电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CFx薄膜的化学键结构

使用CHF₃和C₆H₆混合气体做气源,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳(a-CF_x)薄膜.利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳氟、碳氢基团随放电宏观参量的变化规律,对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析,证实等离子体中的CF₂,CF和CH基团是控制薄膜生长、碳/氟成分比和化学键结构的主要前驱物 关键词： 氟化非晶碳薄膜 电子回旋共振等离子体     

低介电常数非晶氟碳薄膜光谱表征

以C4F8和CH4为原料气,通过等离子体增强化学气相淀积的方法制备了非晶氟碳薄膜,在实验条件下所得薄膜的介电常数为2.3。薄膜的傅里叶变换红外光谱表明该薄膜中除了含有CFn(n=1-3）基团外,还含有少量的C=O,C=C等不饱和双键,没有迹象表明C-H和O-H的存在。X射线光电子能谱进一步证明了薄膜中的碳元素有六种不同的化学状态分别为CF3（8%）、CF2（19%）,CF（26.7%)、C↓-—CF。（42.5%),C↓-—C(3.3%)和C=O（0.5%),表明薄膜中大约54%的碳原子与氟成键,大约43%的碳原子不是与氟成键,而是与碳氟基团CFn中的碳原子成键,毗连的两个碳原子上均没有氟参与成键的几率很小。     

微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法沉积氟化非晶碳薄膜的研究

使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF₃基团的密度,而使CF₂基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF₂基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×10³—1×10⁶Hz)和损耗频率关系(1×10²—1×10⁵Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化 关键词： 氟化非晶碳薄膜 ECR等离子体沉积 键结构 介电性质     

电子回旋共振等离子体增强沉积氟化非晶碳薄膜的光学性质

用紫外可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质.在微波功率为140—700W、源气体CHF₃∶C₆H₆比例为1∶1—10∶1条件下沉积的薄膜,光学带隙在1.76—2.85eV之间.薄膜中氟的引入对吸收边和光学带隙产生较大的影响,吸收边随氟含量的提高而增大,光学带隙则主要取决于CF键的含量,是由于强电负 关键词： 氟化非晶碳薄膜 光吸收与光学带隙 电子回旋共振等离子体     

脉冲等离子体推力器羽流沉积薄膜的结构与光学性质研究

为了研究脉冲等离子体推力器羽流污染特性,把握脉冲等离子体推力器羽流沉积薄膜性质,利用质谱仪对推力器羽流残余气体成分进行了分析,利用红外傅里叶光谱、光电子能谱及紫外可见光分光光度计对推力器羽流区阴极侧不同方位角处沉积薄膜的结构及光学性质进行了诊断研究结果表明,推力器羽流中主要存在C,F,CF,CF2和CF3气体分子;在各方位角处脉冲等离子体推力器羽流沉积生成了低氟碳比碳氟薄膜;沉积薄膜微观结构以30°角为界在羽流不同区域中具有不同的变化趋势;羽流沉积薄膜具有对波长小于500 nm的光低透射率及增强反射率的光学特性,受薄膜性质的影响,其光学特性具有极大的角度依赖性.     

使用发射光谱对感应耦合CF4/CH4等离子体中C2基团形成机理的研究

利用强度标定的发射光谱法,研究了感应耦合CF4/CH4等离子体中空间基团的相对密度随宏观条件(射频输入功率、气压和流量比)的变化情况.研究表明:在所研究的碳氟/碳氢混合气体放电等离子体中除了具有丰富的CF,CF2,CH,H和F等活性基团外,还同时存在着C2基团,其相对密度随着放电功率的提高而增加;随着气压的上升呈现倒"U"型的变化.C2随流量比R(R=[CH4]/{[CH4]+[CF4]})的变化不是单调的,其相对密度在R=7.5％时存在一个极大值,并随着R进一步增加而减弱,然后趋于一个稳定值.根据各基团相对密度的变化规律,认为等离子体中CF和CH基团的气相反应(CF+CH→C2+HF)是C2基团产生的主要途径,并提出了形成C2的基团碰撞的活化反应模型,据此进行的模拟计算的结果与实验相符.     

使用发射光谱对感应耦合CF4/CH4等离子体中C2基团形成机理的研究

利用强度标定的发射光谱法，研究了感应耦合CF4₄/CH4₄等离 子体中空间基团的 相对密度随宏观条件（射频输入功率、气压和流量比）的变化情况. 研究表明：在所研究的 碳氟/碳氢混合气体放电等离子体中除了具有丰富的CF，CF2₂，CH，H和F等活 性基团外 ，还同时存在着C2₂基团，其相对密度随着放电功率的提高而增加；随着气压 的上升呈 现倒“U”型的变化. C2₂随流量比R（R=［CH4 _{关键词： 发射光谱 感应耦合等离子体 2}基团')" href="#">C2₂基团     

脉冲激光制备类金刚石薄膜及原位激光等离子体发射光谱

用ＹＡＧ脉冲激光轰击真空室内的石墨靶,可以形成包含碳素的激光等离子体,并在硅或石英衬氏上淀积形成某种类型的碳膜。用光学多道分析仪原位测量了激光等离子体的发射光谱,给出反应空间可能存在的反应基团有碳原子、碳离子、碳分子等,用拉曼光谱研究了薄膜的结构,证明所形成的薄膜为类金刚石膜,并得出碳原子和碳离子与薄膜的类金刚石结构有关。制备过程中,氢的参与有利于薄膜中金刚石成分的形成。空间分辨的原位激光等离子体发射光谱表明,在反应空间存在薄膜形成的最佳位置。     

等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质

采用直流辉光CF4O2等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到18×10-3Ω·cm,透光率高于80%.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响,结果表明:氟的掺入增加了载流子浓度,使得薄膜的电阻率明显下降,而薄膜的透光率变差,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善,掺氟量越大需要的退火温度越高.X射线衍射分析说明,氟的掺入使薄膜的无序度增加;退火处理提高了薄膜的结晶状况,改善了薄膜的透光性能,同时也没有增加薄膜的电阻率. 关键词： 透明导电薄膜 氟掺杂 等离子体增强反应蒸发沉积     

源气体对沉积的a-C∶F∶H薄膜结构的影响

采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键 关键词： 氟化非晶碳膜 电子回旋共振化学气相沉积 红外吸收光谱     

不可逆化学反应扩散方程

把由刘维方程推得的BBGKY方程用于多元系,可导出不可逆化学反应扩散方程。 关键词：     

化学位移张量的测量

对于刚性晶格中的分子,化学位移是与外加磁场空间取向相关的张量,这个张量有6个独立的分量. 化学位移张量也可以利用其主轴分量及主轴与晶体坐标系的方向余弦来表示. 很显然,知道了固体分子中各不等价位置处的化学位移张量,就可以推测出分子中电子分布的图象,具有重要意义. 本文首先描述了化学位移张量测量的理论,对测量化学位移 各 向异性的各种方法作了介绍和比较,并详细论述了一些常用的方法,如二维魔角跳旋转(M a gic Angle Hopping, MAH)、二维魔角慢旋转(Magic Angle Turning, MAT)和二维变相旋转边带分离（2D phase-adjusted spinning sidebands, 2D-PASS）技术等. 最后,还介绍了单晶化学位移张量的常规测量方法.     

化学腐蚀法制作SERS活性衬底

本文给出一种简便的方法——化学腐蚀法,用来制备具有SERS活性的衬底。用这种方法制作的银片衬底,增强因子最大为4×10⁴,而且其SERS特性与腐蚀剂、腐蚀时间有关。同经氧化-还原过程垂处理之银片用化学沉积法制得的眼镜相比较,化学腐蚀之银片衬底增强效果较差。     

烃类化合物NMR化学位移数据库及各类碳氢原子族化学位移统计分布

以Sadtler标准NMR谱图集为数据源.建立了烃类化合物NMR谱化学位移数据库系统,并利用此数据库系统归纳出了烃类化合物各类碳氢原子族化学位移统计分布图,该统计分布图可用于指导烃类混合物.特别是石油产品NMR谱峰的归属,同时,可提供一条查阅标准图的简捷途径.     

CHEMICAL POTENTIAL QUANTIZATION AND BOSE-EINSTEIN CONDENSATION

In this paper, first of all, we proved if the ideal Bose gas with a finite volume and number of particles has a non-degenerate single-particle energy level ε_n, the chemical potential μ can take the value μ_n=ε_n and there is a phase transition temperature T_p,n, where n=0,1,2… Taking ε₀≤ε_n<ε_n+1, then T_p,0≥T_p,n>T_p,n+1. When the temperature T>T_p,n or T≤T_p,n+1, μ≠ε_n and the most probable occupation number N_n=0. In the temperature interval T_p,n≥ T>T_p,n+1,μ=ε_n and 0≤N_n=N-Σ_jN_j<～supN_n, where N_j is the most probable occupation number in the degenerate level j. Thus, if the finite ideal Bose gas has some non-degenerate single-particle levels, there exists a characteristic temperature T_p=T_p,0. The chemical potential μ is quantized when T≤T_p, and this leads to the creation of a macroscopic quantum state (pure state) or Bose-Einstein condensation phase. T_p=T_p,0 is a first-order phase transition point, T_p,n≠0 is a zero-order phase transition point. Next, we obtained a new expression of the most probable distribution of the finite ideal Bose gas. In this expression N_j is directly proportional to g_j-1, where g_j and N_j are, respectively, the degeneracy and the most probable occupation number in the degenerate level j. This property agrees with what chemical potential can be quantized if there is a non-degenerate level for the finite ideal Bose gas. Finally, using this expression, we defined a micro-partition function M, obtained the statistical expressions of some thermodynamical quantities.     

化学反应的统计理论

本文试图建立化学反应体系涨落的统计理论。我们从刘维方程出发,利用含时间的投影算子技术,得到密度涨落的分布函数及特征函数所满足的方程。基本结果与我们唯象理论的广义Master方程一致。最后讨论了统计理论对唯象理论的修正项及其对涨落波谱的影响。 关键词：     

化学位移的规律和本质

讨论了计算化学位移的通式及其中基值和参数的变化规律,根据确定的去屏蔽参数与基因电负性的关系式和基值的变化规律,提出核周电子密度Q_N是决定化学位移主要原因的观点.     

化学吸附制冷的动力学模型

对传统的化学吸附动力学模型不能够反映络合物分子之间化学反应动力学这一问题,文中对不同的络合物分子间距的CaCl2-NH3的吸附与解吸过程进行了研究,结果表明,络合物分子之间的化学反应动力学对吸附过程影响较大.通过增加能够反映络合物分子反应动力学以及络合物分子间传质过程的项,对传统的化学吸附动力学模型进行了改进,试验表明,改进的化学吸附动力学模型能够很好地反映试验现象.对解吸过程的研究则表明,解吸过程主要受络合物分子内部反应动力学的影响,络合物分子之间的反应动力学对解吸过程的影响不大.