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非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响
引用本文:陈景东,张婷,方玉宏. 非桥氧空穴发光中心对铁钝化多孔硅光致发光的影响[J]. 发光学报, 2014, 0(12): 1427-1431
作者姓名:陈景东  张婷  方玉宏
作者单位:1. 闽南师范大学 物理与信息工程学院,福建 漳州摇,363000
2. 闽南师范大学 化学与环境学院,福建 漳州摇,363000
基金项目:基金项目:福建省教育厅A类项目,闽南师范大学科研基金
摘    要:采用水热腐蚀法制备了铁钝化多孔硅样品,样品光致发光谱的荧光峰位于2.0eV附近,半峰宽约为0.40eV。激发波长从240nm增大到440nm的过程中,荧光峰先红移再蓝移,最后基本稳定,变化曲线呈勺型。通过分析15片发光多孔硅样品的统计结果,发现荧光峰逆转所对应的激发波长位于330nm附近,相应的激发光子能量约为3.8eV。样品光致发光谱随激发波长的勺型变化过程与≡Si—O↑和≡Si—O↑…H—O—Si≡两类非桥氧空穴发光中心共同作用时的发光行为一致。

关 键 词:多孔硅  铁钝化  光致发光  非桥氧空穴  水热腐蚀

Effect of Non-bridging Oxygen Hole Luminescence Center on Photoluminescence of Iron-passivated Porous Silicon
CHEN Jing-dong , ZHANG Ting , FANG Yu-hong. Effect of Non-bridging Oxygen Hole Luminescence Center on Photoluminescence of Iron-passivated Porous Silicon[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 0(12): 1427-1431
Authors:CHEN Jing-dong    ZHANG Ting    FANG Yu-hong
Abstract:
Keywords:porous silicon  iron passivated  photoluminescence  non-bridging oxygen hole  hydrothermal etching
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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