共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO₂方法得到SiO₂(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu³⁺向Eu²⁺的转变.SiO₂(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论 关键词： 2(Eu)薄膜')" href="#">SiO₂(Eu)薄膜 XANES     

白光LED用Ca_8Mg(SiO_4)_4Cl_2:Eu~(2+),Dy~(3+)发光粉的发光性能

采用高温固相法合成了白光LED用Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu和Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu,Dy绿色发光粉。研究发现:共掺Dy可以明显地提高Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu发光粉的发光性能,表明Dy3+和Eu2+之间存在着能量传递过程。当Dy3+的最佳掺杂摩尔分数为0.02时,发光粉505nm处绿光发射的强度约提高12%。通过对Dy3+和Eu2+光谱特性的分析,Dy3+和Eu2+之间的能量传递机制可归因于无辐射交叉弛豫。     

Ca_2Si(O_(4-x)N_x):Eu~(2+)绿色荧光粉的制备及其发光性能

利用在Ca-Si-O干凝胶前驱体中添加Si3N4的方法于非还原气氛下合成了含N固溶体Ca2Si(O4-xNx):Eu2+绿色荧光粉.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及荧光分光光度计分别分析了产物的物相结构、颗粒形貌和发光性能.结果显示,Si3N4与前驱体的混合物在非还原气氛(纯氮气)下于1100℃焙烧后获得含N固溶体Ca2Si(O4-xNx):Eu2+荧光粉,特别是其中Eu3+被还原为Eu2+,产物的晶体结构与β-Ca2SiO4相一致.Ca2Si(O4-xNx):Eu2+能够被270—400 nm范围内的紫外线有效激发,其发射光谱呈宽带发射.随着N含量的增加,发射峰出现一定程度红移(501—504 nm),而且发光强度显著提高.当Eu2+浓度为0.25 mol%时发光强度达最大值,浓度超过0.25 mol%时,发光强度显著降低,出现浓度猝灭效应.     

复合胶体喷雾自组装Sr_2Al_2SiO_7∶Eu~(2 )荧光体及其发光特性

采用AlOOH/Sr(NO3)2/SiO2/Eu复合胶体喷雾工艺制备了D50=3.83μm球形Sr2Al2SiO7∶Eu2 梯次结构荧光粉。复合胶体喷雾过程形成雾滴,雾滴中纳米粒子组分在表面张力及毛细管力作用下自组装形成梯次结构干凝胶粉。干凝胶粉经1300℃灼烧得到梯次结构Sr2Al2SiO7∶Eu2 荧光粉。X射线衍射(XRD)分析及晶格常量计算结果表明,Eu2 离子部分取代Sr2 格位进入Sr2Al2SiO7晶格。Sr2Al2SiO7∶Eu2 荧光体激发谱由峰值位于326 nm附近的宽带构成,属于Eu2 的4f→5d跃迁吸收带;发射光谱峰值波长位于约500 nm处,属于Eu2 离子4f65d到4f7跃迁导致的宽带发射。     

白光LED用新型绿色荧光粉Ca5(SiO4)2F2∶Eu2+的发光性能

采用高温固相法合成出系列绿色Ca5-xEu(SiO4)2F2荧光粉,并对其发光特性进行了研究.Eu2+ 离子在Ca5(SiO4)2F2基质中可被250～440 nm光有效激发发出绿光,适合作为UV-LED用绿色荧光粉.浓度猝灭实验结果表明,Eu2+离子的最佳掺杂摩尔分数为0.15,通过计算推测出Eu2+离子在Ca5-x...     

BaMgSiO_4:Eu~(2+)/Eu~(3+)可调白光发光材料的制备和性能研究

通过高温固相反应在空气中制备了BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+发光材料,利用粉末X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对合成的样品进行表征。研究表明,在393nm激发光激发下,BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+材料同时表现出Eu2+和Eu3+的发射光谱;改变NH4Cl质量分数可有效调整Eu2+和Eu3+的发光强度,实现从绿光到白光的有效调控。Eu3+发光强度随着NH4Cl用量增加而增大;当NH4Cl质量分数为5%时,Eu2+和Eu3+的发光强度比(IEu2+/Eu3+)最低,可获得国际照明委员会(CIE)色坐标为(0.37,0.38)、色温(CCT)为4300K的暖白光。BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+表现出良好的热稳定性,在200℃时,其发光强度仅下降了15%。研究表明BaMgSiO4:Eu2+/Eu3+荧光粉可作为潜在的单一掺杂单一组成的白光发光二极管(LED)发光材料。     

Ca_2MgSi_2O_7:Eu~(2+)绿色发光粉的低温合成及光致发光

采用CaCl2作助熔剂同时又作反应物,利用固相法在碳还原气氛下合成了Ca2MgSi2O7:Eu2+发光粉,确定其最佳的合成条件为按CaCO3、Mg(OH)2、SiO2、CaCl2的量的比1.5:1:2:2.4称取原料,烧结温度为900℃,烧结时间为3h。合成的样品可被360～480nm的光有效激发,得到发射峰值位于529nm的绿光。该发光粉Eu2+的最佳掺杂摩尔分数为0.02。与高温法相比,低温法制备的Ca2MgSi2O7:Eu2+发光粉激发光谱形状表现出一些差别,并且发射光强度显著增强,低温制备的Ca2MgSi2O7:0.02Eu2+的发射强度是高温制备样品的261%。     

Eu2+在新型基质Ca8Mg(SiO4)4Cl2中的光致发光

用CaCO3(A.R.),SiO2(4N),Mg(NO3)2·6H2O(A.R.),CaCl2(A.R.)和Eu2O3(4N)为原料,经高温固相反应,得到了新荧光体Ca8-xMg(SiO4)4Cl2:Eux2+.对该荧光体的晶体结构和荧光光谱进行分析发现:该荧光体可能为单中心发光,Eu2+主要占据对称性为C2的CaⅡ格位.     

树脂型光刻胶薄膜中Eu~(3+)的辐射跃迁特性

合成了稀土配合物Eu(TTFA)3(TTFA,2-thenoyltfifluoroacetone)掺杂的树脂型光刻胶薄膜,测定了薄膜的激发光谱和发射光谱.根据Judd-Ofelt理论,由发射光谱获得了Eu3+在光刻胶薄膜中的J-O参数Ω2=24.4×10-20cm2,Ω4=2.8×10-20cm2.利用得到的J-O参数计算了光刻胶薄膜中5D0激发态的辐射跃迁概率(977 s-1)和辐射寿命(1.02 ms),同时导出了光刻胶薄膜中Eu3+的5D0→FJ(J=1,2,4)跃迁的受激发射截面σ和荧光分支比β.分析表明,Eu3+掺杂的光刻胶薄膜具有较长的亚稳态寿命以及较大的受激发射截面,是一种主动放大的光波导薄膜.其发射波长与光刻胶的低吸收损耗区很好地匹配,可用于研发聚合物光波导放大器和激光器.     

白光LED用Sr_3(PO_4)_2∶Eu~(2+)蓝色荧光粉的制备及发光性能研究

采用高温固相法在N2-H2还原气氛下合成了一系列Sr3(PO4)2∶Eu2+蓝色荧光粉,通过X射线衍射仪(XRD)、荧光光谱仪(PL)对荧光粉的晶体结构、激发和发射光谱进行了表征。结果表明:微量的Eu2+掺杂不会改变其晶体结构;Sr3(PO4)2∶Eu2+荧光粉在310~390nm范围内可以有效的被激发,激发峰位于359nm;发射光谱为主峰位于438nm宽带发射(带宽约为150nm),对应于Eu2+的4f65d1→4f7跃迁.通过高斯拟合发现,Eu2+至少占据了Sr3(PO4)2两种不同的Sr2+格位,形成两个发光中心(430和459nm).当Eu2+的掺杂浓度为7%时,其具有最大的发光强度,继续增大Eu2+的掺杂浓度,Sr3(PO4)2∶Eu2+的发射光谱会出现浓度猝灭现象,且其发射峰会随着铕离子浓度增加而发生红移。Sr3(PO4)2∶Eu2+荧光粉在近紫外区有着强而宽的吸收带,与近紫外LED芯片发射相匹配,相对发光强度是蓝色荧光粉BaMgAl10O17∶Eu2+(BAM)的1.3倍,是一种很有前途的白光LED用蓝色荧光粉材料。     

Sr3SiO5:Eu2+材料光谱特性研究

采用高温固相法制备了用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料.研究了合成温度及Sr/Si对样品光谱特性及结构的影响.结果显示,随合成温度的升高或Sr/Si的减小,样品的主发射峰均产生了明显的红移,同时,样品的晶体结构也受到了影响.利用InGaN管芯激发Sr3SiO5:Eu2+材料,表现出显色性较好的白光发射光谱,色坐标为(x=0.348,y=0.326).     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)2O3-SiO2发射光谱的分析研究

EXAFS测定表明sol-gel方法制备的纳米非晶(Y,Eu)₂O₃-SiO₂发光材料中,发光中心Eu³⁺的局域环境和晶态X₂型Y₂SiO₅Eu中Eu³⁺离子的局域环境相似。以此结构为依据,用M. F. Reid的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数,并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图.     

Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Nd3+的近红外发光

用高温固相法制备了Ca<,8>Mg(SiO<,4>)<,4>Cl<,2>:Eu<'2+>,Nd<'3+>近红外发光材料,通过X射线衍射仪,近红外,可见发射光谱和激发光谱,荧光寿命等对样品进行了测试.研究了Eu<'2+>、Nd<'3+>的掺杂浓度对近红外发光性能的影响及相对强度变化的规律,结果表明,Ca<,8>Mg(Si...     

以Eu-苯甲酸-1,10-菲咯啉为掺杂剂的SiO2,SiO2-B2O3和SiO2-B2O3-Na2O体系材料的结构及Eu3+的发光性质

用溶胶-凝胶法制备以Eu-苯甲酸-1,10-菲咯啉为掺杂剂的SiO2,SiO2-B2O3和SiO2-B2O3-Na2O为基质的发光材料.材料经1000℃退火处理后,结构十分稳定.通过激发光谱和发射光谱、红外光谱、TEM、XRD研究了基质结构对Eu3 发光性能的影响.结果显示:在589和614 nm处显示Eu3 的特征发射带,对应于Eu3 的5D0→7Fj(j=1,2)跃迁;与直接掺入EuCl3的玻璃材料相比,以Eu-苯甲酸-1,10-菲咯啉为掺杂剂的玻璃材料,虽然Eu的掺杂量较小,但Eu的发光强度较大.与以SiO2为基质的玻璃材料相比,以SiO2-B2O3为基质的玻璃材料Eu3 的发光减弱,其红外光谱显示形成Si-O-B键,说明该结构对Eu3 的发光有猝灭作用,以SiO2-B2O3-Na2O为基质的玻璃材料Eu3 的发光明显增强,其红外光谱显示不存在SiOB键的振动吸收,可能是Na取代B的位置,形成Si-O-Na键,此结构对Eu3 的发光有一定的增强作用.     

铈铕掺杂氯硅酸镁钙体系的相对光谱功率分布与色坐标定位

采用高温固相反应法合成铈铕掺杂氯硅酸镁钙系列粉体,利用X射线衍射(XRD)对晶体结构加以鉴定,并对其荧光光谱进行了测试和分析.通过光谱功率校准曲线,推演出样品的相对光谱功率分布,进而对粉体发光色坐标进行计算和表征.实验结果表明,合成粉体为面心立方晶体Ca8Mg(SiO4)4Cl2,铈铕单掺氯硅酸镁钙样品在紫外光激发下分...     

溶胶-凝胶法制备Zn2SiO4:Eu3+红色荧光粉

采用溶胶-凝胶法在Zn2SiO4基质中掺杂Eu3+,合成了红色荧光粉Zn2SiO4:Eu3+.通过样品的X射线衍射光谱、红外光谱、扫描电镜以及光致发光光谱的测试和表征,研究了Zn2SiO4:Eu3+的内部结构和发光特性.扣描电镜结果显示样品为球状荧光粉,颗粒直径为1～3μm.在395 nm激发下,样品在613 nm处发射出很强的红光.结合荧光光谱,分析了样品的退火温度,Eu3+的浓度,电荷补偿剂Li+的浓度对样品发光强度的影响.研究发现,红色荧光粉Zn2SiO4:Eu3+的发光强度随退火温度的升高而增加,发光强度随Eu3+和Li+浓度的增加先增大后减小.     

Bi3+和Eu3+在Ca2SiO4中的发光和能量传递

用高温固态反应合成了Ca2SiO4:Bi3+,Ca2SiO4:Eu3+和Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+发光体。讨论了不同掺杂量和掺杂种类时Bi3+对Eu3+的5D0-7F1,5D0-7F2发射的影响规律。实验发现,Ca2SiO4:Bi3+在紫外线激发下发出明亮的蓝色光,Ca2SiO4:Eu3+,Bi3+中的Bi3+能将激发能传递给Eu3+,使Eu3+的5D0-7F1和5D0-7F2两种跃迁都大大加强,同时,Bi3+也发出鲜艳的紫色光。