| 非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究 |
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| 引用本文： | 孙杰,刘保亭,陈江恩,娄建忠,周阳. 非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 318-323 |
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| 作者姓名： | 孙杰 刘保亭 陈江恩 娄建忠 周阳 |
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| 作者单位： | 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，河北省自然科学基金，教育部科学技术研究重点项目，河北省应用基础研究计划重点基础研究项目，河北省教育厅科学研究计划，河北省科学技术厅科学技术研究与发展指导计划，河北大学博士基金 |
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| 摘 要： | 应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650～800 ℃温度范围内快速退火(RTA)工艺对电容器结构和物理性能的影响.结果表明:在外加电场为-100 kV/cm时,700 ℃和750 ℃退火样品的介电常数达到最大,分别为150和170.非晶Ni-Al薄膜的应用可以有效地降低BST薄膜的漏电流密度.650 ℃退火样品在整个测试电场范围内满足欧姆导电机制;700 ℃、750 ℃和800 ℃退火样品分别在电压低于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足欧姆导电机制,在电压高于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足普尔-弗兰克导电机制.
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| 关 键 词： | BST薄膜 非晶Ni-Al阻挡层 快速退火 导电机制, |
Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing |
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| SUN Jie,LIU Bao-ting,CHEN Jiang-en,LOU Jian-zhong,ZHOU Yang. Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(2): 318-323 |
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| Authors: | SUN Jie LIU Bao-ting CHEN Jiang-en LOU Jian-zhong ZHOU Yang |
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| Affiliation: | SUN Jie1,2,LIU Bao-ting1,CHEN Jiang-en2,LOU Jian-zhong2,ZHOU Yang1(1.College of Physics Science , Technology,Hebei University,Baoding 071002,China,2.College of Electronic , Information Engineering,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BST thin films amorphous Ni-Al barrier layer RTA conduction mechanism |
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