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在分析单电子晶体管(Single Electron Transistor，SET)I-V特性基础上，阐明了背景电荷对SET I-VGS特性和I-VDS特性的影响，并针对SET工作的不同情况，提出了解决背景电荷问题的几种不同方法。举例说明了其中的一种抑制SET积分器电路背景电荷的方法，仿真结果证实了其有效性。文中所提出的解决背景电荷问题的方法同样适用于其它SET电路。 相似文献
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报道了第一支0．25um栅长n型Si/SiGe调制掺杂场效应晶体管的制作和器件特性结果，器件用于超高真空／化学汽相淀积（UHV／CVD）制作的器件，在300K（77K）下，应变Si沟道的迁移率和电子薄层载流子的深度为1500（9500）cm2/V.s和2．5×10^12(1.5*10^10)cm^-2，器件电流和跨导分别为325mA/mm和600mS/mm，这些值远优于Si MESFET，它们可与所获得的GaAs/Al-GaAs调制掺杂晶体管的结果相媲美。 相似文献
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对于硅ＮＰＮ晶体管中新型的收集区局部掺杂结构以及常规的收集区均匀掺杂结构，本义采用数值分析，计算出这两种结构的晶体管内部的电势及电场的：二维分布．结果表明：在常规结构中，其浓硼扩散结的弯曲边缘处存在着电场集中效应，收集极雪崩出穿电压ＢＶｃｂｏ深受这种效应的影响．而在新型结构中，上述电场集中效应不复存在，其收集极雪崩击穿电压ＢＶｃｂｏ获得了明显的改善． 相似文献
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本文对非线性双极晶体管的模型进行了研究,非线性晶体管模型对微波CAD和无线电系统仿真都是非常关键的。本文采用等效电路模拟非线性双极晶体管,给出了等效电路模型及模型参数,并用这些参数描述了非线性双极晶体管工作过程中的直流特性和各种效应:基区宽度调制效应、电荷储存效应;正向电流增益(BF)随电流的变化以及温度的影响等。为准确地建立不同用途双极晶体管的模型提供了依据。 相似文献
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研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能的进行比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率,高的电流能力,改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿,电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。 相似文献
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短沟道效应是MOS器件特征尺寸进入Sub-100nm后必须面对的关键挑战之一。Halo结构能够有效地抑制短沟道效应,合理的Halo区掺杂分布会极大地改善小尺寸器件性能。文中采用器件和工艺模拟工具ISE-TCAD研究形成Halo结构的工艺参数对器件性能的影响,并进行优化。分析表明,Halo注入角度、能量和剂量的增大会提高器件的阈值电压和开关比,降低泄漏电流和阈值漂移,有效抑制SCE、DIBL效应,但同时也会部分地降低驱动能力,即Halo注入参数对器件性能的影响不是简单的线性关系,需要根据具体条件寻求优化值。 相似文献
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