| 黄铜矿型CuInSe2单晶光电材料研究评述 |
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| 引用本文： | 余晓艳,马鸿文,杨静. 黄铜矿型CuInSe2单晶光电材料研究评述[J]. 人工晶体学报, 1999, 28(1): 96-102 |
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| 作者姓名： | 余晓艳 马鸿文 杨静 |
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| 作者单位： | 中国地质大学材料科学与工程学院,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国土资源部百名跨世纪科技人才培养计划，， |
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| 摘 要： | Cu-Ⅲ-Ⅵ2族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置,CuInSe2是Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族的一个成员,其带隙能为1eV,光吸收系数较大,有希望成为潜在的太阳能材料.本文阐述了CuInSe2晶体的光电性能及在作为太阳能材料方面的应用,对合成CuInSe2单晶的各种生长方法进行了归纳和总结,并指出了研究中存在的问题和今后努力的方向.
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| 关 键 词： | CuInSe2 光电材料 晶体生长 生长方法 化合物半导体, |
A Review on Growth Methods of Chalcopyrite CuInSe2 Single Crystal |
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| Yu Xiaoyan,Ma Hongwen,Yang Jing. A Review on Growth Methods of Chalcopyrite CuInSe2 Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 1999, 28(1): 96-102 |
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| Authors: | Yu Xiaoyan Ma Hongwen Yang Jing |
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| Keywords: | CuInSe2 |
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