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| Cd1-xZnx合金组元分压控制下高阻CdZnTe晶体的熔体生长 | |
| 作者姓名： | 杨炬 桑文斌 钱永彪 史伟民 王林军 刘冬华 闵嘉华 李志峰 苏宇 |
| 作者单位： | 上海大学嘉定校区无机材料系,201800,上海;上海朗讯科技通信设备有限公司,200233,上海 |
| 摘 要： | 本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1～2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4;左右,红外透过率大于60;,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体. |
| 关 键 词： | CdZnTe晶体 布里奇曼法 CdZnTe熔体平衡分压 γ探测器 |
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