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| 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导 | |
| 引用本文： | 张德恒 刘云燕 张德骏. 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导[J]. 物理学报, 2001, 50(9): 1800-1804 |
| 作者姓名： | 张德恒 刘云燕 张德骏 |
| 作者单位： | 张德恒（山东大学物理系济南 250100） 刘云燕（山东大学物理系济南 250100） 张德骏（山东大学物理系济南 250100） |
| 基金项目： | 山东省自然科学基金(批准号:Y96A12016)资助的课题. |
| 摘 要： | 报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应,而且光响应弛豫时间也较短.在弱光范围,光响应随光强的变小呈线性减弱,且光响应的弛豫时间变长. |
| 关 键 词： | GaN MOCVD 光电导 光响应 |
| 修稿时间： | 2000-09-24 |
The UV Photoconductivity of n-Type GaN Films Deposited by MOCVD |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |