大电流激光二极管脉冲驱动器

本文给出一个通用型激光二极管脉冲驱动器的具体电路, 对于高速大电流脉冲电路研制过程中的若干技术问题, 给予了特别的关注。     

半导体激光器（LD）的大电流窄脉冲驱动源

本文介绍了一种不受开关管速度限制的,基于电容充电原理的,实现LD大电流窄脉冲的驱动电路。     

半导体激光器的大电流窄脉冲驱动电路的研究

介绍利用高频小功率晶体管的雪崩效应设计激光器的大电流窄脉冲驱动电路,对该电路建立了数学模型,并对电路参数进行了仿真。实验制作了产生宽度约为１０ｎｓ,峰值约２０Ａ的脉冲电路,仿真结果与实验相吻合,因此,对实际应用有一定的指导意义。     

纳秒脉冲半导体激光驱动器的研究

为了获得高功率、高重复频率的纳秒级光脉冲,介绍了一种基于Marx bank脉冲发生原理的纳秒脉冲激光驱动器的设计,以及设计过程中雪崩晶体管的选取.该驱动器采用一级小雪崩管对触发脉冲进行陡化,由小雪崩管产生的脉冲对Marx bank电路进行触发,以获得大电流窄脉冲,用于驱动半导体激光器.设计所得驱动器的峰值电流为12.5A、半峰全宽为1.51ns、重复频率为100kHz,实现了大幅度纳秒脉冲半导体激光驱动器的设计要求.结果表明,对触发脉冲的陡化,可以降低后一级Marx bank电路的雪崩电压,同时使得脉宽更窄,这将更加有利于驱动半导体激光器.     

迫弹激光引信用脉冲半导体激光电源的设计与应用

设计了适应于迫弹激光近炸引信的小体积、低电压、窄脉宽、高功率的脉冲半导体激光电源.采用电容充放电的模式,选用高速大功率MOSFET管作为开关,设计了相应的高速开关控制电路.激光电源模块的重复频率高达50kHz,常规热电池供电电压条件下的输出脉冲激光峰值功率为9W,光脉冲上升沿为4.2 ns,光脉宽为10 ns,为有效提...     

窄脉冲大电流半导体激光器驱动电路设计与仿真

设计出了一种窄脉冲大电流的半导体脉冲激光器驱动电路,并对电路进行理论分析以及Multisim仿真研究。相比以往研究,本仿真研究中考虑了电路和LD本身的寄生参数,使得仿真与实际电路更加吻合。该电路结构简单,采用了专用的MOSFET硬件关断加速电路和电容充放电方式向负载提供瞬时窄脉冲大电流的脉冲输出,脉冲宽度低于2.5ns,上升时间低于3.5ns,峰值电流超过20A。     

基于STM32的半导体激光光源驱动器的设计与实现

为实现半导体激光光源驱动器的工程化,设计了一套低功耗、低成本的实用型光源驱动器。该驱动器以ARM微控制器STM32F103VCT6为核心,以TEC控制器MAX1968为执行器件,配以相应的软件,以模糊PID计算控制量。实验证明,设计的控制器实现了半导体激光器驱动电流和温度的精密控制,温度控制精度可达到±0.03℃,激光输出功率稳定度可达到0.002dB,具有高性价比和高集成度。     

高功率脉冲半导体激光电源的研制

本文介绍了一种高功率脉冲半导体激光电源的设计,分析了工作原理,提供了设计方案,并给出了具体的设计参数.     

基于雪崩晶体管的脉冲半导体激光电源的设计

介绍了一种基于时间延迟和雪崩晶体管的纳秒级窄脉冲半导体激光器电源,该电源主要由脉冲发生电路、雪崩电路组成。实践证明,该电源可以作为一种简单的纳秒脉冲产生装置,产生脉宽〈30ns、峰值为1A的电流脉冲,用于驱动普通半导体激光器。     

ICF固体激光驱动器前级系统中的脉冲整形

本文就国内外ＩＣＦ固体激光驱动器前级系统脉冲整形方案进行了综述,并报导了我们实验室关于脉冲整形的最新进展。     

LD抽运声光调Q 1064nm窄脉宽激光器

激光二极管(LD)抽运固体激光器(SSLs)通过声光(A-O)调Q方法获得的短脉冲激光在激光测距、激光雷达等领域有着广泛的应用。从调Q速率方程出发,通过理论分析与合理的模拟,解释了脉冲输出平均功率和脉冲宽度与反转粒子数密度之间的关系。为了获得脉宽相对较窄的脉冲输出,在平-平谐振腔结构中使用LD单端抽运偏振吸收与发射的Nd:YVO4晶体,在抽运电流为32.6 A,重复频率为33.5 kHz,腔长为62 mm,输出镜透射率为50%的条件下获得了最短脉冲宽度为4.4 ns的脉冲激光输出。在抽运电流为31.6 A,腔长为77 mm的条件下,获得脉冲宽度为5.5 ns、峰值功率为26 kW的1064 nm脉冲激光输出。并且讨论了腔长、重复频率以及输出耦合镜透射率与脉冲宽度的变化关系。     

一种脉宽可调的窄脉冲激光器驱动电路设计

针对半导体激光器中纳秒级脉宽的驱动电路脉冲宽度范围小、无法调节的问题,提出一种脉宽可调的窄脉冲激光器驱动电路设计方案.根据现场可编程逻辑门阵列(FPGA)技术和半导体激光的工作原理,搭建了半导体激光驱动电路的一般模型,并进行了仿真与实验分析.以FPGA开发板为控制核心,使用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动芯片DE375作为开关,实现驱动电源及半导体激光器的精密控制.该电路输出的脉冲电流幅值可达40A,脉冲宽度为5～200 ns,重复频率为0～50 kHz,上升沿宽度小于5 ns,有效增强了半导体激光器驱动电路的功能.     

大能量窄脉宽高平均功率绿光激光器

研制了在大能量窄脉宽情况下实现高平均功率输出的绿光激光系统。利用激光二极管抽运Nd∶YAG晶体,采用RTP晶体电光调Q和主振荡功率放大的功率分摊技术,实现大能量窄脉宽高重复频率532 nm绿光激光输出。输出基频光波长1064 nm,脉冲平均能量213 mJ,工作频率100 Hz,光-光转换效率12%。采用Ⅱ类相位匹配高抗灰迹KTP晶体腔外倍频,输出绿光波长532 nm,脉冲平均能量127 mJ,工作频率100 Hz,脉冲宽度7.2 ns,光束质量20mm.mrad,532 nm插头效率2.1%。     

一种窄线宽的高重复频率窄脉宽主动调Q光纤激光器

提出并演示了一种基于声光调制器(AOM)主动调Q的环形腔双包层光纤激光器获得窄线宽、窄脉宽和高重复频率激光脉冲的方法。通过在腔内采用以双包层增益光纤作为输入尾纤的泵浦剥离器来缩短腔长,可以降低增益光纤正向放大自发辐射(ASE)的反射,抑制其ASE的增益自饱和效应,使腔内有效增益增大,窄线宽调Q脉冲可在环形腔中快速建立,从而不仅可使调Q脉冲脉宽变窄,还允许其重复频率大幅提升。在7 W泵浦功率下,所提出的调Q光纤激光器获得了线宽和脉宽分别窄至0.16 nm和10.4 ns、重复频率高达150 kHz的调Q激光脉冲。     

新型窄脉冲半导体激光器驱动电源的研制

研制了一种新型窄脉冲半导体激光器的驱动电源,包括驱动电路和温控电路两部分。驱动电路采用高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作开关,为激光器提供一个重复频率高(0~50 kHz)、前沿快(2.2~4.9 ns)、脉宽窄(4.6~12.1 ns)、脉冲峰值电流大(0~72.2 A)的脉冲信号,且输出的激光脉冲波形平滑。对不同的激光器,改变电路中电源电压、电阻、电容参数,可获得不同的重复频率、前沿、脉冲宽度、脉冲峰值电流。温控电路采用高精度的比例积分微分(PID)温控,保证了激光器输出功率和中心波长的稳定。此激光器驱动电源不仅可作为一般高速、窄脉冲半导体激光器的驱动电源,也是大能量、窄脉宽的半导体激光器种子光源的理想驱动电源。     

高速纳秒脉冲激光器驱动电源的设计

介绍了一种可靠的脉冲激光器驱动电源的设计方法。采用直接调制技术,通过高速场效应管作为开关器件,辅以稳定的外围电路,调制出脉冲宽度小于2ns纳秒的窄脉冲光。     

高功率脉冲二极管激光电源

介绍一种高功率脉冲二极管激光电源。该电源采用达林顿功率模块对信号进行放大，具有高功率、大电流、调节方便等特点，可输出电流峰值１０～１５０Ａ、脉频２５～１０００Ｈｚ、脉宽５０～１０００μｓ范围内连续可调的稳定矩形脉冲，同时以一定的精度显示频率、脉宽、电流峰值。     

高稳定高集成度半导体激光光源驱动器

开发了一套高稳定高集成度的半导体激光光源驱动系统.该系统根据PID反馈控制原理,实现了半导体激光器驱动电流和温度的精密控制,其温度控制精度达±0.03℃,激光输出功率稳定度达±0.002 dB.系统以ADμC812数据采集系统芯片为核心,集成度高,开发调试方便,输出范围连续可调,可广泛应用于各项试验研究过程中.     

一种高速大功率半导体脉冲激光电源的设计与仿真

主要分析了影响电容充放电类型高速大功率脉冲电源性能的主要因素 ,并运用SPICE对其特性进行仿真 ,介绍了一种基于高速大功率MOSFET管实现高速大功率半导体脉冲激光电源的方法     

大功率半导体激光器驱动电源的设计

设计一种大功率半导体激光器的驱动电源。恒稳电流范围为 0～ 10 A,稳流精度为 1m A,脉冲输出电流频率为 10 KHz,脉冲电流的占空比为 1∶ 10 ,脉冲电流幅值为 0～ 10 A可调