| ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管 |
| |
| 作者姓名： | 仲飞 叶勤 刘彭义 翟琳 吴敬 张靖垒 |
| |
| 作者单位： | 暨南大学, 物理系, 广东, 广州, 510632 |
| |
| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(06025173) |
| |
| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。
|
| 关 键 词： | 有机发光二极管 ZnS超薄膜 空穴缓冲层 电流效率 |
| 文章编号： | 1000-7032（2006）06-0877-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-10 |
| 修稿时间： | 2006-01-17 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《发光学报》下载免费的PDF全文 |
|
