| GaN发光二极管表观电容极值分析 |
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| 作者姓名： | 谭延亮 游开明 陈列尊 袁红志 |
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| 作者单位： | 1.衡阳师范学院物电系,湖南 衡阳,421008;2.湖南天雁机械有限公司, 湖南, 衡阳, 421005 |
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| 摘 要： | 利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显。测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容。分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容。发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性。
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| 关 键 词： | GaN发光二极管 负电容 正向交流(ac)小信号方法 可变电容 极值 |
| 文章编号： | 1000-7032（2007）02-0237-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-25 |
| 修稿时间： | 2006-05-25 |
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