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非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究
引用本文:张 磊 冯招娣 王世杰 贾艳丽 贾长江 闫其庚 李晓红 代秀红 刘保亭. 非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 852-856
作者姓名:张 磊 冯招娣 王世杰 贾艳丽 贾长江 闫其庚 李晓红 代秀红 刘保亭
作者单位:河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002
基金项目:国家自然科学基金(11374086,11074063);河北省自然科学基金(E2012201035,E2011201092)
摘    要:采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质.结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效.

关 键 词:阻挡层  铜互连  Nb-Ni薄膜,

Study on the Properties and Structure of Amorphous Nb-Ni Film Used as the Conductive Barrier between Cu and Si in Cu Interconnect
Abstract:
Keywords:
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