| AlN单晶生长行为研究 |
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| 引用本文： | 程红娟,金雷,武红磊,齐海涛,王增华,史月曾,张丽. AlN单晶生长行为研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2200-2205 |
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| 作者姓名： | 程红娟 金雷 武红磊 齐海涛 王增华 史月曾 张丽 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团有限公司第四十六研究所,天津 300220;深圳大学物理与光电工程学院,深圳 518060 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51702297) |
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| 摘 要： | 本文采用物理气相传输法对不同衬底温度和温差下制备的氮化铝(AlN)晶体形貌进行研究,研究结果表明AlN晶体生长受到AlN晶面表面能、Al基元平均动能和AlN晶体表面极性的共同影响。当温差为60℃时, AlN晶体(0001)面生长速率小于(10-10)面,AlN以带状形式生长。将该工艺应用于AlN同质生长中,研究结果表明:温差为60℃时AlN晶体(0001)面呈现畴生长模式,该晶体质量最差;温差为35℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶流生长模式,该晶体质量最优;温差为20℃时AlN晶体(0001)面呈现台阶簇生长模式,该晶体容易开裂。通过工艺优化最终获得了直径为40 mm AlN单晶衬底,完全满足器件制备需求。
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| 关 键 词： | 物理气相传输 表面形貌 台阶流 AlN晶体 同质生长 |
Growth Behavior of AlN Single Crystal |
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| CHENG Hongjuan,JIN Lei,WU Honglei,QI Haitao,WANG Zenghua,SHI Yuezeng,ZHANG Li. Growth Behavior of AlN Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(11): 2200-2205 |
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| Authors: | CHENG Hongjuan JIN Lei WU Honglei QI Haitao WANG Zenghua SHI Yuezeng ZHANG Li |
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