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无掩模光刻技术的最新进展 总被引:3,自引:1,他引:2
莫大康 《电子工业专用设备》2005,34(2):1-2
据VLSI的报道,尽管浸入式光刻技术似乎为全球半导体工艺路线图又打开一扇明亮的窗. 相似文献
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衍射光学元件在无掩模光刻中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
描述了波带片/多孔透镜阵列无掩模光刻方法,着重介绍了波带片的几何结构特点和衍射聚焦特性,研究了影响光刻分辨率的因素和使用位相型波带片代替振幅型波带片提高衍射效率的设计方法,讨论了高级衍射焦点对波带片的光刻对比度的影响及消除措施,表明了波带片光刻有光刻对比度和高光刻分辨率受限于最小结构尺寸两个技术难点。对比介绍了多孔透镜的结构和衍射聚焦原理,论述了利用多孔透镜抑制高级衍射焦点和焦平面上次级大的特性,可以提高光刻对比度、提高光刻分辨率、克服波带片受限于最小结构尺寸的缺点。 相似文献
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目前看来,193nm与x射线光刻技术都很希望应用到0.13μm 0.13μm以下的集成电路工业中去,而掩膜笃这两种光刻技术而言是非常重要的.本文对193nm光学掩模与x射线掩模制造技术进行了对比分析。 相似文献
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随着器件特征尺寸的不断减小,传统光刻技术的加工分辨率受限于衍射极限已接近使用化技术的理论极限且成本过高。无掩模光刻技术是解决掩模价格不断攀升而引起成本过高的一种潜在方案,以成本低、灵活性高、制作周期短的特点在微纳加工、掩模直写、小批量集成电路的制作等方面有着广泛的应用。基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术在提高分辨率和产出率方面取得了一定的进展,理论和实验上均取得了较好的效果。详细归纳介绍了基于空间光调制器的无掩模光学光刻技术的原理、特点以及研究进展。 相似文献
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针对数字微反射镜装置(DMD)无掩模光刻系统,提出并研究了一种数字光栅无掩模光刻对准方法,将硅片的微位移放大显示在数字光栅与硅片物理光栅叠加产生的叠栅条纹中。建立了基于DMD的数字光栅无掩模光刻对准模型,设计了对准标记以及具体的实现方案,并对模型进行了数值仿真和初步的实验验证。结果表明,采用频率可变、图像干净、具有良好周期性结构的数字光栅代替传统的真实掩模光栅,真正实现了零掩模成本;并且采用变频率数字光栅可以扩大测量范围,减小位移测量误差。最终可以实现深亚微米的对准精度,满足目前无掩模光刻对准精度的要求。 相似文献
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1 前言 半导体元件的微细化、高性能化,可借助于光刻技术飞跃地提高其分辨率而实现。迄今为止,光刻的能力仍依赖曝光装置的高性能化、抗蚀剂的高性能化、以及腐蚀过程的改进而得到提高。但是,最近除了以上途径之外,出现了利用光掩模提高分辨率的位相移动法,引起了各方面的关注。 相似文献
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电子束曝光机自动套准系统的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文描述了用于电子束曝光机的芯片自动套准系统,该系统包括:扫描控制器、图象采集子系统、相关位置计算单元和位置与角度修正子系统。利用该系统,完成一次双标记识别及修正的循环需时11秒;角度最小修正值为0.014度,最终实现的套准精度达到3σ≤0.07μm。 相似文献
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光刻与微纳制造技术的研究现状及展望 总被引:1,自引:0,他引:1
首先介绍了微纳制造的关键工艺技术——光刻技术。回顾了光刻技术的发展历程,介绍了各阶段主流光刻技术的基本原理和特点。阐述了国内外对光刻技术的研究现状,并讨论了光刻与微纳制造技术面临的挑战及其需要解决的关键性技术问题。然后重点介绍了浸没光刻、极紫外光刻、电子束光刻、离子束光刻、X射线光刻、纳米压印光刻等技术的概念、发展过程和特点,并对不同光刻技术的优缺点和生产适用条件进行了比较。最后结合国内外生产商、工程师和研究学者的研究成果,对光刻技术的未来发展做出展望。 相似文献
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193nm浸入式光刻技术独树一帜 总被引:6,自引:2,他引:4
翁寿松 《电子工业专用设备》2005,34(7):11-14
介绍了193nm浸入式光刻机和193nm光刻胶的最新发展动态以及下一代193nm浸入式光刻机。 相似文献
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针对基于数字微镜阵列(DMD)的数字无掩模光刻系统,提出了一种新型IC版图数据接口转化算法,建立了版图数据到曝光数据的转化接口.该接口根据数字光刻系统的需求,以IC版图中工艺层为单位,在保证曝光精度的前提下,可以自动将高精度的IC版图数据转化为与DMD同像素结构的灰度数据.接口兼容GDSⅡ和CIF两种工业标准的IC版图数据,接口算法可以处理这两种IC版图数据中出现的所有基本图素.同时,利用矢量几何计算的方法,成功地解决了自交、重叠等特殊图素或以特殊方式组合图形的转换问题.实验证明,本接口算法具有低复杂度、高精度、高效率的特点,可以作为数字无掩模光刻系统有效的IC版图数据处理通道,对大规模集成电路的制作具有现实意义. 相似文献