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二维层状GaTe的晶体结构研究
引用本文:何杰,王涛,赵清华,王茂,王苗,介万奇. 二维层状GaTe的晶体结构研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3059-3062
作者姓名:何杰  王涛  赵清华  王茂  王苗  介万奇
作者单位:西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金(50902114);凝固技术国家重点实验室自主研究课题青年重点项目(94-QZ-2014)
摘    要:采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究.利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其晶体结构.采用透射电子显微镜对二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe进行观测,并结合晶体定向仪对GaTe解理面进行了定向分析.结果表明,二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe分别对应单斜和六方两种不同的晶体结构,并对应不同的解理面.

关 键 词:GaTe  布里奇曼法  二维纳米层  解理面,

Study on Crystal Structure of Two-dimensional Layered GaTe
HE Jie,WANG Tao,ZHAO Qing-hua,WANG Mao,WANG Miao,JIE Wan-qi. Study on Crystal Structure of Two-dimensional Layered GaTe[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(12): 3059-3062
Authors:HE Jie  WANG Tao  ZHAO Qing-hua  WANG Mao  WANG Miao  JIE Wan-qi
Abstract:
Keywords:
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