| Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性 |
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| 引用本文： | 王华,任鸣放. Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性[J]. 物理学报, 2006, 55(3) |
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| 作者姓名： | 王华 任鸣放 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;广西自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管. 研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响. 研究表明,在合理的工艺条件下可以获得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性; 顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力; 器件的转移(Isd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.
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| 关 键 词： | 铁电场效应晶体管 存储特性 溶胶-凝胶工艺 |
Memory characteristics of metal-ferroelectric-semiconductor field-effect-transistors with Ag/Bi4Ti3O12/p-Si gate |
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| Wang Hua,Ren Ming-Fang. Memory characteristics of metal-ferroelectric-semiconductor field-effect-transistors with Ag/Bi4Ti3O12/p-Si gate[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(3) |
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| Authors: | Wang Hua Ren Ming-Fang |
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| Keywords: | Bi4Ti3O12 |
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