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后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响
作者姓名:姬凯迪  高灿灿  杨发顺  熊倩  马奎
作者单位:贵州大学电子科学系,贵阳 550025;贵州大学电子科学系,贵阳 550025;贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025;半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心,贵阳 550025
基金项目:国家自然科学基金(61664004);半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心开放基金(ERCME-KFJJ2019-(01))
摘    要:近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2 O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga2 O3薄膜制备方法之一,后退火处理往往是提高薄膜质量的关键工艺步骤.本文研究后退火工艺中退火温度和退火气氛对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2 O3薄膜材料的影响.X射线衍...

关 键 词:宽禁带半导体  β-Ga2O3  射频磁控溅射  退火氛围  结晶性能  表面粗糙度
收稿时间:2021-04-02
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