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| 硅纳米线阵列光电探测器研究进展 | |
| 作者姓名： | 刘晓轩 孙飞扬 吴颖 杨盛谊 邹炳锁 |
| 作者单位： | 1. 北京理工大学物理学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室;2. 广西大学资源环境与材料学院 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:SQ2019YFB220038)；;国家自然科学基金(批准号:1227041254)；;中央高校基本科研业务费(批准号:020CX02002,BITBLR2020013)； |
| 摘 要： | 硅(Si)作为最重要的半导体材料之一,被广泛应用于太阳电池、光电探测器等光电器件中.由于硅和空气之间的折射率差异,大量的入射光在硅基表面即被反射.为了抑制这种反射带来的损失,多种具有强陷光效应的硅纳米结构被研发出来.采用干法蚀刻方案多数存在成本高昂、制备复杂的问题,而湿法蚀刻方案所制备的硅纳米线阵列则存在间距等参数可控性较低、异质结有效面积较小等问题.聚苯乙烯微球掩膜法可结合干法及湿法蚀刻各自的优点,容易得到周期性硅纳米线(柱)阵列.本文首先概述了硅纳米线结构的性质和制备方法,总结了有效提升硅纳米线(柱)阵列光电探测器性能的策略,并分析了其中存在的问题.进而,讨论了基于硅纳米线(柱)阵列光电探测器的最新进展,重点关注其结构、光敏层的形貌以及提高光电探测器性能参数的方法.最后,简要介绍了其存在的主要问题及可能的解决方案. |
| 关 键 词： | 硅纳米线 硅纳米线阵列 干法蚀刻和湿法蚀刻 金属辅助化学蚀刻 光电探测器 |