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一种晶体表面水平纳米线生长机理的蒙特卡罗模拟研究
引用本文:兰木,向钢,辜刚旭,张析. 一种晶体表面水平纳米线生长机理的蒙特卡罗模拟研究[J]. 物理学报, 2012, 61(22): 452-457
作者姓名:兰木  向钢  辜刚旭  张析
作者单位:四川大学物理科学与技术学院,辐射物理与技术教育部重点实验室,成都610064
基金项目:国家自然科学基金(批准号:11004141,11004142,11174212);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号号:11-0351)资助的课题~~
摘    要:采用动力学蒙特卡罗方法模拟,发现在较低过饱和度流体中对称性破缺的简单立方晶体光滑(001)表面上基于晶核的水平纳米线的生长机理.在此基础上,进一步研究了各向异性的表面上经向和纬向热粗糙度对纳米线形貌的影响,分析了纳米线的生长随时间的变化,并系统讨论了纳米线生长速率与表面经向和纬向热粗糙度、过饱和度、晶面尺寸以及表面扩散作用的依赖关系.

关 键 词:蒙特卡罗模拟  纳米线  量子线  生长动力学

A Monte Carlo simulation study on growth mechanism of horizontal nanowires on crystal surface
Lan Mu Xiang Gang Gu Gang-Xu Zhang Xi. A Monte Carlo simulation study on growth mechanism of horizontal nanowires on crystal surface[J]. Acta Physica Sinica, 2012, 61(22): 452-457
Authors:Lan Mu Xiang Gang Gu Gang-Xu Zhang Xi
Affiliation:Lan Mu Xiang Gang Gu Gang-Xu Zhang Xi ( Department of Physics and Key Laboratory for Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China )
Abstract:
Keywords:Monte Carlo simulation  nanowire  quantum wire  growth mechanism
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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