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分布传感/执行器智能梁的振动控制及APDL仿真 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了分布传感/执行器智能梁模型的振动控制问题。传感器和执行器选用了压电薄膜PVDF,控制律根据直接位移反馈、负速度反馈和Lyapunov速度反馈设计。研究表明,在本文讨论的悬壁梁模型中,分布执行器控制的效果等效于自由端施加变化的控制力矩,而且速度型反馈明显优于位移型反馈。另外,在仿真的过程中,利用了ANSYS的参数设计语言APDL(ansys parametric design language),为复杂三维结构的控制仿真开辟了一条可行的途径。 相似文献
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智能桁架结构振动控制中压电主动构件的研究:(一)压电主动构件设计 总被引:9,自引:6,他引:9
基于压电材料的压电作动效应,设计了一种可用于智能桁架结构振动控制的直线式压电主动构件,讨论了设计理论、参数选取及其对压电主动构件性能带来的影响。 相似文献
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智能桁架结构振动控制中压电主动构件的研究:(二)压电主动构件的实验 总被引:3,自引:0,他引:3
通过实验研究了压电主动构件的工作性能:输出位移、输出力特性及其相关问题。针对压电主动构件的力学输出量与其驱动电压的非线性关系,提出了一种在驱动电路中串联电容的方法,来改善这个非线性特性和减小相位滞后问题。 相似文献
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智能电动执行器为了实现柔性关断,和对被控量的微调的作用采用了比较实用的而且可行的电机调速.在交流电机调速系统中,通过改变电机的供电频率可以实现控制电机转速的目的,而实现电机调速使用的最优变频控制方法就是直接转矩式.直接转矩控制解决了矢量控制中计算控制复杂、特性易受电机参数变化影响等不足的特点,是一种高静、动态性能稳定的的交流调速方法.省掉了电机坐标的旋转变换,使电机数学模型的计算得到简化,使控制手段更直接,具有动态反应迅速,结构简单,易于实现等优点,是一种具有优良静动态特性的交流调速方法. 相似文献
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智能桁架结构振动控制中压电主动构件的研究:(三)压电主动构件动力学建模 总被引:4,自引:0,他引:4
压电堆是压电主动构件的核心作动单元。文章基于压电弹性体的本构关系和一维杆波动理论,考虑其自感应电场的影响,首先推导出压电堆的动力学模型。在此基础上,利用力学等效原理,建立了压电主动构件的等效动力学模型,揭示了压电主动构件的力学工作特性,实验结果表明该等效动力学模型是合理的。 相似文献
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为了提升压电执行器输出位移的性能,该文采用模糊神经元比例、积分、微分(PID)控制器对其输出位移进行控制。首先,分析了压电悬臂梁执行器机电特性,搭建其动力学模型;其次,将模糊算法、神经元、PID三者相结合,设计出一种能快速、精确、抗干扰能力强的控制器;最后,对压电悬臂梁执行器控制系统进行了仿真,并通过实验验证了该控制器的性能。结果表明,压电执行器对5 μm阶跃目标位移的响应时间为0.3 s,且无超调,稳态误差中线由无控制时的0.57~0.66 μm减小为几乎为0;在跟踪由正弦信号、常值信号、斜坡信号所组成的目标位移时,跟踪误差几乎为0。该文所设计控制器可消除压电执行器的定位误差,并使其具有抗干扰能力强,响应迅速,无超调量等优点。 相似文献
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为使装配与调节过程易于实现,基于结构一体化思想设计了压电尺蠖直线电机。首先,采用三角放大结构对箝位机构进行了设计,并采用柔性薄板和柔性折叠梁对驱动机构进行了设计,所设计电机的箝位机构与驱动机构被集成为一体,可降低对机体加工与装配的精度要求;其次,采用有限元法对电机的位移放大倍数、应力与模态进行了分析;最后对电机的静、动态特性分别进行了测试。结果表明,电机位移具有良好的线性,最大单步位移为8.24μm,电机的分辨率为10 nm,最大运动速度为0.17 mm/s。 相似文献
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智能桁架结构振动控制中压电主动构件的研究::(三)压电主动构件动力 … 总被引:2,自引:0,他引:2
压电堆是压电主支构件的核心作动单元。文章基于压民弹性体的本构关系和一维杆波动理论,考虑其自感应电场的影响,首先推导出压电堆的动力不模型。在此基础上,利用力学等效原理,建立了压电主动构件的等效动力学模型,揭示了压电主动构件的力学工作特性,实验结果表明该等效动力学模型是合理的。 相似文献
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根据支持向量机核函数的构造条件及Hilbert空间再生核理论,构造了一种新型核函数,并与改进的最小二乘支持向量机(LS-SVM)相结合,从而形成再生核LS-SVM学习方法.采用一阶剪切变形理论及有限单元方法,对压电智能复合材料层板进行低速冲击压电响应数值仿真,并进行了特征提取.基于各压电传感器响应信号特征,采用再生核LS-SVM方法,对压电智能复合材料层板进行了冲击定位分析,并与高斯核函数(RBF)的LS-SVM法进行对比.结果表明,在同等条件下,相比于RBF核LS-SVM,再生核LS-SVM具有更高的冲击损伤定位精度及更强的推广能力,该仿真方法可为实际结构的冲击损伤位置自诊断提供指导. 相似文献
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从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响. 相似文献