| 氢对GaAs薄膜的钝化作用 |
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| 作者姓名： | 朱慧群 丁瑞钦 胡怡 |
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| 作者单位： | 五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东江门,529020;暨南大学化学系,广州,510632 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金(04011770),广东省江门市科技计划基金(江财企[2003]61号)资助项目 |
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| 摘 要： | 报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层(13~20nm厚)高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法,研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响.对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析.结果表明,衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构,薄膜的晶团尺寸较大,微观表面较为粗糙,其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰,带隙光致荧光峰强明显增加,说明氢在衬底温度500℃~520℃下对薄膜有重要的钝化作用.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 GaAs薄膜 氢钝化 激子峰 光致荧光谱 |
| 收稿时间： | 2006-03-23 |
| 修稿时间： | 2006-03-23 |
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