| 不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究 |
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| 引用本文： | 郭红霞,陈雨生,韩福斌,罗剑辉,杨善潮,龚建成,谢亚宁,黄宇营,何伟,胡天斗. 不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究[J]. 中国物理 C, 2003, 27(12): 1142-1146 |
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| 作者姓名： | 郭红霞 陈雨生 韩福斌 罗剑辉 杨善潮 龚建成 谢亚宁 黄宇营 何伟 胡天斗 |
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| 作者单位： | [1]西北核技术研究所，西安710024 [2]中国科学院高能物理研究所，北京100039 |
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| 基金项目： | 国防预研基金 ( 3 110 70 5 )资助~~ |
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| 摘 要： | 给出了不同集成度16K—4Mb随机静态存储器SRAM在钴源和北京同步辐射装置BSRF3W1白光束线辐照的实验结果;通过实验在线测得SRAM位错误数随总剂量的变化,给出相同辐照剂量时20—100keVX光辐照和Co60γ射线辐照的剂量损伤效应的比例因子;给出集成度不同的SRAM器件抗γ射线总剂量损伤能力与集成度的关系;给出不同集成度SRAM器件的X射线损伤阈值.这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值.
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| 关 键 词： | 静态存储器 X射线 剂量增强效应 同步辐射 |
| 收稿时间： | 2003-04-28 |
Study on Hard X-Rays Dose Enhancement Effects for SRAM with Different Integration |
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| GUO Hong-Xia ,) CHEN Yu-Sheng HAN Fu-Bin LUO Jian-Hui YANG Shan-Chao GONG Jian-Cheng XIE Ya-Ning HUANG Yu-Ying HE Wei HU Tian-Dou. Study on Hard X-Rays Dose Enhancement Effects for SRAM with Different Integration[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 2003, 27(12): 1142-1146 |
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| Authors: | GUO Hong-Xia ) CHEN Yu-Sheng HAN Fu-Bin LUO Jian-Hui YANG Shan-Chao GONG Jian-Cheng XIE Ya-Ning HUANG Yu-Ying HE Wei HU Tian-Dou |
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| Affiliation: | GUO Hong-Xia 1,1) CHEN Yu-Sheng 1 HAN Fu-Bin 1 LUO Jian-Hui 1 YANG Shan-Chao 1 GONG Jian-Cheng 1 XIE Ya-Ning 2 HUANG Yu-Ying 2 HE Wei 2 HU Tian-Dou 2 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM X-rays dose enhancement effects synchrotron radiation |
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