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稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2的室温铁磁性
引用本文:匡安龙,刘兴翀,路忠林,任尚坤,刘存业,张凤鸣,都有为. 稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2的室温铁磁性[J]. 物理学报, 2005, 54(6)
作者姓名:匡安龙  刘兴翀  路忠林  任尚坤  刘存业  张凤鸣  都有为
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金
摘    要:采用固相反应法,制备了不同成分的稀释磁性半导体Sn1-xMnxO2(x=0.02,0.04,0.06).利用x射线衍射和傅里叶变换红外光谱法证明了锰均匀地掺杂到二氧化锡中.在室温下研究了掺锰二氧化锡基稀释半导体的磁性,发现它具有明显的铁磁性,同时对磁性的强弱与锰的含量和烧结温度的关系作了研究.

关 键 词:稀释磁性半导体  掺杂  烧结  铁磁性  Sn1-xMnxO2

Room-temperature ferromagnetism in Mn-doped SnO2 diluted magnetic semiconductor
Kuang An-Long,Liu Xing-Chong,LU Zhong-lin,REN Shang-kun,LIU Cun-Ye,ZHANG Feng-ming,Du You-Wei. Room-temperature ferromagnetism in Mn-doped SnO2 diluted magnetic semiconductor[J]. Acta Physica Sinica, 2005, 54(6)
Authors:Kuang An-Long  Liu Xing-Chong  LU Zhong-lin  REN Shang-kun  LIU Cun-Ye  ZHANG Feng-ming  Du You-Wei
Abstract:
Keywords:
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