Ein Beitrag zum Dreistoff: Thorium-Silicium-Germanium

Zusammenfassung Th–Si–Ge-Proben werden entweder durch Heißpressen oder durch Kaltpressen und Abreagieren bei 1200 bis 1300°C hergestellt. Mittels röntgenographischer Analyse und Schmelzpunkts-bestimmungen werden versuchsweise Zustandsdiagramme für Th–Si und Th–Ge aufgestellt. Die Aufteilung der Phasenfelder im Dreistoff: Th–Si–Ge wird für einen Temperaturbereich um rd. 1300°C angegeben. Die Th-reichste Phase im System Th–Ge wird als Th₂Ge erkannt und besitzt CuAl₂-Struktur mita=7,414 undc=6,081 Å. In Th₂Ge erfolgt ein Ge/Si-Austausch bis etwa 60%. Th₃Si₂ und Th₃Ge₂ bilden eine lückenlose Mischreihe, ThSi löst fast 80 Mol% ThGe; der Strukturwechsel wird erörtert. Zwischen Th₃Si₅ und Th₃Ge₅ besteht trotz Isotypie kein ungestörter Übergang. Die Parameter für die pseudohexagonale Zelle Th₃Ge₅ werden ermittelt. -ThSi₂ und -ThGe₂ gehen lückenlos ineinander über. Unter den gewählten Bedingungen zeigt die Mischphase ebenso wie die binären Phasen einen Homogenitätsbereich von rd. 5 At% Th nach der Thorium-reichen Seite zu. In der Phase Th_0,9Ge₂ (ThGe_3,0±0,4) kann ein Ge/Si-Austausch bis etwa 45% erfolgen. Die Möglichkeit der Ausbildung von Phasen mit geordneten Lücken im Gebiete zwischen 33 und 40 At% Th wird diskutiert.Mit 9 Abbildungen     

Der Dreistoff: Vanadium-Silicium-Germanium

Zusammenfassung V-Si-Ge-Legierungen werden aus den Komponenten hergestellt und röntgenographisch untersucht. V₃Si und V₃Ge bilden eine lückenlose Mischreihe. Ebenso gehen die T1-Phasen V₅Si₃ und V₅Ge₃ homogen über, was auch für die C-stabilisierten Phasen mit teilweise aufgefüllter Mn₅Si₃-Struktur gilt. V₁₁Ge₈ löst praktisch kein Silicid und steht mit V₅(Si, Ge)₃ und (Ge, Si)-Mischkristall im Gleichgewicht. Im Disilicid erfolgt ein Si/Ge-Austausch bis etwa 11 (1000°C Homogenisierungstemp.). Bei dieser Temp. tritt nach kurzen Glühzeiten das sogenannte Digermanid (V₁₇Ge₃₁) noch nicht in Erscheinung.

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V-Si-Ge-alloys have been prepared out of the components and examined. V₃Si and V₃Ge do form a contineous solid solution, the same is true for V₅Si₃ and V₅Ge₃ either for the W₅Si₃-structure or for the carbon stabilized Mn₅Si₃-type phases. V₁₁Ge₈ does not dissolve any silicide. There are equilibria between V₁₁Ge₈, V₅(Si,Ge)₃ and a (Ge, Si)-solid solution. Silicon can be substituted by germanium in VSi₂ up to 11 (1000°C homogenizing temperature). At this temperature the so called digermanide (V₁₇Ge₃₁) does not occur after a short anneal.

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Mit 1 Abbildung     

Untersuchungen an Silizidsystemen

Zusammenfassung Die Legierungsreihen: TiSi₂–ZrSi₂, TiSi₂–VSi₂, ZrSi₂–VSi₂, V₃Si–Cr₃Si und V₃Si–Mo₃Si wurden röntgenographisch aufgeklärt. Während TiSi₂ von ZrSi₂ bis zu fast 60 Mol-% homogen aufgenommen wird, löst dagegen TiSi₂ praktisch kein ZrSi₂. VSi₂ nimmt bis zu 85 Mol-% TiSi₂ auf; andrerseits besteht nur eine geringe Löslichkeit von VSi₂ in TiSi₂. Das Paar ZrSi₂–VSi₂ ist völlig unmischbar; V₃Si gibt sowohl mit Cr₃Si wie mit Mo₃Si einen lückenlosen Übergang.Mit 3 Abbildungen.     

Untersuchungen in den Dreistoffsystemen: V—Al—Si,Nb—Al—Si,Cr—Al—Si,Mo—Al—Si bzw. Cr(Mo)—Al—Si

Zusammenfassung Legierungen vom Typ: Me–Al–Si (Me=V, Nb, Cr, Mo) werdenzum Teil durch Kaltpressen und Reaktion bei 1200°C bzw. durch Heißpressen und Nachverdichten hergestellt. Eine röntgenographische Untersuchung an den homogenisierten Proben zeigt im Schnitt: VSi₂-VAl(2) einen Austausch von Si durch Al im Disilicid bis etwa 1/3. In der T 1-Phase erfolgt fast kein Ersatz. Es wird mindestens eine ternäre Kristallart beobachtet. Die Aufteilung der Phasenfelder im System: Nb–Al–Si wird vollständig ermittelt. Die Bereiche der -Phase, von T 1 und T 2 sowie der Phase Nb(Al, Si)₂ mit C 54-Typ werden einschließlich der Gitterparameter bestimmt. Der Dreistoff: Cr–Al–Si ist im hochschmelzenden Teil durch ausgedehnte Gebiete der Mischphasen vom A 15-, T 1- und C 40-Typ gekennzeichnet. Die Ersetzbarkeit von Si durch Al in CrSi₂ geht über die vonK. Robinson ¹ angegebene Zusammensetzung noch hinaus. Im System: Mo–Al–Si wird der Bereich der neu aufgefundenen Kristallart mit C 54-Typ festgelegt, womit sich eine Aufteilung der Phasenfelder im gesamten hochschmelzenden Gebiet angeben läßt.An Schnitten im Vierstoff: Cr–Mo–Al–Si wird der lückenlose Übergang Cr₅Si₃–Mo₅Si₃ (T 1) zunächst nachgewiesen. Bei einem Verhältnis Al/Si=1 gehen Cr₃ (Al, Si) und Mo₃ (Al, Si) vollständig ineinander über. In der Mischreihe Cr₅Si₃–Mo₅Si₃ läßt sich ebenfalls Si durch Al in merklichem Maß ersetzen. Die Mischbarkeit im C 40-Typ wird ausführlich studiert; es bildet sich ein weiter Bereich (Cr, Mo) (Al, Si)₂. Legierungen aus den untersuchten Systemen stellen potentielle Träger von zunderfesten Materialien dar.Mit 7 Abbildungen     

Untersuchungen in den Dreistoffsystemen: Molybdän-Silizium-Bor,Wolfram-Silizium-Bor und in dem System: VSi2−TaSi2

Die grundsätzliche Aufteilung der Phasenfelder des Dreistoffsystems: Mo–Si–B wird in einem Schnitt bei 1600°C gegeben. Es tritt eine ternäre Mo₅(Si, B)₃-Phase mitT 2-Struktur auf, welche mit Mo-MK, Mo₃Si, Mo₅Si₃-T 1-Typ, Mo₂B und MoB im Gleichgewicht steht. Es existiert auch die isotype Kristallart im Dreistoffsystem: W–Si–B. Die Existenz eines borreichen Silicoborids wird wahrscheinlich gemacht. Silizium nimmt etwas Bor in fester Lösung auf. Zwischen VSi₂ und TaSi₂ besteht eine lückenlose Mischreihe.

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Mit 6 Abbildungen     

Untersuchungen in den Systemen: V−B,Nb−B,V−B−Si und Ta−B−Si

Zusammenfassung Mit Hilfe röntgenographischer Messungen werden die Boride von Vanadin und Niob untersucht, wobei eine neue Phase der ungefähren Zusammensetzung V₂B identifiziert wird, welche mit der entsprechenden Nb-Borid-Phase isotyp ist. Dieselbe Kristallart tritt auch im System: Ta–B auf. Die in der Literatur angegebene -Phase im Zweistoff: Nb–B erweist sich als NbO.Im System: V–B–Si wird wie im analogen Mo-System die Existenz einer ternärenT 2-Phase Me₅(Si_1/3, B_2/3)₃ nach-gewiesen¹; ihre Gitterkonstanten werden ermittelt.Im Schnitt Ta₂Si–Ta₂B besteht ein geringes Lösungs-vermögen der beiden Phasen ineinander. Durch Zusatz von 20 Mol-% Ta₂Si zu Ta₂B erhält man die oben erwähnte neue Kristallart.Bei den Borid-Siliziden der Metalle aus der 4a-, 5a- und 6a-Gruppe werden die Stabilitätsbereiche derT 1-,T 2- undD 8₈-Phasen miteinander verglichen.     

Strukturuntersuchungen an Disiliziden

Zusammenfassung Röntgenographische Untersuchungen der Disilizidsysteme: TiSi₂–MoSi₂, TiSi₂–WSi₂, MoSi₂–WSi₂, CrSi₂–MoSi₂, CrSi₂–WSi₂ sowie TiSi₂–MoSi₂–WSi₂ ergaben einen lückenlosen Übergang von MoSi₂–WSi₂, das Auftreten singulärer Kristallarten (Ti, Mo)Si₂ bzw. (Ti, W)Si₂, die mit dem C 40-Gitter isotyp sind und einen ausgedehnten homogenen Bereich besitzen. Diese Kristallart reicht fast bis an das reine TiSi₂ heran und kann als eine Art allotrope Form desselben aufgefaßt werden.Der Aufbau im System: TiSi₂–MoSi₂–WSi₂ wird angegeben.MoSi₂ und WSi₂ lösen beträchtliche Mengen (46 bzw. 61 Mol-%) CrSi₂; CrSi₂ vermag 31 Mol-% MoSi₂ bzw. 16 Mol-% WSi₂ homogen aufzunehmen. Die Gitterkonstanten wurden bestimmt.Herrn Dipl.-Ing.F. Benesovsky sind wir für wertvolle Ratschläge und Aussprachen zu herzlichem Dank verpflichtet.Mit 4 Abbildungen.Vorgetragen im Symposium De re metallica, Reutte, Tirol, 22, bis 26, Juni 1952.     

Untersuchungen in den Systemen: Mangan—{Vanadin,Rhenium, Eisen}—silicium

Zusammenfassung Die strukturchemischen Verhältnisse werden in den Dreistoffen: Mn–{V, Re, Fe}–Si für einen Zustand –1000° C homogenisiert und abgeschreckt — untersucht. Die neu aufgefundene Mn–Re--Phase ist hinsichtlich der Ordnung mit der Re–Nb--Phase vergleichbar. Mn₅Si₂ wird durch Mn/Re-Austausch bei 1000° C stabilisiert. Einer ternären Kristallart (X) mit erheblichem Homogenitätsgebiet kommt die ungefähre Formel Mn_2–3Re_2–1Si zu. Der Austausch Mn/Re in Mn₅Si₃ erfolgt nur in der 6g-Lage. MnSi und ReSi sind lückenlos mischbar.Gitterparameter für die Mn–Re–Si- und V–Mn–Si--Phasen werden bestimmt. V₃Si löst etwa 50 Mol% Mn₃Si. Die lückenlose Mischreihe Mn₃Si–Fe₃Si wird bestätigt; gegenüber Literaturbefunden besteht jedoch im ganzen Bereich ein Ordnungszustand (BiF₃-Typ).

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The ternary systems: Mn–{V, Re, Fe}–Si have been studied after anneal at 1000° C followed by a quench by means of X-ray methods. The newly found Mn–Re--phase compares with the Re–Nb--phase as far as the ordering is concerned. Mn₅Si₂ can be stabilized by Re/Mn-substitution up to higher temperatures. A ternary phase X having a large homogeneous region, can roughly be described by a formula Mn_2–3Re_2–1Si. Re substitutes Mn within the Mn₅Si₃-phase occupying the 6g positions only. Lattice parameters of the Mn–Re–Si- and V–Mn–Si--phases have been determined. V₃Si dissolves about 50 mole% Mn₃Si. The solid solutions Mn₃Si–Fe₃Si can be confirmed; however there is an ordering throughout the whole domain (BiF₃-structure type).

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Mit 2 Abbildungen     

Zum Dreistoff: Vanadin-Arsen-Kohlenstoff

Zusammenfassung Die Aufteilung der Phasenfelder (1100° C) im Dreistoff: V–As–C wird ermittelt. Die Phase mit Cr₃Si-Typ (A15) und die T1-Phase (W₅Si₃-Typ) besitzen eine von der Stöchiometrie abweichende Zusammensetzung. Neben den schon beschriebenen Phasen V₅As₃C_0,7 (aufgefüllter D8₈-Typ) und V₂AsC (H-Phase) existiert noch eine weitere ternäre Phase der Formel V₃AsC. Die Struktur derselben wird mittels Einkristallmethoden bestimmt; Raumgruppe D _2h ¹⁷ , die Gitterparameter sind:a=3,128 Å,b=10,140 Å,c=7,699 Å. Die Struktur kann durch Auffüllung der Oktaederlücken im Re₃B-Typ abgeleitet werden.

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The equilibria for the ternary system: V–As–C are investigated for 1100°C. The respective compositions of the phase having Cr₃Si-type (A15) and the T1-phase (W₅Si₃-type) differ from stoichiometry. Besides V₅As₃C_0,7 (filled D8₈-type) and V₂AsC (H-phase) already described there is another ternary phase of formula V₃AsC. The crystal structure of V₃AsC has been determined by single crystal methods: Space group D _2h ¹⁷ ; the lattice parameters are found to be:a=3.128 Å,b=10.140 Å,c=7.699 Å. The crystal structure of V₃AsC can be derived by filling of the octahedral voids of the Re₃B-type.

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Mit 2 Abbildungen     

Der Aufbau einiger Silizidsysteme von Übergangsmetallen

Zusammenfassung Die pseudobinären Silizidsysteme: TiSi₂–CrSi₂, CrSi₂–TaSi₂ und Cr₃Si–Mo₃Si wurden röntgenographisch untersucht.TiSi₂ löst sich bis zu rund 90 Mol-% in CrSi₂. In diesem Paar besteht bei rund 1300°C nur ein schmaler heterogener Bereich.Die isotypen Disilizide CrSi₂–TaSi₂ scheinen auch bei einer Temperatur knapp unterhalb der Erstarrung nicht lückenlos ineinander überzugehen; bei 1300° besteht eine breite Mischungslücke (11 bis 60 Mol-% TaSi₂).Die isotypen Phasen Cr₃Si und Mo₃Si bilden schon bei 1300° eine vollkommene Mischkristallreihe.Mit 3 Abbildungen.     

Untersuchungen in Systemen: Übergangsmetall (T)-Bor-Aluminium

Zusammenfassung Legierungen in den Dreistoffen Ti(Zr, Hf)–B–Al werden durch Heißpressen und Homogenisieren, teilweise durch Reaktion der kaltgepreßten Ansätze bei 1200°C hergestellt. Der Aufbau bei etwa dieser Temperatur ist im wesentlichen durch die Gleichgewichte zwischen den Diboriden der Übergangsmetalle und AlB₂, Aluminium sowie den Aluminiden gekennzeichnet. Es wird keinerlei Löslichkeit in den binären Phasen beobachtet, doch treten in den Systemen Zr–B–Al und Hf–B–Al die Bor-stabilisierten Phasen Zr₅Al₃B _x und Hf₅Al₃B _x mit teilweise aufgefülltem Mn₅Si₃-Typ sowie eine -Phase Hf_0,45Al_0,50B_0,05 auf.     

Eine neue ma?analytische Methode zur indirekten Bestimmung von Phosphat mit ?thylendiamintetraacetat

Zusammenfassung Es wird eine neue maßanalytische Methode zur indirekten Bestimmung von Phosphat beschrieben: Phosphat wird in schwach perchlorsaurer Lösung mit eingestellter Wismutnitratlösung als Wismutphosphat gefällt und der Fällungsmittelüberschuß mit Äthylendiamintetraacetatlösung zurückgemessen. Die Tatsache, daß der Wismutphosphatniederschlag während und nach der Rücktitration von ÄDTA nicht angegriffen wird, erübrigt eine Filtration und ermöglicht somit eine rasche Phosphatbestimmung. Die Grenze der Bestimmbarkeit liegt bei 5 mg PO₄ ^–3 bzw. 1,7 mg P. Die Empfindlichkeit läßt sich durch Verringerung des Endvolumens noch etwas steigern. Störungen durch Hg, Sb, Fe³⁺, SO₄ ^2– und Cl^– lassen sich leicht beseitigen. Es stören nur noch In, Ga, Zr, Th und organische Komplexbildner.     

Untersuchungen in System Tantal-Wolfram-Kohlenstoff

Zusammenfassung Der Dreistoff Ta–W–C wird mittels druckgesinterter und lichtbogengeschmolzener Leigierungen röntgenographisch untersucht und eine Phasenfeldaufteilung bei 1700°C vorgenommen. Die lückenlose Mischbarkeit von Ta und W konnte bestätigt werden. Die Mischreihe der isotypen Me₂C-Phasen wird durch ein Gleichgewicht Monocarbid-Metallmischkristall unterbrochen. TaC (a=4,456 Å) vermag bei der Gleichgewichtstemp. rd. 30 Mol% WC_1–x zu lösen (a=4,394 Å). In Ta₂C wird ein nur geringer Austausch beobachtet, während sich der homogene Bereich von W₂C bis rd. 23 Mol% Ta₂C erstreckt. Im WC konnte keine Löslichkeit festgestellt werden.Aus den Phasengleichgewichten werden die Zersetzungsenergien der Phasen Ta₂C und W₂C errechnet. Die auf Grund thermodynamischer Daten errechnete Phasenfeldaufteilung im System Ta–W–C stimmt mit den experimentell gefundenen gut überein. Die in den bisher untersuchten Carbidmehrstoffen auftretenden Gleichgewichte werden diskutiert.Mit 8 Abbildungen     

Disilizidsysteme

Zusammenfassung Mit Hilfe röntgenographischer und thermoanalytischer Methoden wurden weitere Systeme von Disiliziden der 4., 5. und 6. Gruppe untersucht.Interessante Befunde ergeben sich bei: Cr(Ta)Si₂–TiSi₂–Mo(W)Si₂, TiSi₂–TaSi₂–CrSi₂ und CrSi₂–TaSi₂–MoSi₂. Zwischen Cr(Ta)Si₂ und (Ti, Mo)Si₂ bzw. (Ti, W) Si₂ mitC 40-Typ besteht ein lückenloser Übergang. Außerdem wird die Mischungslücke im System CrSi₂–TaSi₂ durch TiSi₂ bzw. MoSi₂ geschlossen.Mit 23 Abbildungen     

Untersuchungen an metallischen Systemen mit Flußspatphasen

Zusammenfassung Durch Zusammenschmelzen der Komponenten in den Systemen: Li–Al–Si, Li–Al–Ge und Li–Ga–Si werden Phasen der ungefähren Zusammensetzung ABC mit C1-Struktur hergestellt. Zwischen LiAlSi und LiAl besteht ein weiter homogener Bereich. Dieser Mischkristall vermittelt zwischen dem C1- und dem NaTl-Typ; die NaTl-Struktur wird durch Li-Atomionen allmählich sind 5,93 bzw. 5,96₅ kX.E. Im Falle von LiGaSi besteht ein vollständiger Übergang von LiGa nach LiGaSi_0,8 mit einer zumindest teilweise statistischen Verteilung von Ga und Si. Das Bestehen der ternären Phase NaMgAs wird nachgewiesen; die Struktur ist C1-ähnlich, jedoch tetragonal. LiMgAs und AgMgAs gehen weitgehend ineinander über, ebenso löst sich NaMgAs in LiMgAs und AgMgAs merklich. LiMgBi und Mg₂Pb lösen einander etwas; zwischen LiMgSb und Mg₂Sn wird dagegen eine erhebliche Löslichkeit beobachtet. LiAlSi und Mg₂Si bzw. LiMgP und Mg₂Si lassen praktisch keine Mischkristallbildung erkennen. NiMgSb und NiMnSb gehen lückenlos ineinander über, wogegen sich CuMgSn und Mg₂Sn ineinander nicht lösen. Aus Untersuchungen der zugeordneten Paare: CuMgSb–CuAl₂ bzw. AlSb–Cu₂MgAl folgtein teilweiser Austausch in CuMgSb durch Al.Mit 2 Abbildungen     

Ein Beitrag zum Dreistoff: Molybdän-Aluminium-Silizium

Zusammenfassung Aus den Komponenten erschmolzene Mo–Al–Si-Legierungen werden in einem ausgedehnten Konzentrationsgebiet röntgenographisch untersucht. Es besteht eine lückenlose Mischreihe zwischen Mo₃Al und Mo₃Si. In Mo₅Si₃ (T 1) kann Silizium bis etwa zu einem Drittel durch Aluminium ersetzt werden. MoSi₂ nimmt nur geringe Mengen an Aluminium auf bis etwa zu Al/Si 0,05. Als ternäre Phase tritt die schon früher beobachtete Kristallart Mo(Si,Al)₂ mit CrSi₂-Typ in einem ausgedehnten Bereich bis zur Zusammensetzung MoSiAl auf. Diese Mischphasen sind mit den Mo-Aluminiden im Gleichgewicht.Mit 2 Abbildungen     

Röntgenographische Untersuchungen im System: Vanadin-Arsen-Kohlenstoff

Zusammenfassung Zwei neue binäre Vanadinarsenide werden identifiziert: V₅As₃ mit W₅Si₃-Struktur (T1) und V_1,5As, dessen Elementarzelle bestimmt wird. Im Dreistoff V–As–C werden zwei ternäre Phasen sichergestellt: V₅As₃C_0,7 mit teilweise aufgefüllter Mn₅Si₃-Struktur und V₂AsC mit Cr₂AlC-Struktur (H-Phase).

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Two new binary vanadium arsenides have been identified: V₅As₃ with W₅Si₃-structure (T1) and V_1,5As, of which the unit cell is determined. Two ternary phases were found in the ternary system V–As–C: V₅As₃C_0·7 having partially filled Mn₅Si₃-structure; V₂AsC cristallizes with the Cr₂AlC-type (H-phase).

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Mit 1 Abbildung     

Untersuchungen in den Dreistoffen Cer-Thorium(Uran)-Silicium

Zusammenfassung Die Dreistoffe Ce–Th(U)–Si werden mittels gesinterter Proben röntgenographisch untersucht. Aus Schmelzpunktsmessungen und Gefügebeobachtung wird ein vorläufiges Zustandsschaubild von Cer-Silicium aufgestellt. Neben den bereits bekannten Phasen Ce₃Si₂, CeSi, CeSi_<2 und CeSi₂ werden zwei neue Verbindungen gefunden: Ce₂Si und Ce_1,2Si. Der U₃Si₂-Typ für Ce₃Si₂ wird bestätigt, die Gitterparameter werden ermittelt. Der Dreistoff Ce–Th–Si ist durch das Auftreten der lückenlosen Mischreihen (Ce,Th)₃Si₂, (Ce,Th)Si und (Ce,Th)Si₂ gekennzeichnet. Im Gegensatz dazu sind im System Ce–U–Si die gegenseitigen Löslichkeiten der Ce- bzw. U-Silicide gering.

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X-ray studies were carried out within the ternary system Ce–Th(U)–Si using sintered specimens. A preliminary phase diagram of the binary system cerium-silicon has been established on the basis of additional metallographic findings and melting point measurements. Besides the already described phases Ce₃Si₂, CeSi, CeSi_<2 and CeSi₂ two new compounds Ce₂Si and Ce_1,2Si have been detected. The crystal structure of Ce₃Si₂ has been confirmed, the lattice parameter being determined. The ternary system Ce–Th–Si is characterized by the presence of three continuous solid solution series (Ce,Th)₃Si₂, (Ce,Th)Si and (Ce,Th)Si₂. By contrast the mutual solubility of the Ce- and U-silicides in the system Ce–U–Si is low.

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Mit 7 Abbildungen     

Untersuchungen in den Dreistoffen: Cr−W−Si und Mo−W−Si

Zusammenfassung Der Schnitt: Me₃Si (Me=Cr, W bzw. Mo, W) wird an Hand heißgepreßter und in Argon homogenisierter Legierungen untersucht; es läßt sich weder das metastabile W₃Si, noch eine W-reiche Mischphase von diesem Typ beobachten. Cr₃Si nimmt bei 1500°C etwa 20 Mol%, W₃Si auf, während Mo₃Si selbst bei 1900°C praktisch kein W₃Si löst (ev. wenige Mol%). Dagegen bestehen lückenlose Mischreihen zwischen den Me₅Si₃-Phasen mit W₅Si₃-Typ. Die grundsätzliche Aufteilung der Phasenfelder ist damit möglich.Mit 2 Abbildungen     

Untersuchungen im Dreistoff: Ni−Al−Si sowie von Mono- und Disilicidsystemen einiger Übergangsmetalle

Zusammenfassung An Hand von Schmelzproben wird das Mischungsverhalten einiger Disilicidpaare (V, Cr, Mn, Fe, Co und Ni) festgestellt. VSi₂–CrSi₂ bilden eine lückenlose Mischreihe; CrSi₂ löst rund 25 Molproz. MnSi₂; in etwa gleichem Ausmaße lösen einander MnSi₂ und FeSi₂. Alle übrigen Paare: CrSi₂–FeSi₂, –CoSi₂ bzw.–NiSi₂ und MnSi₂–CoSi₂ bzw.–NiSi₂ zeigen nur geringe Mischbarkeit. Auch die Löslichkeit von CrSi₂ in MnSi₂ ist nicht ausgeprägt.Im Dreistoff Ni–Al–Si werden die ternären Kristallarten Ni(Al_0,5Si_0,5) mit FeSi-Typ (a=4,52₈ kX·E.) und Ni₃ (Al, Si)₇ mit Ir₃Ge₇-Type (a=8,27₄ kX·E.) aufgefunden. Der weitgehende Übergang von NiAl nach NiSi₂ wird vom Standpunkt der Strukturverwandtschaft diskutiert. Auch in der Phase Ni₂Al₃ erfolgt ein merklicher Austausch Al/Si.Mit 2 Abbildungen