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| 富硅氮化硅薄膜的制备及其光学带隙研究 | |
| 作者姓名： | 林娟 杨培志 化麒麟 |
| 作者单位： | 1.可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南 昆明,650092;2.云南师范大学 太阳能研究所,云南 昆明,650092 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金联合基金 |
| 摘 要： | 采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,利用共焦显微拉曼光谱仪比较了硅衬底、氮化硅薄膜退火前后的拉曼光谱。结果表明,氮气流量对薄膜的光学带隙影响较大,制备的薄膜主要为富硅氮化硅薄膜。原沉积薄膜的拉曼光谱存在明显的非晶硅和单晶硅峰,退火处理后非晶硅峰减弱或消失,表明薄膜出现明显的结晶化;单晶硅峰出现频移现象,表明薄膜中出现硅纳米颗粒,平均尺寸约为6.6nm。 |
| 关 键 词： | 富硅氮化硅薄膜 磁控溅射 紫外-可见光光谱 拉曼光谱 光学带隙 |
| 收稿时间： | 2012-02-18 |
| 修稿时间： | 2012-04-27 |
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