LBOⅠ类非临界相位匹配腔内倍频671 nm激光器

报道了利用１类非临界相位匹配的ＬＢＯ晶体腔内倍频、激光二级管泵浦的Ｎｄ：ＹＶＯ４４激光器,在吸收泵浦功能５．４４Ｗ时,获得２４０ｍＷ的６７１ｎｍ激光输出,光－光转换效率约４．４％。     

LBO-类非临界相位匹配腔内倍频671nm激光器

报道了利用珋类非临界相位匹配的ＬＢＯ晶体腔内倍频、激光二极管泵浦的ＮｄｖＹＶＯ４ 激光器, 在吸收泵浦功率５．４４ Ｗ 时, 获得２４０ ｍ Ｗ 的６７１ ｎｍ 激光输出, 光－光转换效率约４．４％ 。     

激光二极管抽运Nd∶YVO4/LBO腔内倍频5.3 W连续波激光器

报道了激光二极管双向抽运Nd∶YVO4 晶体、LBO腔内倍频、最大输出功率为 5 .3W的连续波绿光激光器。采用LBO晶体Ⅰ类非临界相位匹配 (NCPM) ,温度调谐 ,当抽运光功率为 2 0W时 ,获得了 5 .3WTEM0 0 模 5 32nm绿光输出 ,光光转换效率达 2 6 .5 %。并对绿光模式及输出功率随LBO晶体温度的变化关系进行了测量 ,与理论结果符合较好。     

连续波激光器腔内倍频晶体半解析分析方法的研究

连续波激光器系统腔内倍频非线性光学晶体吸收基频光辐射产生谐波的同时,也会在晶体内部产生非均匀温升,引起折射率变化,破坏位相匹配条件,影响激光器谐波转换效率.解决问题的关键是准确得出晶体内部温度场.由于激光器中激光模式和边界条件的复杂性,无法得到温度场的解析解.利用半解析热分析方法得出了晶体工作在TEM00模式下产生的温度场计算公式,分析了对温度场分布的各种影响.所得结果对连续波腔内倍频激光系统设计将起到指导作用.     

非共线相位匹配LBO晶体飞秒光参变放大器的研究

对非共线相位匹配LBO晶体飞秒光参变放大器进行了系统地分析和理论研究，用数值方法得出了非共线角、相位匹配角、增益和增益带宽之间的关系，给出了放大器设计的各种最优化参量。研究结果表明，这种参变放大器不仅可以实现较高的参变增益和获得极宽的增益带宽，还具有较大的参变允许角、较小的走离角和小的群速色散。因此这种参变放大器对于以纳秒级高功率激光作为抽运光，利用光参变啁啾脉冲放大（OPCPA）技术高效率参变放大飞秒脉冲产生10^12W甚至10^15W级的超强超短激光脉冲具有重要的意义。建立的理论模型具有普遍意义，也为其他类似的参变过程提供了重要的理论依据。     

输出镜反射性对Ⅱ类相位匹配倍频效率的影响

研究了V型腔Nd∶YVO4/KTP绿光激光器中的输出镜反射相移的产生原因。结合Ⅱ类相位匹配KTP倍频晶体的倍频特性,首次分析了反射相移对腔内基频光偏振特性及Ⅱ类相位匹配倍频效率的影响。结果发现:当反射相移△在0～π范围内变化时,倍频效率随△的增大而降低;当△<2°时,倍频效率相对于理想情况下降幅度很小,可忽略不计。利用矩阵法对输出镜多层膜特性进行了分析,通过合理控制入射角度,减小了反射相移,提高了激光器的倍频效率。     

非临界相位匹配KTP光学参量振荡器的研究

对电光调Q(Ce,Nd):YAG激光抽运内腔非临界相位匹配(NCPM)光参量振荡器(IOPO)进行了实验研究,实验发现IOPO输出光波长为532 nm、632 nm、1 064 nm、1 100 nm和1 571 nm 5种。OPO输出镜对信号光反射率较大时,信号光出现多脉冲,可以通过控制信号光反射率,使信号光为单脉冲。信号光能量随着抽运能量增加到一定值后出现饱和。     

高效率Nd:YVO4/LBO临界相位匹配脉冲绿光激光器

报道了一种利用激光二极管（LD）端面泵浦Nd:YVO4晶体,声光调Q,LBO临界相位匹配腔内倍频的高效率、小体积、风冷绿光激光器。分析了不同偏振光泵浦的情况下,激光晶体对泵浦光的吸收特性。由分析得出,采用部分偏振光泵浦,可以提高激光晶体对泵浦光吸收均匀性,改善基波畸变,获得高转换效率激光输出。实验中,在泵浦光功率为33 W、声光调Q重复频率为20 kHz时,得到脉宽为23.96 ns、平均功率为15 W的1064 nm基频光输出。经倍频后,得到平均功率为11.2 W的绿光输出,倍频效率为74.6%,总体光-光转换效率为34%。在输出功率为10 W时,测得1 h内输出功率不稳定度为0.512 2%,水平方向和竖直方向的光束质量因子M2分别为1.2和1.1。     

高功率Nd∶YVO4/KTP腔内倍频晶体温度分布的半解析热分析

非线性晶体KTP采用Ⅱ类相位匹配腔内倍频时,不仅要求晶体满足基频光的偏振匹配条件,而且所选用的晶体要求符合λ/2波片的条件,才能使晶体的谐波转换效率达到最佳.由于倍频晶体吸收基频光能量引起晶体内部非均匀温升,改变晶体内部各点的折射率,也会使晶体产生不应有的热形变,破坏晶体初始的位相匹配条件,严重影响输出激光的品质和倍频效率.减弱、改善这种情况的关键是准确得出在实际工作条件下晶体内部温度场.利用半解析热分析方法得出了KTP晶体内部温度场的计算方法,分析了各种热参量变化对KTP晶体内部温度场的影响.得出的结果具有一定的普适性,可以应用到具有轴对称形式内热源的其它热模型温度场的计算分析中,对连续波腔内倍频激光系统的设计将起到指导作用.     

缓冲层对LBO晶体上1 064 nm，532 nm增透膜附着力的影响

 采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1 064 nm,532 nm二倍频增透膜。利用分光光度计、纳米力学综合测试系统以及调Q脉冲激光装置对样品的光学性能、附着力以及抗激光损伤性能进行了测试分析。结果表明：所有样品在1 064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1％和0.2％;与无缓冲层样品相比,预镀Al₂O₃缓冲层样品的附着力提高了43.1％,具有SiO₂缓冲层样品的附着力显著提高,而MgF₂缓冲层的插入却导致薄膜附着力降低。应用全塑性压痕理论和剪切理论对薄膜的附着力增强机制进行了分析。薄膜的抗激光损伤性能分析表明,SiO₂缓冲层也有助于改进薄膜的激光损伤阈值。     

缓冲层对LBO晶体上1 064 nm,532 nm二倍频增透膜的激光损伤阈值的影响

采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1 064 nm,532 nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计和调Q脉冲激光装置对样品的光学性能和抗激光损伤性能进行了测试分析.结果表明,所有样品在1 064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1%和0.2%.与无缓冲层样品相比,采用SiO2和MgF2缓冲层薄膜的激光损伤阈值分别提高了23.1%和25.8%,而Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低.通过观察薄膜的激光损伤形貌,分析破斑的深度信息和电场分布,表明LBO晶体上1 064 nm,532 nm二倍频增透膜的激光损伤破坏主要表现为膜层剥落,激光产生的热冲击应力使薄膜应力发生很大变化,超过膜层之间的结合而引起膜层之间的分离.采用SiO2或MgF2缓冲层可改进Al2O3膜层的质量,从而有利于提高薄膜的激光损伤阈值.     

缓冲层对LBO晶体上1 064 nm|532 nm二倍频增透膜的激光损伤阈值的影响

采用电子束蒸发方法在LBO晶体上制备了无缓冲层和具有不同缓冲层的1 064 nm,532 nm二倍频增透膜.利用Lambda900分光光度计和调Q脉冲激光装置对样品的光学性能和抗激光损伤性能进行了测试分析.结果表明,所有样品在1 064 nm和532 nm波长的剩余反射率都分别小于0.1％和0.2％.与无缓冲层样品相比,采用SiO2和MgF2缓冲层薄膜的激光损伤阈值分别提高了23.1％和25.8％,而Al2O3缓冲层的插入却导致薄膜的激光损伤阈值降低.通过观察薄膜的激光损伤形貌,分析破斑的深度信息和电场分布,表明LBO晶体上1 064 nm,532 nm二倍频增透膜的激光损伤破坏主要表现为膜层剥落,激光产生的热冲击应力使薄膜应力发生很大变化,超过膜层之间的结合而引起膜层之间的分离.采用SiO2或MgF2缓冲层可改进Al2O3膜层的质量,从而有利于提高薄膜的激光损伤阈值.     

螺线管磁场缺陷对电子束横向温度的影响

分析了直螺线管磁场缺陷的来源,考虑了电子束的空间电荷作用,采用数值方法模拟计算了磁场缺陷对电子束横向温度的影响 ,获得了电子冷却装置中直螺线管磁场的均匀性要求.结果表明,当相对磁场缺陷小于1× 1 0-3时 ,影响可以被忽略.In order to obtain the tolerance requirement for the magnetic field homogeneity of the solenoids in electron cooling device, the source of the magnetic imperfection and its influence on the transverse temperature of electron beam were investigated by means of numerical simulation, and taking the space charge effect of electron beam into account. The calculated result shows that the influence of the imperfection of magnetic field will be negligible when the relative magnetic field...     

温度对液晶光阀电光特性的影响

采用DMS505显示器测量系统测量并分析了环境温度对TB3639型液晶光阀的电光特性的影响,结果表明：阈值电压,饱和电压和陡度因子均是温度的函数。温度从-25℃变化到70℃,阈值电压从2．015V降到1．631V;饱和电压从2．748V降到2．323V;陡度因子从1．364增大到1．424。为设计高稳定性的液晶显示器件提供了依据。     

基于靶面温度测量的激光强度时空分布重构方法

基于靶面温度分布测量反演激光强度时空分布的重构表达式中,被积函数包含的奇异阿贝尔核函数导致了求解积分表达式的病态和解的不稳定。为了解决这一积分求解问题,基于广义函数理论和正则变换方法,对积分函数进行了重新构造,获得了基于靶面温度时空分布测量反演入射激光强度分布的重构算法,并分析了重构结果对温度测量误差的敏感性。借助数值模拟方法对重构算法进行了验证,数值计算给出了重构强度误差与靶板厚度和辐照时间的关系。验证结果表明,两种背光面边界条件下反演获得的激光束时空分布,不仅与原始模型激光束达到了较好的一致,而且不受薄板条件的限制。算法对强激光辐照效应的靶面激光参量监测有实用性。     

Theoretical analysis and experimental research on thermal focal length of a YVO4/Nd:YVO4 composite crystal

This paper investigates the temperature field distribution and thermal focal length within a laser diode array (LDA) end-pumped YVO4/Nd:YVO4 rectangular composite crystal. A general expression of the temperature field distribution within the Nd:YVO4 rectangular crystal was obtained by analysing the characteristics of the Nd:YVO4 crystal and solving the Poisson equation with boundary conditions. The temperature field distributions in the Nd:YVO4 rectangular crystal for the YVO4/Nd:YVO4 composite crystal and the Nd:YVO4 single crystal are researched respec- tively. Calculating the thermal focal length within the Nd:YVO4 rectangular crystal was done by an analysis of the additional optical path differences (OPD) caused by heat, which was very identical with experimental results in this paper. Research results show that the maximum relative temperature on the rear face of the Nd:YVO4 crystal in the composite crystal is 150 K and the thermal focal length is 35.7 mm when the output power of the LDA is 22 W. In the same circumstances, the experimental value of the thermal focal length is 37.4 mm. So the relative error between the theoretical analysis and the experimental result is only 4.5%. With the same conditions, the thermal focal length of the Nd:YVO4 single crystal is 18.5 mm. So the relative rate of the thermal focal length between the YVO4/Nd:YVO4 crystal and the Nd:YVO4 crystal is 93%. So, the thermal stability of the output power and the beam quality of the YVO4/Nd:YVO4 laser is more advantageous than the laser with Nd:YVO4 single crystal.     

射击模式对身管温度场影响的研究

以某5.8mm自动步枪身管为研究对象,基于经典内弹道和传热学基本原理,运用一种热-化学方法,建立了三维瞬态身管传热有限元模型,研究了不同射击模式影响下的身管温度场。研究表明:1)镀层对于身管内膛最高温度影响高达12.5%,在身管热分析中不可忽略;2)半自动模式膛内温度比全自动模式降低15.7%;3)对于同样的射弹数,射频的提高与外壁最高温度呈负相关,且最高温度区域会逐渐向身管尾部移动。研究结果可为探讨及解决热散问题提供一定的参考价值。     

缓冲层生长温度对In0.82Ga0.18As 薄膜结构及电学性能的影响

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In_0.82Ga_0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470 ℃),且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变。通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In_0.82Ga_0.18As薄膜的结构及电学性能。最佳的缓冲层生长温度为450 ℃。     

MgO粒子掺杂对NdBCO超导块材熔化温度的影响

采用改进后的顶部籽晶熔渗生长(RE+011 TSIG)工艺,通过在固相先驱粉中掺杂不同含量的MgO来有效地提高NdBCO籽晶的熔化温度,从而成功地制备出直径为32 mm的大尺寸单畴SmBCO超导块材.结果表明,MgO的掺杂对NdBCO超导块材的熔化温度有着明显的提高,随着固相先驱粉中MgO掺杂量的增加,Mg²⁺离子逐渐进入到Nd123相的晶格中,当掺杂量达到16 wt%时呈现出饱和状态,且NdBCO超导块材的熔化温度提高近18℃,可有效地抑制在制备SmBCO超导块材的过程中出现的NdBCO籽晶熔化现象.