氮化铝单晶的布里渊散射几何研究

在对称散射和180°背散射两种散射几何设置下获得了单晶透明氮化铝布里渊散射谱图。分析了谱峰出现的原因及其对应的声波模式,分析了对称散射几何设置下谱图的偏振态。实验观察到对称散射谱图中准纵波峰和背散射谱图中的纯纵模峰,分析了它们出现的原因。文章根据实验谱图求得了样品材料的全部弹性常数信息。     

Growing Bulk Aluminum Nitride and Gallium Nitride Crystals by the Sublimation Sandwich Method

Physics of the Solid State - The results of the growth of bulk crystals of aluminum and gallium nitrides on foreign seeds by the sublimation sandwich method are reviewed. The kinetics and mechanism...     

六方单晶氮化铝薄膜的合成与紫光发光机理

利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出六方单晶氮化铝(h-AlN)薄膜.反应温度为450℃,有效反应时间为20 h.高分辨率透射电镜发现为薄膜形态;电子衍射和X射线衍射结果都表明,氮化铝薄膜为六方结构.光致发光实验显示,在可见光范围内有一较强的辐射峰,中心位于413 nm处,半高宽约为5 nm.同时,本文对六方单晶氮化铝薄膜的生长机理和光致发光机理也进行了讨论.     

Surface Polaritons in Silicon-Doped Aluminum and Gallium Nitride Films

Optics and Spectroscopy - The reflection and attenuated total reflection spectra of aluminum and gallium nitride films doped with silicon on sapphire substrates with a buffer layer of aluminum...     

First-Principle Calculations of Elastic Properties of Wurtzite-Type Aluminum Nitride Under Pressure

The elastic properties of the wurtzite-type aluminum nitride （w-AlN） are investigated by ab initio plane-wave pseudopotential density functional theory method. The pressure dependences of the normalized primitive cell volume V/Vo, the elastic constants cij, the aggregate elastic modulus （B, G, E）, the Poisson＇s ratio （v）, and the Debye temperature θD are successfully obtained. From the elastic constants of the w-AlN under pressure, we find that the w-AlN should be unstable at higher pressure than 61.33 GPa.     

二次铝灰中氟氮物相的光谱分析

二次铝灰是电解铝、铝加工、铝回收行业产生的危险废物,不同生产过程排放的二次铝灰具有矿相复杂、化学组成波动大的特点,造成现有处置技术对各类二次铝灰的处理效果差异较大,资源化利用率低。通过明确典型铝合金生产过程排放二次铝灰中含氮、含氟物相等毒害组分的赋存形态及分布规律,判断氟氮物相形成途径,有利于开发高适性的二次铝灰无害化技术,实现二次铝灰中毒害组分和有价组分的高效分离,有效解决其资源化利用难题。结合化学与仪器分析,利用X射线衍射、 X射线荧光光谱定量研究了生产过程中不同系列三种铝合金产生的二次铝灰中含氟物相、含氮物相等物相含量,采用X射线光电子能谱、扫描电子显微镜与能谱系统分析氟、氮元素的结合形态和分布特征。结果表明,使用光谱分析方法与化学分析方法对二次铝灰中氮化物、氟化物的定量检测结果基本相符。铝-硅、铝-镁、铝-镁-硅三种系列铝合金生产过程得到的二次铝灰中含氮物相含量为4.30%～5.48%,含氮物相均主要以AlN形式存在,由生产过程中铝熔体与氮气反应生成物进入二次铝灰。AlN主要分布在体相中,颗粒形貌呈球端条状或棱块状,以游离单独颗粒或与含铝物相连生的形式存在;二次铝灰中含氟物相含...     

The Proximity and Josephson Effects in Niobium Nitride–Aluminum Bilayers

Physics of the Solid State - Highly disordered thin films of niobium nitride and the specific features of the proximity effect in NbN (S)–aluminum (N) bilayers with a large resistivity ratio,...     

氮化铝结构的高温Raman光谱分析

本文测量了氮化铝在不同温度下的Raman光谱 ,并确定了氮化铝的光学声子模E2 1、A1(TO)、E2 2 、E1(TO)、A1(LO)和E1(LO)Raman散射峰的频率 ,它们分别为 2 5 2cm- 1、6 1 4cm- 1、6 5 8cm- 1、6 72cm- 1、894cm- 1和 91 2cm- 1,其中光学声子模A1(TO)、E2 2 的Raman散射峰比较明显。随着温度的升高 ,A1(TO)、E2 2 散射峰的频率向低波数方向变化 ,表明氮化铝粉末压制体中存在的压应力逐渐减小 ;这两个散射峰的半高宽逐渐增大 ,说明随着温度的升高 ,存在氮原子和铝原子的扩散使得氮化铝粉末压制体中晶体结构逐渐发生变化。由于氮化铝粉末本身在空气中易与水蒸气发生反应 ,生成的Al(OH) 3 或AlOOH在加热过程会发生分解 ,干扰样品高温Raman光谱测量。     

Chloride Assisted Growth of Aluminum Nitride Nanobelts and Their Enhanced Dielectric Responses

通过氯化物辅助的气-固生长方法成功地制备出了大量单晶的氮化铝纳米带. X射线衍射、透射电子显微镜以及选区衍射分析表明,所制备的纳米带是纯度高、结构均匀的单晶体,并具有六方的晶体结构. 显微观察表明所获得的氮化铝纳米带没有缺陷,其生长方向为[0001]方向. 测量了产物在50 Hz 到5 MHz范围内的介电频谱,谱图分析表明样品中的界面对样品的介电特性有很大的影响. 室温条件下,与氮化铝微米粉相比,氮化铝纳米带的介电常数高得多,并在低频情况下尤为显著.     

氮化铝陶瓷低温热导率的实验研究

根据轴向稳态热流法原理 ,实验研究了 Al N陶瓷的低温热导率 ,为高温超导制冷机直接冷却提供了必要的实验数据。 Al N的热导率在 30～ 170 K之间 ,随温度的升高而增大 ,在 10 0 K时达到 5 8.36 W/ (m· K)。根据平均自由程理论 ,对影响氮化铝陶瓷热导率的微观因素进行了分析 ,影响本次测试氮化铝样品低温热导率的主要因素为声子与缺陷之间的散射。     

Structure and Mechanical Properties of Magnesium-Based Composites Reinforced with Nitride Aluminum Nanoparticles

Russian Physics Journal -     

Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics

Russian Physics Journal - The overview of scientific literature on the electric and magnetic properties of AlN doped with transition metal group atoms is presented. The review is based on the...     

Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C–SiC Buffer Layers

Physics of the Solid State - Transmission electron microscopy was used to study the interaction of a + c and a dislocations in a thick (14 μm) semipolar GaN layer grown by hydride vapor phase...     

Influence of Orientation of a Silicon Substrate with a Buffer Silicon Carbide Layer on Dielectric and Polar Properties of Aluminum Nitride Films

Physics of the Solid State - Dielectric and polar properties of aluminum nitride (AlN) thin films epitaxially grown on differently oriented silicon substrates with the p-type conduction and a...     

离子轰击产生湍层氮化硼

用高分辨率透射电子显微镜检查了N+2离子轰击后的氮化硼样品.发现在片状六方形氮化硼sp2层的弯折区,有0.35mm晶面间距的湍层氮化硼形成.虽然其形成机制尚不清楚,但是基于束流–固体相互作用观点的讨论可能是了解湍层氮化硼结构生长过程的关键所在.     

Ab Initio Study on Hypothetical Silver Nitride

We perform the ab initio calculations based on norm-conserving pseudopotentials and density functional theory to investigate the structural, elastic, and thermodynamical properties for silver nitride （AgN） compound that is a member of the 4d transition metal group and has not been synthesized yet. The obtained results are compared with the other available theoretical data, and the agreement is, generally, quite good. We also present the pressure-dependent behaviour of some mechanical and thermodynamical properties for the same compounds.     

ICP-OES测定铝质脱氧剂中的铝

试样经高温熔融后,盐酸浸取,采用电感耦合等离子体-发射光谱测定了铝质脱氧剂中的高含量铝.通过试验确定了仪器参数、基体干扰消除等条件.实验结果表明采用基体匹配可消除干扰,保证了样品中高含量铝检测结果的准确度和精密度.该方法快速、准确、稳定性好,其测定结果与化学滴定分析方法的测定值一致.其分析结果能满足生产和科研的需要.