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| 赝能隙导致的YBa2(Cu1-xMx)3O7-δ(M=Co,Zn)薄膜的输运性质异常 | |
| 引用本文： | 赵彦立,郑萍,陈兆甲,任清褒,许祝安,焦正宽,Y J ZHANG,C K Ong. 赝能隙导致的YBa2(Cu1-xMx)3O7-δ(M=Co,Zn)薄膜的输运性质异常[J]. 物理学报, 2002, 51(8) |
| 作者姓名： | 赵彦立 郑萍 陈兆甲 任清褒 许祝安 焦正宽 Y J ZHANG C K Ong |
| 作者单位： | 1. 浙江大学物理系,杭州,310027 2. 中国科学院物理研究所,北京,100080 3. 浙江大学物理系,杭州,310027;丽水师范专科学校物理系,丽水,323000 4. Department of Physics, National University of Singapore, Lower Kent Ridge Road, Singapore 119260,Singapore |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，教育部留学回国人员科研启动基金，浙江省自然科学基金 |
| 摘 要： | 报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=0.01,0.02)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0.005,0.010)薄膜的电阻率-温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH (T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率-温度特性定义的赝能隙打开的温度T*分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率-温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T 0,介于Tc与T*之间,这一特征温度与核磁共振(NMR)给出的赝能隙打开温度相近,说明可能源于电子自旋自由度上的能隙打开.在室温到Tc范围内,电阻率-温度特性和Hall效应分别定义了两类不同的转变温度(T*和T 0),可能分别源于电子电荷和自旋通道上的赝能隙的打开,预示着电荷和自旋自由度分别进入某种基态. |
| 关 键 词： | 赝能隙 Y123相 Hall效应 |
Anomalies in transport properties due to the normal-state pseudogap in doped YBa2(Cu1-xMx)3O7-δ(M=Co,Zn) thin films |
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| Y J ZHANG,C K Ong. Anomalies in transport properties due to the normal-state pseudogap in doped YBa2(Cu1-xMx)3O7-δ(M=Co,Zn) thin films[J]. Acta Physica Sinica, 2002, 51(8) | |
| Authors: | Y J ZHANG C K Ong |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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