不同稳定剂对水溶性CdTe纳米晶光学性质的影响

分别用巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),L-半胱氨酸(L-Cys),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)作为稳定剂,在水相中合成出CdTe纳米晶体,研究了稳定剂对所制备的纳米晶光学性质的影响,并且对所合成的球状和棒状纳米晶的稳定性进行了研究。实验结果表明,不同的稳定剂可以得到不同型貌的纳米晶,用L-半胱氨酸(L-Cys),巯基乙酸(TGA),巯基丙酸(MPA),3-巯基-1,2-丙二醇(TG)所得到的CdTe纳米晶的吸收和发射峰位不同,这是受稳定剂自身的官能团性质和空间位阻作用影响的结果。     

CdSe/CdZnSe超晶格的激子光学性质的研究

用分子束外延法在GaAs衬底上生长了CdSe/Cd0.65Zn0.35Se超晶格结构。利用X射线衍射（XRD）、77K下变密度激发的光致发光光谱和变温度光致发光光谱研究了CdSe/CdZnSe超晶格结构和激光复合特性，在该材料中观测到激子－激子散射发射峰，变密度激发光致发光光谱和谱温度光致发光光谱证实了这一现象，激子发射峰的线宽随着温度的升高而展宽，低温时发光峰的宽度主要是由合金组分和阱垒起伏引起的，没温时激子线宽展宽是由于激子与纵光学声子和离化的施主杂质间的散射作用引起的，光致发光的强度随着温度的升高而降低，这主要是由激子的热离化造成的，也就是说，热激发使得电子或空穴由阱中跃迁至垒上。     

CdSe纳米晶的制备条件对发光特性的影响

以巯基乙酸为稳定剂,在水相中制备了CdSe纳米晶水溶胶,并用X射线光电子能谱和透射电子显微镜对其进行了表征,证明了CdSe纳米晶的形成。研究了在不同反应时间所制备的CdSe纳米晶的XRD谱以及吸收光谱和发射光谱的变化情况,并且还研究了不同反应物配比情况下的发射光谱的变化,结果表明改变CdSe纳米晶的制备条件,将会对CdSe纳米晶的发光特性有显著的影响。     

单分散性CdSe纳米晶的合成——成核及其生长过程

 在氩气保护下,用三辛基亚磷酸和油酸分别作为Se和Cd的配位体,在260～300 ℃的十八烯溶液中合成了尺寸可控的CdSe纳米晶。该纳米晶不用进行进一步的提纯和尺寸分离就具有单分散性,其量子尺寸限域效应非常明显——吸收光谱的第一吸收峰峰位随着纳米晶的长大而发生红移;该纳米晶质量很高,具有很强的发光能力,其发射光谱对称的形状和合理的Stokes频移（13 nm）显示,该纳米晶的发光完全出自带隙,没有来自缺陷的发光。此外,实验结果表明,通过改变三辛基亚磷酸的浓度可以调节成核和生长的快慢,从而可以在不同的反应时间得到不同尺寸的单分散性CdSe纳米晶。     

CdSe/CdS核/壳型纳米晶的光谱特性

以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe/CdS核／壳型纳米晶。用光吸收谱（Abs)、光致发光谱（PL）及光致发光激发谱（PLE）研究了CdS壳层对CdSe纳米晶电子结构，从而对其吸收和发光性能的影响。根据PL和PLE的结果以及带边激子精细结构的计算结果，我们用尺寸很小的纳米晶中所形成的基激缔合物解释了PL光谱与吸收边之间较大的Stokes位移。     

基于CdSe纳米晶发光器件的电致发光特性的研究

以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中制备了硒化镉(CdSe)纳米晶。用X射线光电子能谱(XPS)及其在水溶液中的紫外可见吸收光谱对其进行了表征。又以CdSe为发光材料制备了两种结构的电致发光器件,并对它们的光致发光和电致发光特性进行了研究。在两个器件的电致发光中都得到了CdSe纳米晶的发光,说明CdSe纳米晶是主要的发光中心而聚乙烯咔唑(PVK)只是空穴注入和传输的媒介。在电致发光光谱中还出现了一个不同于CdSe纳米晶和PVK的发光峰值,它是CdSe/BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)界面处的电致发光激基复合物的发光。     

ZnO纳米晶/巯基乙酸复合膜的荧光特性

用自组装方法将巯基乙酸(MPA)与ZnO纳米晶薄膜(ZDF)通过共价键偶联到一起,形成纳米晶／巯基乙酸复合膜(ZDF／MPA)。采用发光光谱和XPS电子能谱技术,研究了ZDF／MPA的荧光特性以及它们之间的能量传递机制。研究发现ZDF／MPA中ZnO自由激子发光和束缚激子发光强度随着巯基乙酸的浓度增大而分别呈现不同的非线性减弱关系,当巯基乙酸达到一定的浓度量时,ZnO荧光完全消失。研究表明：ZnO纳米薄膜与MPA之间能够发生成键作用,并且在成键之后发生了能量传递。     

磷化铟纳米晶的制备及光学性质研究

阐述了目前国内外的磷化铟纳米晶研究状况。用有机溶剂回流退火法制备出了磷化铟纳米晶，并通过XRD谱计算出平均粒径为55nm。喇曼光谱表明：由于纳米颗粒的量子尺寸效应, 2个散射峰都向低能量方向发生了较大的移动。UV VIS表明样品的吸收边相对于体块InP（970nm）发生了显著的蓝移，说明带隙变宽，表现出明显的量子尺寸效应。PLE谱在380nm时，PL谱峰在573nm时,相对于体块InP的红外区的荧光光谱发光峰发生了显著的蓝移，说明磷化铟纳米晶在光电子器件领域和非线性光学领域有非常好的应用前景。     

CdSe纳米晶带隙随温度变化的研究

根据带隙与吸收光谱的第一吸收峰峰位之间存在的关系,测量了粒子尺寸分别为4.0 nm和2.5 nm的CdSe纳米晶在不同温度下的吸收光谱,找出了吸收光谱第一吸收峰峰位随温度的变化关系,总结出了CdSe纳米晶的带隙随温度的变化关系.结果表明：CdSe纳米晶材料的发光器件的发光颜色取决于它的带隙.     

CdSe:Nd纳米晶及CdSe:Nd@SiO2核壳结构的合成及发光性能

利用有机相法合成Nd³⁺掺杂CdSe纳米晶（CdSe∶Nd）,通过X射线粉末衍射（XRD）、透射电镜（TEM）、紫外吸收光光谱及荧光光谱表征,证明Nd³⁺已经成功掺入到CdSe的晶格中。与纯CdSe纳米晶相比,CdSe∶Nd纳米晶的结构仍为立方晶型,且形貌近似球形,均匀分散,粒径约为2~4 nm。紫外吸收峰和荧光发射峰都发生红移,而且掺杂后的CdSe∶Nd纳米晶量子产率也提高,这可能是由于掺杂Nd³⁺引入了新的杂质能级,带隙减小。为了实现CdSe∶Nd纳米晶的可加工性和功能性,通过微乳法合成SiO₂壳包覆的CdSe∶Nd纳米球（CdSe∶Nd@SiO₂纳米球）,CdSe∶Nd@SiO₂纳米球呈均匀球形,直径约为100~115 nm,并且包壳后的CdSe∶Nd@SiO₂纳米球发射峰（581 nm）与CdSe∶Nd纳米晶（598 nm）相比,发光强度提高且发射峰蓝移,蓝移约为17 nm,可能是因为SiO₂壳可以减少纳米晶表面的非辐射跃迁以及改善表面缺陷导致的。     

氨基酸稳定的CdSe纳米晶对溶菌酶进行荧光标记

利用氨基酸中惟一带有巯基的L-半胱氨酸盐酸盐(L-Cys)作为稳定剂在水相体系中合成CdSe纳米晶,通过表面包覆的L-Cys与生物试剂溶菌酶进行结合,实现CdSe纳米晶对溶菌酶的荧光标记.利用TEM、荧光光谱仪及荧光显微镜等多种手段对样品的结构、形貌及光学性能进行表征.试验结果表明,利用L-Cys为稳定剂合成的CdSe纳米晶具有较强的生物活性,L-Cys本身所带的氨基和羧基可以和多种生物试剂通过不同途径进行结合.对溶菌酶(Lys)标记前后,CdSe纳米晶的发射光谱的峰位发生微小红移,大约为2nm,半峰全宽基本保持不变,在40~50nm之间,荧光强度随所标记的Lys浓度的不同均发生明显增强.所有特性均表明实验所合成的CdSe纳米晶在生物标记方面具有很好的实用价值.     

Selective Synthesis of Wurtzite CdSe Nanorods and Zinc Blend CdSe Nanocrystals through a Convenient Solvothermal Route

By simply changing the reactants’ compositions, wurtzite CdSe nanorods and zinc blend CdSe nanoparticles were selectively synthesized through a convenient solvothermal route with the reaction of cadmium nitrate (Cd(NO₃)₂· 4H₂O), hydrazine hydrate (N₂H₄· H₂O), and Se in ethylenediamine (en) at 140°C. Effects of temperature and composition of the reactants were detected and the amount and gaining rate of Se²⁻ ions were found to determine the morphology and structure of the final product. Dong Wu and Guo-Qiao Lai contributed equally to this paper     

壳层相关的CdSe核/壳量子点发光的热稳定性

测量了CdSe/ZnS(3 ML)核/壳结构及CdSe/CdS(3 ML)/ZnCdS(1 ML)/ZnS(2 ML)核/多壳层结构量子点在80~460 K范围内的光致发光光谱,研究了壳层结构对CdSe量子点发光热稳定性的影响。详细地分析了CdSe量子点的发光峰位能量、线宽和积分强度与温度之间的关系,发现CdSe量子点的发光热稳定性依赖于壳层结构。CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点在低温和高温部分的热激活能均大于ZnS壳层包覆的CdSe量子点,具有更好的发光热稳定性。此外,在300-460-300 K加热-冷却循环实验中,CdS/ZnCdS/ZnS多壳层结构包覆CdSe量子点的发光强度永久性损失更少,热抵御能力更强。     

非晶态硒化镉瞬态光致发光特性

研究了非晶态硒化镉薄膜时间分辨光致发光强度随时间的衰减和发光峰值能量随时间的变化，用载流子成对模型分析了光生载流子的热释和辐射复合初始动力学过程．     

具有表面修饰的SnO2纳米微晶的光学性质研究

给出了裸的及包裹ＳｎＯ２纳米微晶的吸收、荧光和激发谱的实验结果。发现随着粒子尺寸的减小,包覆一层有机分子的ＳｎＯ２纳米微晶的吸收谱带边向长波方向发生位移,这与裸ＳｎＯ２纳米微晶的结果是不一致。表明纳米晶体的尺寸及其表面状态对它们的光谱性质有很大影响。从量子限域效应和介电限域效应两个方面对实验结果进行了讨论。     

Mn2+, Pb2+共掺杂ZnS纳米材料制备及光致发光

采用聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)为表面包覆剂,在室温大气条件下的水溶液中制备了ZnS:Mn,Pb纳米晶。讨论了Mn²⁺和Pb²⁺掺杂量对ZnS纳米发光材料光致发光强度的影响,确定了Mn²⁺和Pb²⁺掺杂量相对于Zn²⁺的最佳的量的比,并对其发光机理进行了初步的探讨。