第一个和铅连接的三重键

科学家最近找到了一种有潜在应用前景的成本较低而且实用的制备半导体薄膜的旋涂法。在较大面积上沉积半导体薄膜，如制造用于显示器和太阳能电池等的薄膜的工艺中，溶液处理法被认为是一种方便易行的方法。     

锗电极的阳极反应

随着半导体工业的发展,半导体器件在国民经济各个方面得到了日益广泛的应用。目前,表面性质对半导体器件的重要意义已经被肯定了;表面处理方法显著地影响着器件的各种电学参数和器件的稳定性,和这种实用目的有关。近十年来,半导体表面化学和半导体电化学的研究十分活跃,并已有专著问世。半导体工     

二维半导体合金的制备、结构和性质

原子层厚度的二维半导体材料因具有特殊的低维效应而被广泛研究. 面向光电器件应用, 需要可控调节二维半导体材料的能带结构, 包括带隙、价带/导带位置等. 合金方法是一种调控半导体能带的通用方法. 本综述介绍了近几年来二维半导体合金材料的研究进展, 包括材料的热力学稳定性、可控制备、结构表征和性质研究. 介绍的材料体系是过渡金属二硫族化物的单层合金材料, 金属元素主要是第六副族的Mo和W, 硫族元素主要是S和Se.     

不同浓度比的硫酸根和氯离子溶液中钝化膜的半导体特性转变机制研究

800合金作为核电站蒸汽发生器的一种关键材料,服役环境下其表面钝化膜的特性一直是人们研究的热点. 本文用Mott-Schottky方法研究了800合金在不同硫酸根离子和氯离子浓度比的溶液中钝化膜的半导体特性,并结合电化学阻抗谱（EIS）、扫描电镜（SEM）、扫描电化学显微镜（SECM）研究了钝化膜的耐蚀性和表面活性. Mott-Schottky结果表明,800合金表面钝化膜的半导体特性与溶液中硫酸根、氯离子的浓度比有关,随硫酸根与氯离子浓度比的降低,半导体特性发生转变. 当硫酸根与氯离子的浓度比较高时,钝化膜为p型半导体;而当硫酸根与氯离子的浓度比较低时,钝化膜为n型半导体. EIS、SECM、SEM结果表明,随浓度比的降低钝化膜由过钝化溶解转为明显的点蚀特征,钝化膜表面活性增加. 钝化膜特性的改变与其半导体类型的转变密切相关,而半导体特性的转变由氯离子、硫酸根离子在800合金钝化膜表面的竞争吸附所致,其在表面的竞争吸附直接影响钝化膜表面发生的化学反应,改变电极/溶液界面电势差,使钝化膜中的空位类型改变,最终决定半导体类型.     

不同浓度比的硫酸根和氯离子溶液中钝化膜的半导体特性转变机制研究

800合金作为核电站蒸汽发生器的一种关键材料,服役环境下其表面钝化膜的特性一直是人们研究的热点.本文用Mott-Schottky方法研究了800合金在不同硫酸根离子和氯离子浓度比的溶液中钝化膜的半导体特性,并结合电化学阻抗谱(EIS)、扫描电镜(SEM)、扫描电化学显微镜(SECM)研究了钝化膜的耐蚀性和表面活性.Mott-Schottky结果表明,800合金表面钝化膜的半导体特性与溶液中硫酸根、氯离子的浓度比有关,随硫酸根与氯离子浓度比的降低,半导体特性发生转变.当硫酸根与氯离子的浓度比较高时,钝化膜为p型半导体;而当硫酸根与氯离子的浓度比较低时,钝化膜为n型半导体.EIS、SECM、SEM结果表明,随浓度比的降低钝化膜由过钝化溶解转为明显的点蚀特征,钝化膜表面活性增加.钝化膜特性的改变与其半导体类型的转变密切相关,而半导体特性的转变由氯离子、硫酸根离子在800合金钝化膜表面的竞争吸附所致,其在表面的竞争吸附直接影响钝化膜表面发生的化学反应,改变电极/溶液界面电势差,使钝化膜中的空位类型改变,最终决定半导体类型.     

检驗半导体材料导电类型的几种化学处理法

近些年来,半导体在科学技术中有着广泛的应用,半导体工业获得了飞跃的发展。随着半导体工业的发展,对半导体材料的貭量检驗提出了更高的要求,要求有更多、更方便和更准确的方法來检驗它的貭量。检驗半导体材料貭量的重要任务之一,是检驗它的导电类型的单一性。一般常用探針法来确定半导体材料锗和硅的导电类型。但这些方法具有一定的局限     

化学简讯

制造复合半导体材料的新方法东京大学和东京理工学院的科学家们研究了一种有效的制造复合半导体材料的新方法。传统方法是在基体上一层一层地将物质沉积上去的,而M.Kawasaki及其同事报导的新方法却可以在反应室中同时引入生     

用来制造半导体的硅

半导体元素——锗和硅——在新技术的发展上是非常重要的,这就引起了广大读者对这些元素的制取和利用途径方面的兴趣。这些元素的半导体性能因杂质的多寡和杂质的类型而变。杂质的影响极大,10~7—10~8个原子中有一个杂质原子就会增加了半导体的导电率。这就是说,有待科学家研究出半导体元素的有效纯化法以制出高纯度的半导体材料。半导体已经知道的和预期的用途在报章杂志上已经谈得相当详细了,但是关于制取半导     

高性能双极性聚合物半导体材料与晶体管器件

有机聚合物半导体材料与晶体管器件是融合了化学、材料、半导体以及微电子等学科的前沿交叉研究方向.聚合物半导体材料分子是该领域研究的重要内容,其中双极性聚合物分子半导体材料,兼具了电子和空穴的双重载流子输运能力而受到学术界的广泛关注.本文总结了双极性聚合物半导体材料与器件的研究进展,重点介绍了我们在D-A型双极性聚合物分子半导体材料设计、加工技术与器件制备以及功能应用方面的研究工作,并论述了双极性聚合物分子半导体材料与器件研究过程中存在的科学问题及发展方向.     

离子注入法在表面化学研究中应用的新进展

一、引言离子注入法(Ion Implantation)是半导体材料掺杂工艺中常用的一种手段,特别是制作大规模集成电路,这是一种必不可少的方法。然而,近年来,这一方法已逐渐从半导体工艺中延伸并转移到了其他学科领域。尤其在固态化     

电化学沉积CdSe纳晶薄膜的性能及沉积机理

电化学沉积是半导体薄膜制备的一种简便方法,常用于Ⅱ-族化合物半导体薄膜的制备.通过电沉积条件的适当改变可成功地在导电衬底上制备半导体纳晶薄膜^[1].CdSe薄膜作为一种透光性好、导电性好的半导体材料,可进行光学性能和光电性能方面的研究,而半导体纳晶多孔电极的光电化学特性与体材料之间有很大不同.本文采用电化学沉积法制备了CdSe纳晶薄膜并研究了其性能,通过扫描隧道显微镜(STM)形貌分形分析进一步研究其沉积机理.     

多级复合半导体纳米材料的制备

金属氧化物、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ等半导体纳米材料由于其独特的功能性质已广泛应用于光学、电子、太阳能转化、催化等领域,是当今先进材料领域的研究前沿与热点。随着科技的发展,人们对材料的高效、多功能要求已成为必然,对半导体材料发展要求亦如此。多组分复合、多层次结构协同是实现半导体纳米材料多功能化与高效化的有效途径。构筑多级结构组合纳米半导体,不但可以调控其能带结构而提高半导体材料的光电与催化性能,而且由于多级低维纳米结构聚集时形成的空间位阻效应可以有效克服纳米晶“易团聚”难题。本文提出多级结构组合纳米晶的概念、分类,结合近年来该领域的研究实践,较系统地综述了多级复合半导体纳米结构制备的最新研究进展。首先简要介绍了多级复合半导体纳米材料的概念与典型结构; 其次对典型多级复合半导体纳米材料的制备方法进行了重点评述,分别综述了液相法、气相法以及最新发展起来的静电纺丝等方法在多级结构半导体复合纳米材料制备中的应用实践。再其次,对以具有半导体特性的石墨烯及其功能化衍生物为基体的新型多级复合半导体纳米材料的制备做了综述。最后对半导体/半导体多级结构复合纳米材料的发展方向做了展望。     

半导体电极的平带电位

平带电位(E_(fb))是半导体/电解质溶液体系的重要概念,是半导体电极在平带状态时的电极电位,它是半导体电极特有的可以实验测定的物理量。利用Mott-Schottky曲线以及光电化学等方法可以测定平带电位,判断半导体的类型以及估算半导体的载流子浓度,其数值可用于推测半导体的能级结构,确定半导体材料的价带或导带能级位置。这对于与太阳能开发利用相关的半导体光催化和光电化学研究都是非常重要的。本文分析了半导体电极的能带弯曲及影响因素,首次提出半导体界面层内费米能级弯曲,阐明半导体电极平带电位的物理意义及其测定方法,以帮助初学者理解和应用平带电位。     

新颖气相色谱鉴测器——气敏半导体的研制

前言近年来,国内外用气敏半导体作为气体鉴测器已很普遍。我们研制了一种N型气敏半导体作为气相色谱鉴测器。并用之对稀有气体中的微量氢,电力变压器油中的溶解气体和工厂乙烯车间的大气等分析,以及对高分子热释气体分析和石油勘探中油气层的显示等方面进行了鉴测,证明性能良好,可以在生产实际中使用。气敏半导体的鉴测原理,可认为是由于气体吸附在半导体表面而形成某种键,并改变其表面的电子分布,而引起电导率的变化,气体逸出时,电导率恢复原值。气敏半导体分N型和P型两种,N型半导体对还原性,可燃性气体,如氢,乙醇,烃类等特别灵敏,一般可测至ppb-ppm级。气敏半导体材料必需具有高的气敏性和适当的     

提取鍺的一般介绍

随着半导体工业的发展,作为半导体的主要原料之一锗的生产也得到了迅速的发展,目前世界各国都根据本国的条件,采用了各自独特的流程和原料提取锗。本文叙述了从硫化物矿、处理煤的副产品以及从鉄矿中提取锗的生产情况.     

taC:N电极的制备及其电化学行为初步研究

taC∶N膜是一种具有潜力的半导体电极材料,但该电极制作中存在基底硅片与导线间的欧姆接触问题.根据高温处理对taC∶N膜性质的影响,本文先在硅片上制作欧姆接触,再沉积taC∶N膜,并由此得到了一批具有不同含氮量的taC∶N电极.循环伏安测试表明,膜中氮含量的增加只使阴极背景极限正移,而对阳极背景极限几乎没有影响,电化学窗口也因此而变窄.     

电化学“沾笔”纳米刻蚀及其他(英文)

本文提出了一种基于“沾笔”纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法。用这种方法可以在硅表面直接书写线宽度低于50纳米的多种金属和半导体组成的纳米结构。这种简单而有效的方法在精确控制位置和结构的功能化纳米器件制备中具有重要的潜在应用前景。     

电化学"沾笔"纳米刻蚀及其他（英文）

本文提出了一种基于"沾笔"纳米刻蚀和电化学还原技术在表面上制备金属及半导体纳米结构的普适性方法.用这种方法可以在硅表面直接书写线宽度低于50纳米的多种金属和半导体组成的纳米结构.这种简单而有效的方法在精确控制位置和结构的功能化纳米器件制备中具有重要的潜在应用前景.     

含固废水电化学处理的理论基础与试验

电化学技术是处理工业废水，特别是实现工业废水零排放有开发前景的水处理技术。１９９３年俄罗斯专家强图里亚院士来我院访问和工作期间，介绍了他们在电化学方法强化浮选过程和水处理技术方面的研究成果，并作了探索试验。本文介绍具有半导体性质的固体颗粒在电化学处理...     

离子选择电极和流动注射分析联用的研究 Ⅰ.超纯水中痕量钠离子的快速测定

把流动注射技术和试制的流通pNa电极联用来测定电子级纯水中的痕量钠,检测下限可达0.1ppb。本方法快速、灵敏。准确而又方便。是目前已知的测量痕量钠的最好方法之一。特别适用于半导体工业和大规模集成电路制备工艺用水中对钠的检测。