| 锗对CZ Si中新施主的影响 |
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| 引用本文： | 张维连,孙军生,檀柏梅,张恩怀,张颖怀. 锗对CZ Si中新施主的影响[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(1): 51-53 |
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| 作者姓名： | 张维连 孙军生 檀柏梅 张恩怀 张颖怀 |
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| 作者单位： | 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目；河北省自然科学基金资助项目。 |
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| 摘 要： | 等价元素锗(Ge),掺入CZ Si中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径,使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行.同时,Ge容易与硅中空位形成较稳定的锗一空位复合体(Ge-VX),降低了空位的浓度.因此,锗掺入到CZ Si中可以抑制新施主(ND)的形成速率和最大浓度,提高了硅的高温稳定性,改善硅材料的内在质量.随着Ge浓度的增加,这种抑制施主效应也越明显.本文简要地探讨了Ge在CZ Si中抑制新施主形成的机理.
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| 关 键 词： | CZSi 等价掺杂(Ge) 新施主 热处理, |
| 文章编号： | 1000-985X(2000)01-0011-03 |
| 修稿时间： | 1999-06-21 |
Effluence of Ge on New Donor in CZ Si |
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| ZHANG Wei-lian,SUN Jun-sheng,TAN Bai-mei,ZHANG En-huai,ZHANG Ying-huai. Effluence of Ge on New Donor in CZ Si[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2000, 29(1): 51-53 |
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| Authors: | ZHANG Wei-lian SUN Jun-sheng TAN Bai-mei ZHANG En-huai ZHANG Ying-huai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CZ Si |
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