MgO能带结构的LMTO—ASA计算

来用LMTO-ASA能带从头计算方法计算MgO晶体的能带结构,根据添加空球与否和对d态处理方法的不同,分成四种不同的计算方案,结果表明,其中添加空球并利用Lowdin微扰法计入空d态的计算方案所得的结果与从头计算的赝势法的计算结果相当符合,该方案仅用16×16阶久期方程,计算量小,准确性高,可以给出MgO的合理的能带结构。     

CaS,SrS的LMTO—ASA能带计算中d态的作用

CaS和SrS晶体的能带结构,LAPW和Hartree-Fock方法的计算结果差别很大,前者为间接带隙而后者为直接带隙,本文在LMTO-ASA计算方法中,采用两种不同处理d态的计算方案,分别得到与LAPW和Hartree-Fock两种计算方法对应的能带结构,研究了空d态处理方法对Cas和SrS能带结构计算结果的影响。     

LMTO方法在β—Si3N4能带结构和静态性质研究中的应用

用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法和局域密度泛函理论，从第一原理计算了晶体结构复杂的β－Ｓｉ３Ｎ４的电子能带结构、晶体的总能－体积曲线，由总能－体积曲线球得晶体的平衡晶格数ａ１、体模量Ｂ０和结合能Ｅｃｏｈ，引用Ｌｏｗｄｉｎ微扰法减少计算工作量，计算结果与准确性较高的从头算赝势法的计算结果基本相符。本计算量比从头算赝势法少得多，仅用７４阶久期方程，便获得合理的结果。     

金属镱能带结构的LCAO计算

1 引言稀土材料,有如光纤材料、陶瓷材料等,正越来越广泛地应用到各种科技领域。由稀土参与的材料性能,如电导率、透光窗口等的显著变化在很大程度上是对应了微观电子结构的变化,如能从微观角度对稀土材料性质预先进行计算设计,对性能预报和实验方面无疑有许多益处。对半导体等较轻元素材料的电子结构研究特别是晶体材料的能带计算,有很多有效     

立方相CdS能带LMTO计算

本文利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了具有闪锌矿结构的ＣｄＳ的电子能带结构．在计算中,Ｃｄ的４ｄ电子作为价电子考虑,自洽计算得到的平衡晶格常数与测量结果相符合．计算给出了主价带宽度,得出与实验一致的价带特征．能带结构计算表明本文的计算结果与实验符合的较好并和其它理论计算结果相一致．     

NaF晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＮａＦ能带结构，与实验数据及其它理论计算结果进行了比较，定性解释了中性基态Ｎａ原子的低能ＥＳＤ实验结果。     

单轴应力锗能带结构研究

用形变势理论讨论了单轴〈001〉和〈110〉及〈111〉张/压应力对锗导带各能谷（？能谷、？能谷及L能谷）能级的影响,采用包含自旋-轨道互作用及应力在内的六带k.p微扰法建立了单轴张/压应力作用下锗的价带结构模型,分析了锗价带带边能级随应力的变化情况,获得了锗导带底能谷能级分裂值、价带带边能级分裂值以及禁带宽度随应力的变化关系.量化数据可为单轴应力锗器件及电路的研究与设计提供参考.     

过渡金属酞菁化合物的能带结构研究

用EHMO/ CO方法对过渡金属酞菁化合物的能带结构进行了研究.结果表明:不同金属原子的酞菁的能带结构不同.钛、钒、铬酞菁的能带结构与酞菁的能带结构相似,而锰、铁、钴、镍、铜酞菁的能带结构与酞菁的能带结构明显不同,金属酞菁化合物的带隙变窄;酞菁环中心的不同过渡金属离子,在不同K点的分子轨道对称性不同;不同金属原子的酞菁环的层间距不同,其导电性不同.层间距越小,带宽越大,导电性能越强.     

关于肌红蛋白能带结构的研究

以肌红蛋白为基础,采用赝势理论和其他近似方法提出了一种描述蛋白质半导性的电子模型,所得禁带宽与Eley的实验值基本一致,并据计算结果绘出了其能带图．     

一种计算半导体合金能带的LMTO-ASA-VCA方法

本文依据全电子LMTO-ASA能带计算方法的特点,提出LMTO-ASA-VCA合金能带结构计算的虚晶近似方案,用于Ga_(1-x)AlxAs的计算,所得各组分下的能带结构、态密度及弯曲参数等均显示虚晶近似的特征,合金的价电子能量总和及ASA球中包含的价电子电荷数随组分的变化都接近于线性,表明本计算方案是合理可行的.     

新型超导体MgB2电子结构与成键性质的第一性原理研究

对最新发现MgB2 超导体 (Tc≈ 39K)的电子结构及化学成键从能带结构、电子态密度DOS、价电子电荷密度分布等几个方面 ,采用LMTO方法进行了第一性原理研究 .同时对相关的同族二硼化物BeB2 、CaB2 电子性质的相似及差异给与阐述和比较 ,报告了SmB2 ,UB2 和LuB2 态密度的计算结果 ,并对它们的超导电性进行讨论与推测 .     

（GaAs）1（AlaS）1（111）超晶格能带结构的LMTO—ASA计算

用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。     

碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究

利用石墨平面碳原子轨道作sp2杂化时π电子的紧束缚模型,通过限定波矢k周期性边界条件,构造了碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质.结果表明碳纳米卷的电子结构与其几何结构密切相关,通过控制手性和结构参数,可将其调制成不同带隙的半金属或半导体.     

固体能带计算方法

作者综述了固体能带常用的计算方法,并采用第一性原理赝势平面波方法计算了Si和Ge的电子能带,对计算结果进行了分析。     

环状碳纳米卷电子结构的紧束缚法研究

利用石墨平面碳原子轨道作sp~2杂化时π电子的紧束缚模型,考虑波矢珗k周期性边界条件,构造了环状碳纳米卷模型,研究了其电子结构性质.结果表明环状碳纳米卷的电子结构与其几何结构密切相关,通过控制手性、结构参数及卷环周长,可将其调制成金属或不同带隙的半导体.     

矩形晶格结构对二维固-液体系声子晶体能带结构的影响

运用多重散射理论计算了二维铁-水声子晶体在不同矩形晶格和不同填充率情况下的能带结构,并详细研究了矩形晶格长宽比和填充率对禁带宽度的影响.     

富勒烯团簇B_xN_(36-x)的电子结构研究

采用从头算量子化学方法在MP2/3 21G水平对BxN36 x富勒烯团簇进行理论研究.从理论上预测了具有与碳原子簇C36相似结构的一系列BxN36 x富勒烯团簇的存在,并对其几何构型进行优化,研究电子结构,探讨其稳定性.结果表明B15N21比C36具有更好的反应活性.