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本文通过偏振红外吸收光谱研究了铁电与反铁电液晶分子TFMHxPOCBC-D 相似文献
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观测到反铁电液晶分子TFMHxPOCBC-D2(4-(trifluoromethylhexy-3-d2 carbonyl)phenyl 4'-octyloxybiphenyl caboxylate) 中CD2的偏振红外光谱中液晶分子的手性烷基链的受阻转动,以及较大的双色吸收特性.应用一个分子模型,进行了偏振红外吸收的模拟计算,与实验结果相比较,得到液晶分子手性烷基链与分子长轴的夹角约为70°, 其受阻方向在液晶分子倾斜方向一侧的半圆内.
关键词: 相似文献
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时间分辨与偏振红外光谱研究电场诱导下手性反铁电液晶的 … 总被引:1,自引:0,他引:1
手性反铁电液晶分子中的各个不同片段、不同基团在电场诱导下展现不同的取向与取向分布。在交变电场的作用下,分子中各个部分的翻转动力学行为也表现的不同。 相似文献
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手性反铁电液晶分子中的各个不同片段、不同基团在电场诱导下展现不同的取向与取向分布.在交变电场的作用下,分子中各个部分的翻转动力学行为也表现的不同. 相似文献
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在-100—200℃温度范围内,测量了(Pb0.97La0.02)(Zr0.65< /sub>Sn0.35-xTix)O3(PZST,0.1≤x≤0.14)反铁电陶 瓷的热膨胀性质.实验结果表明,组分在0.1 ≤x≤0.12的试样室温下为反铁电(AFEt)四方相,热膨胀系数(α)在低温段发生 “弯曲” ,而变温x射线衍射谱(XRD)显示材料保持四方相结构;当Ti含量在0.125≤x≤0.14时,室温 下是铁电三方相(FER),温度升高时FER→AFEt相变体 积收缩,AFEt→立方顺电(PE c)相变体积增大;变温XRD谱证明了材料相结构随温度的转变过程.用多元复杂 化合物存在 纳米线度组分非均匀的观点解释了热膨胀性质随Ti含量演化的物理机理,并得到了该系统的 温度-Ti(x)含量相图.
关键词:
热膨胀性质
铁电/反铁电相界
反铁电陶瓷
PZST 相似文献
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掺杂的铁电薄膜PbZrTiO3与以高温超导体YBa2Cu3O7为基底组成红外薄膜探测器.具有自极化性质,并可在室温下操作使用.研究了此种薄膜探测器的结构极化性质,测量了它的红外光电压、光电流与黑体辐射源温度、探测器样品温度及斩波频率之间的关系.
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利用MgF2作为扩散源进行镁离子内扩散LiNO3单晶基片的研究.经电子探针显微镜分析表明,镁的扩散层镁离子浓度分布具有近似半抛物形和阶跃形分布,并得到镁的激活能为104KJ/mol.X射线衍射分析发现,当镁离子内扩散超过一定程度时,在镁的扩散层出现具有LiNb3O8的物相结构,并发现该物相结构的出现与LiNO3体内锂离子的外扩散和扩散表面氟离子的存在有关.由扫描电子显微镜观察到氟离子以LiF的形式出现,并随着扩散程度的增大,挥发和脱离开扩散层表面.
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为了解决复杂结构离子晶体接触能Eatt计算上的困难,本文给出了按PBC(periodic bond chain)理论导出的公式,并将其编成计算机程序。应用PBC理论,从KTiOPO4晶体结构,对其界面进行分类表明,{100},{011}为F单形;{210},{101}和{010}为较重要的S单形;而{001}单形的晶面,属K面。根据以上公式及程序对各单形Eatt进行了计算,得出了各晶面的相对重要性,其结果与观测结果符合得很好。文中提出的公式
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