在外磁场中一维XXZ自旋链模型的自旋波与比热

本文应用Jordan-W igner变换和格林函数方法讨论了在外磁场中一维XXZ海森堡自旋链模型的自旋波、子晶格磁矩、内能及比热.结果显示自旋波与波矢k成余弦关系,与外磁场成线性关系;子晶格磁矩、内能、比热与温度、外磁场成比较复杂的指数关系.当温度T趋近于0.11K和0.08K时比热随温度的增加有明显的跃变.     

Anderson-Hubbard系统的表面传导电子能和自旋波

本文计算了Anderson-Hubbard系统的表面传导电子能和自旋波,发现系统表面传导电子能明显不同于系统内部传导电子能,这正好可以说明Anderson-Hubbard系统的表面特性是有异常的.对于自旋波谱的研究发现,自旋波谱不仅与自旋向上和向下的电子数有关,而且还与化学势有关.     

激光与等离子体相互作用中离子声波的特征

采用Ｃａｕｃｈｙ－Ｇｒｅｅｎ积分公式和鞍点法，分析了激光与等离子体相互作用中ＳＢＢＳ的非稳定性．并数字模拟了在这种相互作用中离子声波的奇异相干特征．     

冲击载荷下高聚物动态本构关系对粘弹性波传播特性的影响

从广泛适用于工程塑料的ＺＷＴ非线性粘弹性本构方程出发，研究了冲击载荷下粘弹性波传播特性与本构特性间的相互依赖和影响。以有机玻璃、聚碳酸酯和环氧树脂为实例，通过数值模拟，对粘弹性波的传播特性作了分析比较。建议了一个在准静态试验基础上，通过测量粘弹性波两个主要传播特性参数（特征波速和衰减因子）来确定高聚物高应变率下动态本构方程的方法。理论预示和实验结果相符。     

导体条带与周期粗糙面对电磁波的复合散射

建立了导体条带与正弦型周期粗糙面的复合散射模型,用感应电流的谱域积分表示导体条带的初级散射场,用物理光学方法计算周期粗糙面的次级散射场,所得复合散射解具有清晰的物理图像     

轻子与中性弱规范玻色子的弹性散射

在Ｗｅｉｎｂｅｒｇ－Ｓａｌａｍ弱电统一理论中，计算了在新粒子产生阈能以下的轻子与中性弱规范子即Ｚ玻色子的弹性散射振幅，以及相应的散射截面角分布。     

SRRS对强激光下行传输的影响

本文从包括自发和受激Raman散射在内的基本微分方程出发,导出其在大气传输中的积分解,并在标准大气模型下,计算讨论了各种条件的下行传输阈值。     

填料的LTP处理对PVC-PU共混体系性能的影响

文中详细地探讨了氯乙烯低温等离子体改性轻质碳酸钙填料的效果,和该填料对聚氯乙烯(PVC XS-5)—聚酯型聚氨酯(PUZ80)(70/30)机械共混体系的力学性能的影响;另又探讨空气、异丙醇、丙烯、三乙胺、丙烯酸甲酯和含氯系列单体的低温等离子体处理的轻质碳酸钙对填充体系的性能的影响;最后还分析了白碳黑、陶土、1#胶体石墨填料经氯乙烯等离子体处理后对填充体系性能的影响。     

常系数非齐次微分方程初值问题的显式解

将一般常系数非齐次线性微分方程初值问题的解直接表示成其系数与初始值的函数，从而避免了按通常解法带来的求解相应高次代数方程的麻烦，亦为利用现代计算工具解决有关问题提供了条件     

铜－肌苷的极谱测定

在０．０２５ｍｏｌ／ＬＨ３ＢＯ３－ＮａＯＨ和０．１ｍｏｌ／ＬＫＣｌ支持电解质中（ｐＨ６．５），Ｃｕ（Ⅱ）－肌苷的络合物在－０．５２Ｖ产生灵敏的极谱波，据此建立了测定肌昔的新方法．该波波高与肌苷浓度在８．０×１０－７～２．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ范围内成线性关系，此法已成功地用于药物中肌苷的测定．对极谱波的性质和机理进行了讨论．     

二维体系的超导转变温度

如何解释氧化物超导体的高 T_c,是目前高温超导研究的主要任务之一。由于所发现的氧化物超导体具有二维的结构特征,态密度的 Van Hove 奇异性的作用又重新引起注意。本文较为严格地求解了决定 T_c 的积分方程,结果表明态密度的 Van Hove奇异性虽然可以提高 T_c,但并不如人们所估计的那么显著。     

一种利用激光干涉条纹位相进行微位移测量方法

利用激光干涉条纹的位相，提出了一种简便、快速且精度很高的微小位移的测量方法。实验表明，计算程序是可行，测量精度可达1／360的条纹间隔，可实现光学亚微米和纳米尺度的测量。     

后退火温度对溅射沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜结构和性能的影响

在具有Ti缓冲层的Pt(111)底电极上,用射频溅射工艺在较低的衬底温度(370℃)和纯Ar气氛中沉积Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性。然后将样品在大气中进行5min快速热退火处理,退火温度550-680℃。用XRD、SEM分析薄膜的微结构,RT66A标准铁电测试系统测量样品的铁电和介电性能。结果表明,所沉积的Pt为(111)取向,仅当后退火温度高于580℃,沉积在Pt(111)上的PZT薄膜才能形成钙钛矿结构的铁电相,退火温度在580-600℃时结晶为(110)择优取向,退火温度高于600℃时结晶为(111)择优取向。PZT薄膜的极化强度随退火温度的升高而增加,但退火温度超过650℃时漏电流急剧上升,因此退火处理的温度对PZT薄膜的结构和性能有决定性的影响。     

荧光光纤温度传感器激励光源的选择

本文分析计算了荧光光纤温度传感器的温敏元件——GsAlAs/GaAs双异质结半导体材料的荧光辐射效率与激励光波长的关系。讨论了温度测量范围及温敏元件GaAlAs层铝含量对激励光源的限制,在0～200℃测温范围内,若采用LED作激励光源,其峰值波长应在0.70～0.76μm之间选择。