环氧基材PCB对无铅焊锡装配适应性的研究

讨论了环氧基材PCB对无铅焊锡装配的适应性、铜竭顶的可靠性，证明双氰胺固化的环氧基材不能适直无铅焊锡装配：酚醛树脂固化的环氧基材有解决此问题可能性，但都是PCB制造商们的技术决窍。     

环氧基的PCB对无铅组装的兼容性

综述了环氧树脂基的PCB与无铅化组装的兼容性问题。经过大量试验表明,常规的FR-4基材和双氰胺固化的高Tg基材是不能满足无铅化组装要求的,而采用酚醛固化的中等-Tg的环氧树脂基材是可能成为无铅化组装用基材的。同时,PCB制造过程也起着重要的作用。PCB设计和再(回)流焊的加热梯度也影响着无铅化的性能。     

一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究

以无机锆盐为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ／Ｓｉ衬底上制备出一种新型Ｐｂ－ＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＰｂＴｉＯ（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心结构。这种结构对于ＰＺＴ的晶化有很好的促进作用,其最终的退火温度为７００℃Ｃ－Ｖ特性,介电步率响应,漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。     

锰掺杂(Bi0.5 Na0.5)0.94Ba0.06TiO3陶瓷的热释电性

研究了溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备的锰掺杂(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3系陶瓷的热释电性能。研究发现,该系列材料具有优良的热释电性,适量锰的掺杂可有效降低材料的介电常数和介电损耗,从而进一步提高材料的热释电电压响应优值和热释电探测优值。对于Sol-Gel工艺制备的(Bi0.5Na0.5)0.94Ba0.06TiO3 x%Mn(x=0~0.4,质量分数)陶瓷,x=0.1~0.2范围内材料的热释电性能较好,主要的热释电参数:热释电系数p≈3.1×10-4~3.9×10-4Cm-2K-1,电压响应优值FV≈1.9×10-13~2.0×10-13Cm/J,探测优值FD≈3.3×10-11~3.8×10-11Cm/J。     

挠性印制板用环氧聚合物与聚丙烯酸脂共聚物——互穿网络挠性基材的研究

本文采用了环氧聚合物与聚丙烯酸脂共聚物形成单体-预聚合-聚合物-单连互穿-互穿网络-进行研究来解决膨胀系数小、尺寸稳定、耐热性高、柔软非常好挠性印制电路基材。     

溶胶-凝胶K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3陶瓷的高温XRD研究

采用溶胶-凝胶法成功制备出K0.5Bi0.5TiO3(KBT)纳米微粉,并利用此微粉烧结出成瓷良好的KBT陶瓷。用XRD法测定了KBT陶瓷粉末室温和高温(600°C)时的点阵常数,确定KBT的高温相为立方结构(点群为m3m)并指标化其衍射线,给出了KBT陶瓷粉末的多晶XRD数据。     

硅基铁电薄膜的电性能研究

以 Sol- Gel方法制备了有 Pb Ti O3 (PT)过渡层的硅基 Pb(Zr0 .53 Ti0 .47) O3 (PZT)铁电薄膜 ,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属钛铂。测试了铁电薄膜的电性能 ,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势     

溶胶-凝胶法制备硼硅玻璃掺杂BST陶瓷的研究

研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响.实验结果表明,当x(SiO_2)＞10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相.x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度大于等于600 ℃,不存在第二相. Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的烧结温度低于传统工艺.Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的显微结构呈细晶结构(晶粒尺寸＜1 μm).随玻璃含量的增加,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷介电常数ε降低,介电峰变低,平坦,峰形宽化,介电损耗降低,居里温度TC向低温移动.     

高性能嵌入电容元件用的最佳环氧-钛酸钡纳米复合物

概述了旨在获得高性能和可靠的嵌入电容元件的最佳环氧-钛酸钡（BaTiO3）纳米复合物。为了在高填充量下改善聚合物-陶瓷纳米复合物的可靠性，采用仲橡胶处理的环氧进行环氧基体的改性，在连续的原环氧相（海洋）中形成隔离的柔性区域（岛屿）。系统地评估了海洋-岛屿结构对嵌入电容元件的热机械性质，附着性和热应力可靠性的影响。最佳的橡胶处理的纳米复合物组成具有50以上的高介质常数，成功地通过了严格的热应力可靠性试验。大面积的薄膜电容器测得89MV／m的高击穿电压和约为1．9×10^-11A／cm^2的低漏电流。     

硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析

利用溶胶-凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅(PT)作缓冲层,成功地制备了锆钛酸铅(PZT)高介电常数介质膜,其锆钛组分比为45∶55.研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电、铁电特性.结果表明,用这种方法制备的PZT薄膜在800℃退火15min晶化已相当完善,以(110)为择优取向;这些样品的结晶尺度根据衍射峰的半高宽估计为14～25nm左右;采用Sawyer-Tower电路和LCR电桥测试法获得的结果表明,经过800℃退火15min的PZT样品,其剩余极化强度为47.7μC/cm2,矫顽场强为18kV/cm,介电常数为158,损耗因子为0.04～0.055.     

挠性印制板技术最近发展（1）——材料发展

主要介绍2005年度挠性印制板一些新技术的发展,从挠性印制板的材料、生产技术和产品应用三方面作叙述.     

发展高频微波印制板技术分析

文章介绍高频微波印制电路板的各种基板材料特性和生产工艺特性,目的在于让传统PCB制造商了解利用现有资源进入高频微波产品导入方向。     

挠性板压合补强缺陷改善

挠性板生产过程中,在板上局部位置压合补强板以加强对挠性基板的支撑和方便插接是关键流程之一。补强热压时一般是采用半固化态且流动性相对较小的热固性等胶作为粘结,且由于一些补强板刚性大变形小,因此补强的压合过程存在填胶难的问题,胶的填充饱满与否直接影响到产品的可靠性和耐用性。通过研究不同的线路布置时填胶的难易,根据不同铜厚下的系列线路间距所需填胶量与覆盖膜弯曲深度的简单关系,提出了补强压合胶厚的选择原则;同时通过覆型方式的对比,对填胶空洞和焊盘凹陷等做出改善分析,在不改变压合参数的前提下给出了可行的改善途径。     

氰酸酯树脂在高性能印刷电路板的应用研究进展

氰酸酯树脂是一种含三嗪环网状结构的高性能树脂，该结构赋予它优异的力学性能和电学性能，广泛应用于高性能印刷电路板，文章中还展望了氰酸酯的发展前景。     

混合电路的PCB设计

高速PCB的设计中,混合电路干扰问题的解决是比较棘手的,而这部分电路常常又是系统能否正常工作的关键所在。通过深入分析干扰产生的机理,结合作者在实际设计中的体会,提出了混合电路一般处理原则,并通过两个混合电路的处理实例,给出两种电源和地的处理方案,实践证明,这样有效减小了数模混合电路间的耦合互扰,从而获得了较好的系统整体性能。     

PCB基材的选用和翘曲等故障的防治

在印刷制造电路板中，基材的选用和制造质量直接影响着整个电路板的制作。而基材制造中最大的问题是板材发生翘曲。丈章主要分析引起这种故障的相关因素，探讨在制造中如何防治这种故障。     

高频PCB基材介电常数与介电损耗的特性与改性进展

随着高频化PCB技术与产品占有越来越重要的地位,高频电路基板材料的发展也出现了高速化,其中比较重要的一方面就是低介电常数和低介质损耗因数的材料的选择,这是PCB基板材料实现高速化,高频化的重要性能项目。文章针对基板材料的介电常数与介电损耗的关系加以论述,并对它们与外部环境的关系做出相应的阐述,使得在PCB的制造中对各种基板材料进行合理正确的评估和使用。     

PCB基板材料用新型环氧树脂发展综述

文章对日本近年在高性能PCB基板材料用新型环氧树脂的品种、性能及应用进行了阐述。     

浅谈在设计中如何提高印制电路板的抗干扰性

抑制噪声源是印制电路板抗干扰设计中的一个重要方面,通过文章介绍的六种途径可有效抑制噪声源的产生。     

高速电路PCB中串扰的仿真分析与抑制对策

针对串扰在高速电路印刷电路板(PCB)设计中造成严重的信号完整性问题,介绍一种可尽早发现串扰引起的问题的方法。首先利用信号完整性仿真软件HyperLynx,建立两条攻击线夹一条受害线的三线平行耦合串扰仿真模型;然后通过仿真分析传输线平行耦合长度、平行耦合间距、传输线类型、信号层与地平面层之间的介质厚度等因素对串扰噪声的影响;最后综合这些影响因素,并根据PCB设计顺序,给出抑制串扰的详细措施。实践表明,这些措施对高速PCB的设计,具有实用、可靠和提高设计效率的意义。