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Si离子注入和H等离子体处理对单晶Si中空腔生长的影响研究
引用本文:刘昌龙,E.Ntsoenzok,D.Alquier. Si离子注入和H等离子体处理对单晶Si中空腔生长的影响研究[J]. 中国物理 C, 2004, 28(9): 1013-1016
作者姓名:刘昌龙  E.Ntsoenzok  D.Alquier
作者单位:天津大学理学院物理系,CERI/CNRS,3A rue de la Férollerie,45071 Orléans Cedex 2,France,IMP/STMicroelectronics,16 rue Pierre et Marie 天津300072
基金项目:天津大学留学回国人员启动资金资助~~
摘    要:室温下首先采用160keVHe离子注入单晶Si样品到剂量5×1016ions/cm2,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量5×1015ions/cm2或接受高密度H等离子体处理.应用透射电镜观测分析了800℃高温退火引起的空腔的形成形貌.结果表明,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长.就Si离子附加辐照而言,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷,因此,它会抑制空腔的生长,而高密度H等离子体处理则有助于空腔的生长.定性地讨论了实验结果.

关 键 词:单晶Si  He离子和Si离子注入  H等离子体处理  空腔  透射电镜
收稿时间:2003-11-27

Effects of Si Ion Implantation and H Plasma Treatment on the Growth of Cavities in Silicon
LIU Chang-Long ,) E.Ntsoenzok D.Alquier. Effects of Si Ion Implantation and H Plasma Treatment on the Growth of Cavities in Silicon[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 2004, 28(9): 1013-1016
Authors:LIU Chang-Long   ) E.Ntsoenzok D.Alquier
Affiliation:LIU Chang-Long 1,1) E.Ntsoenzok2 D.Alquier 3 1
Abstract:
Keywords:crystalline silicon  He and Si ion implantation  H plasma treatment  cavities  transmission electron microscopy
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