共查询到20条相似文献，搜索用时 0 毫秒
1.
半导体超晶格物理与器件（１２）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）二、超晶格异质结界面性质的光谱技术研究如前所述，超晶格材料是一种由多层超薄膜和多个异质结界面组成的叠层结构。其界面状况，如界面原子状态、化学组成、界面突变性以及界面形成过程等... 相似文献
2.
半导体超晶格物理与器件（终篇） 总被引：1，自引：0，他引：1
半导体超晶格物理与器件（终篇）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）五、谐振隧穿量子效应器件谐振隧穿是电子在垂直于超晶格异质结方向输运性质研究的一个重要环节［４６～４７］。从本质上讲，垂直输运是电子和空穴在一定场强下获得一定能量横穿势垒的运动... 相似文献
3.
4.
在半导体超晶格物理与器件的研究中,锗硅超晶格、异质结、量子阱材料与器件的研究占据着十分重要的地位.这是因为,以Si_(1-x)Ge_x/Si和Ge/Si为主的硅基低维材料具有许多显著不同于体单晶硅,而且相异于Ⅲ-V族超晶格的优异性质,如可生长大直径尺寸单晶,机械强度高、导热性能好、制备工艺成熟、价格低廉,SiGe合金中Ge的组分可调,可与现代微电子技术相兼容,布里渊区的折叠效应可使Si由间接带隙变为直接带隙等,因此在微米波段,毫米波段,超高速ECL电路,红外焦平面阵列等高速电子器件及其集成光电子器件中有着潜在的应用. 相似文献
5.
半导体超晶格物理与器件（１６）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）三、纳米半导体结构的光学性质所谓纳米半导体结构一般是指结构尺寸为几～几＋ｎｍ的低维量子体系。目前研究最活跃的有采用选择外延生长技术制备的量子线与量子点微结构，采用低压成膜技术... 相似文献
6.
7.
半导体超晶格物理与器件（１４）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第四章半导体介观体系的物理介观体系的物理是凝聚态物理中发展得很快的一个研究领域。从历史上讲，它源于７０年代末和８０年代初对无序体系电子输运性质的研究。近年，随着半导体超微加工... 相似文献
8.
9.
10.
11.
12.
半导体超晶格物理与器件（１１）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第三章超晶格异质结的结构表征２０余年来，材料物理学家们已采用ＭＢＥ和ＭＯ－ＣＶＤ等现代超薄层外延工艺生长了各种超晶格和量子阱微结构，并对这些人工结构所具有的新鲜电子和物理性质... 相似文献
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.