锰酸钙晶体结构与催化活性

ABPO_(3-x)型催化剂的完整晶体CaMnO_3是钙钛矿型结构。在催化过程中催化剂晶体发生氧化——还原应用,晶体中首先出现缺氧空位点缺陷。当失氧量很小时(x≤0.5)晶体中的缺陷主要是缺氧空位,当失氧量很大时(x<0.5晶体就会出现线,面甚至体缺陷而部分结体,解体后的微晶仍具有较高的活性,能再氧化形成大块完整晶体。显然催化剂失去氧在失氧量很小时用点缺陷可以很好地解释,但对大量失氧晶体解体用点缺陷来解释这个还原—再氧化过程是不充分的。本文就这一问题进行了高分辨电子显微象研究。     

用电子显微镜研究卤化银微晶体的特殊结构

由于含在碘溴化银微晶体内部的碘能向内吸纳光空穴,从而避免感光材料在曝光时形成的光电子和光空穴的复合作用,这就大大提高了入射光子的利用效率,从宏观上讲,也就可以提高卤化银感光材料的感光度。但按照常规方法制备的碘溴化银微晶体,很难使其碘含量做到很高。因为从理论上讲,碘搀合进溴化银昌格形成混晶的最大含量不超过40%,再加上制备条件的种种限制,最大碘含量还远远低于这个值。我们利用电脑控制的平衡双注仪首先制备出四连双角锥碘化银晶体,如图1所示。看上去,它们是在一个四面体的四个面上各生长出一个双角锥体,每个双角锥体的一个…     

铁蛋白的电子显微镜研究

铁蛋白的电子显微镜研究＊刘维１董汉民１周筠梅２李林１（１．中国科学院物理研究所和中国科学院凝聚态物理中心，北京１０００８０）（２．中国科学院生物物理研究所，北京１００１０１）＊国家自然科学基金资助项目铁蛋白是一种常见的水溶性蛋白。分子量为４５万道尔顿...     

三维光子晶体中的缺陷研究

利用传输矩阵方法研究面心立方结构的三维光子晶体,分析了当其分别存在点缺陷、线缺陷、面缺陷时的传输特性变化,发现当引入点、线、面缺陷后,光子晶体中出现缺陷模,进一步数值计算研究表明缺陷模的出现频率和透过率等特性与缺陷介质球的半径、介电常数和缺陷出现的位置等诸多因素有关,这些结果将有助于光子晶体波导、滤波器等器件的设计和应用.     

注S-SI GaAs晶体中的缺陷

对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_(As))密度,部份Si_(As)与砷空位(V_(As))相互作用形成V_(As)-Si_(As)络合物而产生的.     

相位子缺陷准晶体的HREM像模拟计算

准晶体可看作高维(n维)晶体中的一个无理投影区间向三维子空间(物理空间)的投影。与物理空间互补的另一个子空间为(n—3)维。称赝空间。当高维空间中引入一个应变场时,n维应变位移矢在物理空间和赝空间的分量分别称为声子应变和相位子应变。在准晶体形成过程中,相位子应变往往被冻结在体内,形成相位子缺陷准晶体。当相位子应变为线性时,相位子缺陷准晶体实际上是介乎理想准晶体与某一定相应晶体之间的中间状态。理想准晶体与相应晶体二者是同一个高维晶体的投影,只不过前者来自无理投影区间,而后者来自有理投影区间。可以通过旋转操作把无理投影区间旋转到有理区间的位置。所以,引入线性相位子应变相当于投影区间的旋转。曾经报导,当相应晶体的结构为已知时,可以从晶体结构导出高维晶体结构模型,再从而求得准晶体结构。     

含缺陷一维光子晶体电场分布研究

文章给出了任意入射角时光在一维光子晶体中的透射率及电场分布的解析式,研究了不同的入射角、入射光角频率、缺陷层折射率及光子晶体周期数对含缺陷的一维光子晶体场强分布的影响,同时研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率及场强分布的影响,所得到的一些结论为光子晶体的制备及应用提供新的有价值的理论依据。     

HgCdTe晶体的缺陷吸除效应

利用二次离子质谱测量HgCdTe晶体杂质时发现:杂质在晶片表面附近有富集现象,实验证明该现象属缺陷吸除效应,分析了杂质富集的机理,并利用缺陷吸除工艺成功地减少了HgCdTe晶体内剩余杂质,低温电学参数、光学透过率测量结果表明:该工艺能提高HeCdTe材料的光、电性能。     

变质岩中金红石晶体超微结构的电子显微镜研究

金红石是自然界中TiO2分布最广的变体,由于其晶体结构中常含有Fe2+、Fe3+、Nb5+、Ta5+、Sn4+等元素的混入,因此类质同象置换现象非常复杂,易形成一系列钛矿物(或变体),如钛铁矿、铌(Nb5+)铁金红石及钽(Ta5+)铁金红石等。在众多钛矿物中,金红石(四方晶系,P42/mnm,ao=0.456nm,co=0.295nm)的分子体积最小,因而趋向于在高压、高温条件下形成。长期以来,国内外学者从岩石学、矿物学、地球化学、构造地质学等角度对高压超高压变质岩中主要造岩矿物石榴子石、辉石、石英等进行了深入研究,并取得了可喜的成就。而金红石作为副矿物在高压超高压变…     

对称双缺陷光子晶体的缺陷模规律

为了了解对称双缺陷光子晶体的传输特性,采用传输矩阵法进行了数值模拟研究。当两缺陷层中间的介质层数目大于缺陷两外侧介质层总数时,在禁带中只出现单一的缺陷模,且其透射率随它们的差异的增大而迅速减小;但当中间的介质层数目小于两外侧介质层总数时,在禁带中将会出现两个透射率为1的缺陷模,且两缺陷模的间距随它们的差异的增大而增大。结果表明,缺陷层的位置对缺陷模的影响较大,要使缺陷层中的局域电场得到有效提高,必须使缺陷层靠近光子晶体的正中心。     

含有多缺陷的光子晶体中的局域缺陷模

采用紧束缚法,研究含有缺陷的光子晶体中的缺陷模,导出了缺陷模频率方程。作为特例,采用转移矩阵法,数值计算了含有三个缺陷的一维光子晶体的透射谱和与光子带隙中缺陷模频率对应的光场强度分布,讨论了缺陷间的相互作用对缺陷模的影响。结果表明:当光通过含有多个半波缺陷的光子晶体时,在透射谱的禁带中出现缺陷模,缺陷模的数目与半波缺陷数目相同,而缺陷模频率的间隔随着半波缺陷间隔层数的增加而减小,最后形成一个缺陷模通带;与缺陷模频率对应的光场分布为局域状态,并发现局域光场峰值出现在缺陷邻近层。     

平板掺杂光子晶体中电磁波的缺陷模

为了研究1维平板掺杂光子晶体中电磁波的模式及其缺陷模特性,推导出1维平板掺杂光子晶体中电磁波的各个模式满足的条件,利用特征矩阵法计算出TE波和TM波各模式的缺陷模随模式量子数和平板厚度的变化规律,得出了一些不同于1维非受限掺杂光子晶体缺陷模的新特征。结果表明,电磁波的模式由模式量子数确定,缺陷模与模式量子数和平板厚度有关。     

一维缺陷光子晶体多个禁带中的窄带缺陷模

用特征矩阵法研究了一维缺陷光子晶体的透射谱。结果发现:在一维缺陷光子晶体的透射谱中的多个禁带内都有窄带缺陷模,窄带缺陷模的波长越大,其宽度越大;当入射角增大后,波长越长的窄带缺陷模的强度变化越小,位置向短波方向移动越多,且S偏振光与P偏振光的窄带缺陷模的分离越大;增大一维缺陷光子晶体中周期性介质的厚度,窄带缺陷模的波长和移动的范围都增大。本研究对一维缺陷光子晶体的窄带缺陷模的选择使用具有重要意义。     

InP的超高分辨结构象

本文报导了InP晶体沿[110]带轴的高分辨结构象。使用JEOL-4000EX顶插式电子显微镜(点分辨1.9nm)对InP晶体沿[110]带轴进行观察,在试样厚度约为35nm,欠焦量约为46.5nm时,拍摄到超高分辨的结构象,原子间距为0.147nm,并且计算出模拟象。贫验结果和模拟象符合的较好。     

以内腔装置检验KTP晶体的性能和缺陷

非线性光学晶体磷酸钛氧钾 (KTP)经常用于 Nd∶ YAG激光器 10 6 4nm基频波长向 5 32 nm二次谐波波长的转换。它的优良非线性特性使得 KTP特别适用于瓦级输出功率连续波运转期间的绿光产生。为提高倍频效率 ,KTP晶体一般都放在激光腔内。然而在此情况下 ,谐波输出对内腔元件 (它引起损耗 )的存在非常敏感。这一特性可被 KTP制造厂家用来评审晶体性能和晶体均匀性。由内腔倍频装置获得的检验结果有助于制造厂家改善今后晶体生产的质量和性能。法国奥赛光学应用理论研究所的 F.Balembois和晶体激光公司的 H.Albrecht等人合作 ,已发展一…     

含缺陷光子晶体波分复用器研究

利用光子晶体的光子禁带和体积小的优点,在光子晶体中适当设计线缺陷和点缺陷,使这些缺陷会形成波导和微腔.根据耦合模理论,波导与波导及波导与微腔之间会发生耦合现象,通过调节耦合长度和微腔中心半径的大小,可以选择不同波长的光波在各信道中通过.依此原理,可以制作相应的光子晶体波分复用器.