| 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究 |
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| 引用本文： | 姚晶晶,任国强,李腾坤,苏旭军,邱永鑫,许磊,高晓冬,徐科. 氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1157-1161 |
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| 作者姓名： | 姚晶晶 任国强 李腾坤 苏旭军 邱永鑫 许磊 高晓冬 徐科 |
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| 作者单位： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000;中国科学技术大学纳米科学技术学院,苏州215000;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61574162,61604169) |
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| 摘 要： | 籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多.为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工艺步骤多、复杂,成本高.本文采用磷酸去除表面损伤层的粗磨GaN与化学机械抛光的GaN分别作为籽晶,对比了两种籽晶氨热生长后晶体表面、生长速率、结晶质量、应力状况.光学显微镜表明两种籽晶生长后晶体的表面具有相似的丘状表面.氨热法生长速率较慢,化学机械抛光籽晶生长速率略高于粗磨籽晶.X射线单晶衍射(XRD) (002)和(102)的摇摆曲线半高宽显示抛光籽晶与粗磨籽晶生长得到GaN结晶质量基本一致.Raman E2(high)频移表明抛光籽晶生长的GaN晶体接近无应力状态,粗磨籽晶生长的晶体存在较小的压应力.
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| 关 键 词： | 氮化镓 氨热法 籽晶表面处理 化学机械抛光 |
Study on Surface Damage Treatment of GaN Seed and Ammonothermal Growth |
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| YAO Jingjing,REN Guoqiang,LI Tengkun,SU Xujun,QIU Yongxin,XU Lei,GAO Xiaodong,XU Ke. Study on Surface Damage Treatment of GaN Seed and Ammonothermal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(7): 1157-1161 |
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| Authors: | YAO Jingjing REN Guoqiang LI Tengkun SU Xujun QIU Yongxin XU Lei GAO Xiaodong XU Ke |
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