| 能量范围从20ke到34kev的锆元素K壳层电离截面 |
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| 引用本文： | 周长庚,付玉川,安竹,罗正明. 能量范围从20ke到34kev的锆元素K壳层电离截面[J]. 强激光与粒子束, 2001, 13(1): 117-119 |
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| 作者姓名： | 周长庚 付玉川 安竹 罗正明 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学
2. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所, |
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| 基金项目： | 教育部科学技术重点项目资助课题（99202） |
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| 摘 要： | 用20～34keV能量的电子束轰击锆靶，从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特-卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3μgcm
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| 关 键 词： | 电离截面；电子碰撞；电子输运 |
| 文章编号： | 1001－4322（2001）01－0117－03 |
| 修稿时间： | 2000-10-31 |
K-shell ionization crosssections of Zr element at energies from 20keV to 34keV |
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| Abstract: | Through bombarding the Zr target by the electrons at energiesfrom 20keV to 34 keV, the K-shell ionization cross section of Zr element is obtained. These data are reported for the first time in the world. In the experiment, the influence of the electrons reflected from the thick substrate was corrected by means of a bipartition model of the electron transport. The mean path of the electrons passing through the Zr target of 24.3μg/cm2 mass thickness is calculated by the EGS4 program of Monte Carlo techniquel． |
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