的拉曼散射特性研究

本文报道了在室温下ＢａＴｉＯｅ及ＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼谱的特点，着重讨论了前向散射配置下两个Ａ１（ＴＯ）模（位于２７５ｃｍ＾－１和５１６ｃｍ＾－１左右）出现在Ａ１（ＴＯ）谱中的原因，通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射两对入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射面对人入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射信号后     

动态MOCVD法在Ag／Ni复合基体上连续制备YBCO超导带

本报道用ＭＯＣＶＤ方法在以１５ｃｍ／ｈｒ速度连续走带的Ａｇ／Ａｉ复合基体上制备ＹＢＣＯ超导带的结果。所有ＹＢＣＯ超导带的Ｊｃ值为１．３×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２；样品主相为ＹＢＣＯ１２３，呈强烈ｃ－轴取向，其衍射峰的摇摆曲线半高宽约为２．８°；另外，还含有少量Ｙ２ＢａＣｕＯ５和ＢａＣｕＯ２杂相，本还用ＳＥＭ和ＥＤＸ对样品沉积层进行了观测分析。     

YBa2Cu3O6+δ/BaTiO3系复合功能陶瓷特性研究

报道了超导陶瓷ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_6+δ与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ₃进行复合的结果。研究了该复合功能陶瓷的物相、（超）导电性和低温电阻温度特性。结果表明，采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料；该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为，发现在较高ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_6+δ含量时，样品呈超导电性，并对此作了初步讨论。 关键词：     

水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究(Ⅱ)生长基元稳定能计算及晶粒的成核与生长

报道了ＢａＴｉＯ３晶粒生长基元稳定能计算的结果，并以此说明了水热条件下ＢａＴｉＯ３晶粒成核及生长过程     

积分球腔内BaTiO3：Ce晶体的自泵浦相位共轭增强现象的观测

报道了聚四氟乙烯积分球腔内光折变晶体ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ在Ｈｅ－Ｎｅ激光作用下产生自泵浦相位共轭的增强现象，并对实验结果进行了分析。     

双光折变晶全半线性相位共轭器的自脉动

在由两声光折变ＢａＴｉＯ３晶体（其中一块晶体为一内反射式自抽运相位共轭镜工作方式，起外反射镜作用）构成的半线性自抽运相位共轭吕中观察到了相位共轭光的自脉动现象。自脉动的平均频率ｆ与入射光功率Ⅰ０的关系为ｆ∞Ⅰ０＾１．４３；相位共轭光的平均维持时间ΔＴ与入射光功率Ⅰ０近似成反比。观察到光折变ＢａＴｉＯ３晶体蝇扇形散射光具有动态的空间结构，扇形散射光的这种特性是引起上述半线性自抽运相位共轭器中相位共轭     

Ce:BaTiO3晶体电光和二倍频系数的拉曼散射测量

从极性晶体晶格振动的理论出发,推导出正交系以上晶系的晶体的拉曼散射效率与晶体电光系数和二倍频系数的关系,测量了Ｃｅ：ＢａＴＩＯ３和ＢａＴｉＯ３晶体各纵、横模的偏振拉曼谱。在此基础上,计算出这两种晶体的电光系数ｒ３３、ｒ５１和二倍频系数ｄ３３、ｄ１５。结果表明：掺微量Ｃｅ元素对ＢａＴｉＯ３晶体电光系数和二倍频系数影响不大。     

核磁共振YBCO表面探测线圈的设计与制备

本文采用２０×２０ｍｍ的ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３薄膜,采用传统的光刻技术制备出了可用于探测核磁共振的超导线圈．并且在７７Ｋ的低温下测量的其ｆ０及Ｑ值．其ｆ０为３５２ＭＨｚ,Ｑ值为１５０．本文还介绍了器件的设计和分析考虑、器件的加工工艺及实验结果讨论     

激光分子束外延制备的BaTiO3及c取向YBa2Cu3O7-δ薄膜的生长模式

用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ） 和原子力显微镜（ＡＦＭ） 研究激光分子束制备的铁电ＢａＴｉＯ３ 和高Ｔｃ 超导ｃ 取向Ｙ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７ 薄膜的生长模式,ＢＴＯ 铁电薄膜是原子级平整的层状生长模式;ｃ 取向ＹＢＣＯ 超导薄膜是ＳＫ生长模式 当薄膜厚度小于５ 个原胞时,层状生长,然后是台阶岛状生长．处理ＳｒＴｉＯ３ 基片表面可以改变ｃ 取向ＹＢＣＯ薄膜的生长模式     

一种简单的背散射处理方法

阐述了利用离子束分析技术分析高温超导氧化物陶瓷Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ中各成分含量的一般原理，运用ａ粒子在３．０４５ＭｅＶ附近的Ｏ的弹性共振背散射以及卢瑟背散射，得到了Ｙ－Ｂａ－Ｏ各成分的含量，并与质子Ｘ射线荧光分析的结果作了比较，提出了一种简单的背散射处理方法，该方法具有简单，快速，精度高等优点。     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

长寿命导H^＋全固态电致变色器件的研究

研究了导Ｈ＾＋离子全固态电致变色器件性能退化摧在机制，发现有两个因素导致器件性能退化，在器件褪色过程中，存在于ＷＯ３薄膜中的水份将导致ＯＨ＾－在ＷＯ３中积累而在其中产生碱性环境，ＷＯ３溶于碱性环境而生成钨酸盐，在较高电压作用下Ｈ２Ｏ电解释放出气体Ｈ２和Ｏ２而使膜层剥落，通过改进器件结构和改善制备工艺条件，获得了光学密度高达０．５，着色／漂白（Ｃｏｌｏｒ／Ｂｌｅａｃｈ）循环次数高达１０＾６以上的性能     

陶瓷厚膜电致发光器件的电致发光特性研究

研制了以四元系组分ＰＭＮ－ＰＴ－ＰＦＮ－ＰＣＷ陶瓷厚膜为绝缘层的无Ｙ２Ｏ３介质层和有Ｙ２Ｏ３介质层两种结构的电致发光器件,并对陶瓷厚膜的制备民厚膜厚度等对陶瓷厚膜电致发光器件电致发光特性的影响进行了深入的研究。     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。