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| 石墨烯及其掺杂量子点的荧光性能研究 | |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法，研究了石墨烯量子点的本征结构、边缘位置掺B、中间位置掺B、边缘位置掺N、中间位置掺N五种结构的电子结构和光学性质.结果表明，石墨烯量子点的激发能吸收主体是基质，杂质原子的掺入会导致禁带宽度变窄，费米能级升高，发射光谱红移，其中给电子体杂质会导致LUMO能级和HOMO能级升高，受电子体杂质会导致LUMO能级升高，HOMO能级降低.中间位置掺杂相对于边缘位置掺杂红移更明显. |
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