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江进杰 《四川大学学报(自然科学版)》1985,(4)
本文通过对多次沉积和一次沉积制备a—Si:H薄膜光电性质的对比测试发现:多次沉积a—Si:H薄膜的暗电导率,在外电场的作用下发生衰减现象;光致变化行为与一次沉积a—Si:H薄膜的Staebler-Wronski效应不同;表观吸收系数也有较大的变化.对上述现象产生的原因进行了初步的分析. 相似文献
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微波光电导衰退测量少子寿命的新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它对各种半导体器件的电特性有很大影响.已有许多作者采用微波方法测量半导体材料的少子寿命.这种方法本质上是光电导衰退法.由于可做到无接触测试,它显示了较大的优越性.但是,为了把样品 相似文献
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本文提出一种廉价高效非晶硅叠层电池的基本设计方法,给出一系列有关电池参数最佳化的技术数据.文中讨论了该设计方法在a-Si/poly Si叠层太阳电池方面的应用.计算和实验结果表明,a-Si/poly Si叠层电池的光电流主要受顶部的a-Si:H nip电池的限制. 相似文献
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非晶态半导体“超晶格”是近两年多来研制成功的,为寻求新的半导体材料和器件结构闯出了一个新的领域,因而受到了广泛重视,我们已制出了多种非晶态超晶格膜,对这些材料来说,在国内还是首次。 相似文献
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本文报告射频溅射非掺杂a-Si:H溥膜的一个新效应——光诱导Si—H键变化。在长时间强光照后,样品的红外振动光谱中Si—H 键三个振动模(600cm~(-1),800cm~(-1),2000cm~(-1))的积分强度同时按相同的比例显著增强,变化达34%.光诱导Si—H 键变化可以通过热退火得到恢复.样品的光诱导电导率和自旋信号的变化也进行了测量,发现Si—H 键积分强度随光照时间的变化规律与光诱导电导率的变化规律相似.本文提出一个简单的模型对此现象作出定性的解释. 相似文献
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我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟道宽度是影响管子性能的主要参量,当隙态密度为10~(16)cm~(-3)ev~(-1)时,电流开关效应达10~8,工作频率为几兆周. 相似文献
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林鸿生 《北京大学学报(自然科学版)》1997,(3)
基于实验结果,应用Scharfeter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-SiHSchotky势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明,随着光辐照发生的载流子俘获造成的a-SiH中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区(低场“死层”)的出现,从而导致载流子收集长度的减少。这是a-SiHSchotky势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是,一种提高a-SiH太阳能电池稳定性的新途径有可能被提出 相似文献
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通过对射频溅射RF a-Si:F,H薄膜样品光电导随入射光的波长、光强以及温度变化的测量,定量地考察了带隙、带尾态的宽度和带隙中悬键态密度与氟含量的关系,给出了氟原子在网络中一种可能的分布形式。按照Rose模型,计算了电光导随温度的变化关系,给出了局域态分布的位置、高度、宽度以及俘获截面等参量,理论计算与实验符合较好。 相似文献
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研究了衬底温度(Ts)从室温至623K生长的氢化非晶硅(a—Si:H)的光电导的温度依赖关系,首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a—Si:H的Ts的降低系统地移向较低温度区.分析了a—Si:H中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系. 相似文献
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当脉冲辐照a-Si∶H膜的XeCl激光能量密度在240mJ/cm ̄2以上时,可引起被辐照膜发生明显的固相晶化;通过拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微照象(SEM)和紫外(UV)分光光度吸收谱的实验,研究了不同辐照条件、不同膜厚及各种膜结构试样的晶化效果;还研究了使用CO_2激光退火对被辐照膜的影响。结果表明,晶化膜的晶粒大小在0.1~1.0μm时,Raman位移为510cm ̄(-1)~517cm ̄(-1)、半峰高宽度为10cm ̄(-1)~15cm ̄(-1);a-Si∶H膜经XeCl激光辐照或CO_2激光退火后,都会增强晶化膜的吸收效率。 相似文献
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我们应用光声技术,研究 a-Si:H/a-SiN_x:H 超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大. 相似文献
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我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽度减小而增大。 相似文献
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杨左宸 《四川师范大学学报(自然科学版)》1995,18(3):99-101
本文作者根据显著观测和发光光谱的测试结果表证实了在ZnS:Cu单晶中,蓝色铜发光中心及绿色铜发光中心的分布和位错线区域的横向与纵向的显著与纵向的显著结构有着固定的对应关系。 相似文献
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氧化锌压敏陶瓷击穿的几何效应与微观结构的关系 总被引:8,自引:0,他引:8
采用两面磨薄试样的方法,研究具有不同击穿场强的氧化锌压敏陶瓷的击穿场强与E1mA与厚度的关系,得到了击穿中场强E1mA随厚度变化的几何效应规律,利用光学显微方法,观测试样微观结构并用ZnO晶粒工度的分散度和平均晶粒长宽比作为微观结构特征参数表征ZnO晶粒尺寸分布的不均匀性和形状的不规整性,研究表明,临界厚度d0与ZnO晶料尺寸的分散度成正比;斜率b2与平均晶粒长宽比也成正比,建立了宏观电性能与微观 相似文献
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报导了在P/I界面引入CGL:B:C*缓冲层对大面积(2790cm2)单结集成P-I-N型。a-SI:H太阳电池性能影响的研究结果.实验发现:带有CGL:B:C层的a-SI:H太阳电池性能的提高主要是填充因子FF的增加所导致,实验所得电池的FF平均达60.33%,平均有效面积转换效率FF达6.0%,分别比目前的生产水平(FF=53.9%,EF=53%)提高了11.99%和13.2%.最后,依据建立的电池能带模型,从理论上解释了引入CGL:B:C后电池性能得以提高的原因. 相似文献
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使用N_2O作为掺杂剂将氧掺入GD a——Si∶H中,研究了氧对a—Si∶H的电学和光学性质的影响。结果表明,氧的加入使电导率降低,电导激活能和光学带隙增大,电子迁移率下降,隙态密度增大。 相似文献
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a-St:H FET特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从理论和实验两方面对a-Si:H FET的特性进行分析研究。给出了一种关于a-Si:H FET新的理论分析方法,假设a-Si:H能隙中深局域态密度和带尾局域态密度均为指数分布,并且考虑到漏源电压对沟道表面势的影响,采用简便的方法和合理的近似推导出了较全面反映a-Si:H FET特性的解析表达式。同时在实验中,研制了用SiO_2或Si_3N_4作为栅绝缘层的a-Si:H FET,测量得到了不同绝缘层和不同沟道长度的各a-Si:H FET的直流特性。当栅压变化20V时,漏源电流可以变化10~4。最后,对理论计算及实验结果进行了分析和比较。 相似文献