薄膜混合微电路双面电阻图形制作技术

本文简要从版图设计、工艺等方面介绍薄膜双面电阻图形的制作技术．薄膜双面电阻图形基饭附会标准要求，可实现小批量生产。依此基板研制了LHB2004带温控正、负恒流源混合微电路。     

混合微电路无铅导电粘接工艺

在混合微电路组装中,使用无铅导电粘接剂的主要动力是环境因素,即减少或避免在电子工业中使用铅。铅是有毒的重金属元素,铅和铅的化合物已被环境保护机构(EPA)列入前17种对人体和环境危害最大的化学物质之一。由于无铅导电粘接剂不含铅,涂覆工艺简单,低的固化温度以及与电子组件生产中所用材料的工艺相容性,使导电粘接工艺在电子产品组装中应用已相当普及。     

美国军用混合微电路认证体系简介

本文简介了美国军用混合微电路认证体系的MIL-STD-1772文件的形成过程,主要内容,贯彻情况及取得的成效。这是一份混合微电路的指导文件。     

铝导带薄膜混合集成电路工艺的研究

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺。但铝与银浆的粘接一定的温度和时间下，会产生一种绝缘性金属间化合物，在一定的电压下产生穿，从而使最终产品失效。为此，可采用铝－镍复合导带加以解决，得到了满意的结果。     

混合微电路在军事／宇航电子装备中的应用

主要阐述了混合微电路在军事及宇航电子装备中的技术优势及各种应用实例。     

简论国军标《混合微电路总规范》

国军标《混合微电路总规范》突出了混合微电路的特点,有严格的生产线认证、鉴定程序和详尽具体的质量工艺控制规定,完善了质量保证评定程序。它为军用混合微电路研制单位提高产品质量和可靠性水平提供了保证。     

表面组装技术热气返工工艺

随着表面组装技术(SMT)越来越成熟,表面组装元件(SMC)和印制线路板(PCB)变得越来越复杂。因此表面组装返工技术也越来越引起人们的重视。目前较常用的几种返工技术分别是热气(Hot—Gas)返工工艺、热棒(Hot-Bar)返工工艺以及红外源(IR Source)加热返工工艺。本文对热气返工工艺作了全面叙述。     

汽车电子产品与厚膜混合集成电路

介绍了汽车电子产品的主要种类，并从汽车工作环境的特殊要求角度阐明了厚膜混合集成电路在汽车电子产品中应用的前景。     

厚膜混合集成恒温盒的研制

介绍一种用厚膜混合集成技术制作的恒温控制电路，用此电路制作的恒温盒不仅快速稳定性好，而且控制的温度不随内部集成在同一基片上的低功耗高精度电路动态功耗改变而改变。其主要技术指标：温度控制为８５±３℃；－４０～＋７０℃工作，５ｍｉｎ内快速稳定。     

芯片级尺寸封装返修技术工艺评定

与传统表面安装器件（SMD）方形扁平封装（QFP）相比,芯片规模封装（CSP）及焊球阵列封装（BGA）在元件尺寸方面显著缩减。回流后在芯片下方形成焊点的位置表明,目检是不可能的。对有缺陷的芯片而言,返修的唯一方法就是除去并替换该芯片。虽然元件拆除易于完成,但替换过程也许更复杂。比较两种PCB焊盘清洗方法并从最后的焊盘抛光得出结论,在第一个工艺技术中,采用热氮气脱焊技术回流焊盘上的任何残余焊料,并通过液化真空除去。第二个技术工艺涉及到使用网状焊料芯吸法及有刀片尖的焊接烙铁来除去PCB焊盘上的残余焊料。评定的四个淀积技术工艺,包括最小型模板、浸渍传递、接触及非接触模压技术。最小型模板用于把焊膏淀积到返修的元件部位的电子制造业的传统方法。     

成功的BGA返修

本文主要叙述了BGA封装返修工艺过程及其在返修过程中需要注意的一些问题,诸如热循环数目、预热、热风回流焊、粘附热电偶、热特性、工艺过程改进、BGA封装的构造及操作者的经验等。从而说明恰当地使用返修设备和履行工艺过程对成功的BGA返修的重要性。     

无铅BGA返修工艺

文章介绍了无铅BGA返修的温度曲线和工艺方法。     

军用陀螺专用混合集成电路

阐述了 HIC2 81军用陀螺专用混合集成电路的工作原理、设计思想、采用的工艺及关键技术。采用 PCB双面布线和 SMT技术 ,提高了集成度 ;合理的热设计及电感性负载能力的改善 ,提高了产品的稳定性及可靠性     

混合集成电路设计图纸的规范化探索

针对常规ＨＩＣ产品设计图纸中存在的固有弊端，结合国家有关电气及机械制图规范的原则，从ＨＩＣ成套设计图纸的类型及格式，绘图的基本原则，图纸的内容要求，绘图的方式及特点等方面探讨并制订了ＨＩＣ设计图纸的规范化要求与绘制规定。重点介绍了几种重要设计图纸的内容要求。     

Title:Spray pyrolysis of tin selenide thin film semiconductor: effect of the selenium concentration on the thin film properties

Thin films of tin selenide (Sn_xSe_y) with an atomic ratio of r=≤[y/x]=0.5, 1 and 1.5 were prepared on a glass substrate at T= 470 ℃ using a spray pyrolysis technique. The initial materials for the preparation of the thin films were an alcoholic solution consisting of tin chloride (SnCl₄·5H₂O) and selenide acide (H₂SeO₃). The prepared thin films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy, scanning tunneling microscopy, scanning helium ion microscopy, and UV-vis spectroscopy. The photoconductivity and thermoelectric effects of the Sn_xSe_y thin films were then studied. The Sn_xSe_y thin films had a polycrystalline structure with an almost uniform surface and cluster type growth. The increasing atomic ratio of r in the films, the optical gap, photosensitivity and Seebeck coefficient were changed from 1.6 to 1.37 eV, 0.01 to 0.31 and-26.2 to-42.7 mV/K (at T= 350 K), respectively. In addition, the XRD patterns indicated intensity peaks in r=1 that corresponded to the increase in the SnSe and SnSe₂ phases.     

混合集成电路有限元热分析技术的研究（下）──软件与应用

在对混合集成电路热特性分析和提出的模型／子模型基础上，开发了微机有限元ＨＩＣ热分析专用软件。应用所开发的软件对典型的ＨＩＣ进行了热分析，得到温度场分布。与热像仪实测结果对比，证实了该软件的正确性。