过饱和度对KDP晶体生长与光学性能的影响研究 |
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引用本文: | 朱胜军,王圣来,丁建旭,刘光霞,王端良,刘琳,顾庆天,许心光. 过饱和度对KDP晶体生长与光学性能的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 1973-1977 |
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作者姓名: | 朱胜军 王圣来 丁建旭 刘光霞 王端良 刘琳 顾庆天 许心光 |
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作者单位: | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(50721002,51202131) |
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摘 要: | 在不同过饱和度的溶液中生长了KDP晶体,对生长晶体的透过率,光散射和激光损伤阈值进行了表征.研究了不同过饱和度对KDP晶体生长及光学性能的影响.实验表明:KDP晶体可以在高过饱和度(σ>3;)溶液中实现快速生长,生长速度可大于10 mm/d;但随着溶液过饱和度的增加,KDP晶体生长溶液的稳定性降低,晶体容易出现包藏、开裂和添晶等缺陷,晶体的光学性能也随之降低.
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关 键 词: | KDP晶体 过饱和度 稳定性 透过率 缺陷, |
Effect of Supersaturation on Growth and Optical Properties of KDP Crystal |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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